中國(guó)芯片制造龍頭中芯國(guó)際公布的業(yè)績(jī)顯示14nmFinFET工藝正式貢獻(xiàn)營(yíng)收,分析認(rèn)為這代表著國(guó)產(chǎn)芯片龍頭企業(yè)華為海思已在中芯國(guó)際投產(chǎn),隨著華為海思的芯片正式投產(chǎn),代表著中芯國(guó)際的14nmFinFET工藝正式進(jìn)入量產(chǎn)階段并開始貢獻(xiàn)營(yíng)收。
全球前五大芯片代工企業(yè)當(dāng)中,臺(tái)積電和三星位于第二陣營(yíng),這兩家企業(yè)代表著全球最領(lǐng)先的水平,它們目前已投產(chǎn)最先進(jìn)的7nmEUV工藝,兩家企業(yè)正在展開針鋒相對(duì)的競(jìng)爭(zhēng)。
第二陣營(yíng)的就是第三至第五名的格芯、聯(lián)電和中芯國(guó)際,中芯國(guó)際目前在營(yíng)收方面雖然還比不上格芯和聯(lián)電,不過(guò)卻是第二陣營(yíng)當(dāng)中最積極進(jìn)取的芯片代工企業(yè)。
中芯國(guó)際依托于中國(guó)龐大的市場(chǎng)以及這里對(duì)最先進(jìn)工藝要求,因此積極開發(fā)更先進(jìn)的工藝,而格芯和聯(lián)電考慮到7nm及更先進(jìn)工藝的龐大資金投入選擇放棄而止步于14nmFinFET工藝,后兩者致力于提升現(xiàn)有芯片工藝的利潤(rùn)水平。
中芯國(guó)際經(jīng)過(guò)數(shù)年的努力,特別是前臺(tái)積電資深研發(fā)處長(zhǎng)梁孟松的加入幫助它加速了14nmFinFET工藝的研發(fā),在去年成功投產(chǎn)14nmFinFET工藝,在工藝技術(shù)水平上與格芯和聯(lián)電達(dá)到了統(tǒng)一水平。相比于格芯和聯(lián)電停止研發(fā)7nm及更先進(jìn)工藝,中芯國(guó)際則表示目前正在開發(fā)7nm工藝。
中芯國(guó)際在投產(chǎn)14nmFinFET工藝后,正愁沒(méi)有客戶,畢竟任何芯片企業(yè)都不愿冒險(xiǎn)嘗試這家芯片代工企業(yè)剛剛投產(chǎn)的14nmFinFET工藝,畢竟對(duì)于中國(guó)芯片企業(yè)來(lái)說(shuō)它們可以選擇臺(tái)積電、聯(lián)電等技術(shù)更成熟的企業(yè),在此時(shí)卻傳來(lái)華為海思將轉(zhuǎn)單中芯國(guó)際,可謂一大喜訊。
自去年6月以來(lái),美國(guó)一再限制華為,到去年底更是要求芯片代工企業(yè)不得將來(lái)自美國(guó)專利占比超過(guò)10%的技術(shù)提供給華為海思,而臺(tái)積電的16nmFinFET工藝恰恰受制于這一限制,華為海思被迫放棄臺(tái)積電的16nmFinFET工藝,此時(shí)中芯國(guó)際恰好投產(chǎn)了14nmFinFET工藝,于是順理成章的華為海思將采用14nmFinFET工藝生產(chǎn)的電源管理芯片等交給中芯國(guó)際。
如今中芯國(guó)際公布的2019年四季度的業(yè)績(jī)顯示,14nmFinFET工藝正式貢獻(xiàn)營(yíng)收,應(yīng)該就代表著華為海思已正式將部分芯片訂單交給它。華為海思是全球前十大芯片設(shè)計(jì)企業(yè)之一,也是臺(tái)積電前兩大客戶之一,隨著華為海思將更多的芯片交給中芯國(guó)際,中芯國(guó)際的營(yíng)收可望獲得快速增長(zhǎng)。
值得注意的是華為海思在芯片制造工藝方面也有一定的經(jīng)驗(yàn),此前華為海思就與臺(tái)積電合作研發(fā)了16nmFinFET、7nm工藝,華為海思與中芯國(guó)際合作將有助于后者開發(fā)更先進(jìn)的7nm工藝。此舉如取得成功,中芯國(guó)際可望一舉超越格芯和聯(lián)電,成為全球第三大芯片代工企業(yè)。
中國(guó)從2014年成立集成電路產(chǎn)業(yè)基金以來(lái),芯片制造工藝正是受到扶持的重點(diǎn)之一,這是因?yàn)橹袊?guó)的芯片設(shè)計(jì)行業(yè)已進(jìn)入蓬勃發(fā)展階段并取得顯著的成績(jī),華為海思在手機(jī)芯片技術(shù)方面已與全球手機(jī)芯片老大高通相當(dāng),唯有芯片制造工藝拖后腿,而中芯國(guó)際代表著中國(guó)芯片制造工藝的最高水平,在集成電路產(chǎn)業(yè)基金和華為海思的助力下,中芯國(guó)際進(jìn)一步提升工藝水平應(yīng)該不成問(wèn)題。
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