ROHM獨有的超級結MOSFET產品PrestoMOS，運用ROHM獨創的Lifetime控制技術優勢，實現了極快*的反向恢復時間（trr），非常有助于降低空調和逆變器等應用穩定運行時的功耗，因而已經作為IGBT的替代品受到高度好評。 *截至2019年3月15日 ROHM調查數據

此次，在以往的產品陣容基礎上，新增了新開發的“R60xxJNx系列”共30種機型。產品特點如下：

?反向恢復時間（trr）極快。與IGBT相比，輕負載時的功率損耗降低約58%。

?采用不產生誤開啟（Self Turn-on）現象的設計，消除損耗增加的一個原因。

?優化體二極管的特性，改善軟恢復指數，降低引發誤動作的噪聲。

這些特點不僅可降低應用的損耗，還使電路的優化更容易，設計的靈活性更高。

反向恢復時間（trr）極快，與IGBT相比，輕負載時的功率損耗降低約58%

包括空調和冰箱在內，白色家電多使用變頻電路進行電機驅動，以往開關元件多使用IGBT。然而，作為近年來節能需求的一部分，降低穩定運行期間的功耗已經為重要課題。ROHM于2012年首次將PrestoMOS投入市場，這是以極快的反向恢復特性為特點的功率MOSFET，因其在解決“降低穩定運行期間的功耗”課題方面的優異表現，而獲得了高度好評。

采用“不產生誤開啟現象”設計，消除損耗增加的一個原因

通過優化MOSFET結構上存在的寄生電容，將開關時的柵極電壓升高量降低了20%。另外，將MOSFET導通的閾值（Vth）提高約1.5倍，是不易產生誤開啟現象的設計。優化了柵極電阻值（損耗的原因之一），可降低損耗。

改善恢復特性，降低引起誤動作的噪聲

通常，SJ-MOSFET體二極管的恢復特性為硬恢復。通過優化結構，與以往產品相比，R60xxJNx系列的軟恢復指數改善了30％，不僅保持了極快的反向恢復時間（trr），還成功減少了噪聲干擾。這使得設計時的柵極電阻等帶來的噪聲更容易優化。

編輯：hfy