據報道，2018年全球存儲芯片市場規模高達1620億美元，其中NOR Flash 全球市場規模約為26億美元（占比為1.6%），NAND Flash全球市場規模約為610億美元（占比37.65%），DRAM全球市場規模約為960億美元（占比59.2%）。DRAM，NAND，NOR占據了所有存儲芯片市場規模的98%以上，然而存儲芯片高度壟斷，主要參與者為韓國和歐美企業。

全球NAND閃存行業正處在2D向3D的轉進期，幾大巨頭將重點都放在了3D的比拼上，未來沒有計劃增加2D的產能，并有可能進一步降低2D的生產比重。產業巨頭逐步放棄中小容量，這就給國內存儲企業創造了歷史性的發展機遇。

我國存儲芯片的發展現狀

近年來在存儲國產化的政策支持下，隨著產品技術和研發經驗的不斷積累，部分國內優秀廠商已開發出更貼近本土用戶需求的高性價比存儲產品，我國幾大做存儲芯片的企業業務模式大致情況如下：

日前半導體行業觀察記者采訪到了東芯半導體的助理總經理陳磊，談到當下存儲芯片的現狀時，陳總闡述道：“現在國內每年進口的半導體產品金額是最大的，而其中，存儲器產品又是最大量的進口半導體器件。目前東芯半導體的產品包括NOR FLASH，SLC NAND Flash和DRAM的產品，我們在存儲器產品上的布局還是比較全面的。”

NOR FLASH產品的應用領域非常的廣泛，只要你的系統有軟件代碼，就肯定需要或大或小容量的NOR FLASH來做存儲。從大類來分的話，主要應用領域包括消費類，通訊類，電腦，工業和汽車這5大領域。

SLC NAND包括SPI NAND目前國內主要應用在通訊類（GPON， EPON），還有一些視頻監控產品也需要低容量的NAND FLASH。

DRAM產品的市場和NOR，NAND的市場非常接近，所以，從產品布局上來看，東芯半導體非常有優勢，我們可以在終端客戶面前做到“一站式”的存儲器供應商的領先優勢。

業內預計，中小容量存儲芯片市場規模將保持在120億-200億美元，其中低容量NAND 60億-100億美元，NOR約30億，低容量DRAM約70億美元。東芯在這3個領域的布局明顯是看中了其廣闊的市場前景。

盡管國內的內存芯片廠商取得了一些成績，但我們需要清醒地認識到，在核心技術、市場份額、人才儲備等方面，差距仍然很大。近年來，很多國外廠商以知識產權等方式壓制國內廠商，這更要求企業擁有自己的核心技術。

陳磊講到，整體上來看，我們國內的存儲器公司和國外的差距還是非常大的。當然，我們國內的存儲企業在近幾年也都在努力的奮起直追，從產品來看，我們已經在消費市場完成了“國產替代”，在包括智能電視，機頂盒等領域，現在都是國內存儲器的天下，甚至在一些工業，汽車方面，我們也都在積極的進入。

總體來看，國內存儲芯片市場需求巨大，但目前嚴重依賴于進口；存儲是信息安全的基礎，國產替代需求空間大；國家產業政策支持下，本土企業面臨重大發展機遇；存儲行業更新迭代快，對設計能力和制造工藝提出了極高的要求，屬于技術、人才、資金高度密集型行業，進入門檻相當高，本土參與企業非常稀少；所以發展存儲芯片已經成為國家繁榮富強的重中之重。

發展存儲芯片的重要性

存儲芯片是電子信息領域的重大戰略性支柱產品，是應用面最廣、市場比例最高的集成電路基礎性產品之一。對電子產品來說，存儲芯片就像糧食一樣不可或缺。它與數據相伴而生，哪里有數據，哪里就會需要存儲芯片。隨著大數據、物聯網、人工智能、智慧產業等新興產業的發展，存儲產業的重要性與日俱增。

發展存儲芯片的三大原因：

必要性：存儲芯片是電子系統的糧倉，數據的載體，關乎數據的安全；其市場規模足夠大，約占半導體總體市場的三分之一。

安全性：存儲芯片非常重要，但目前存儲芯片中NAND、DRAM我國自給率幾乎為零。

緊急性：我國在存儲芯片上的進口總額高達880億美元，對外依賴度超過90%。

前幾年，內存漲價一直是困擾很多國內電子廠商的“心病”，由于存儲芯片的國產化很低，導致很多國外廠商瘋狂漲價，對整個產業鏈影響很大。存儲芯片又被稱為電子產品的“糧食”，能占產品成本的二成左右，在競爭激烈的電子產業鏈里面，沒有核心技術的企業，就容易被人扼住喉嚨。另外，發展存儲芯片還可助力“大國”崛起，提升國際話語權。從國家的一些政策就可以看出其重要性。

自2000年開始，國家的政策就在積極鼓勵國內集成電路企業的發展，2000年和2011年先后出臺了《鼓勵軟件產業和集成電路產業發展的若干政策》、《進一步鼓勵軟件產業和集成電路產業發展的若干政策》，其主要內容包括財稅政策、投融資政策、研究開發政策、進出口政策、人才政策、知識產權政策、市場政策等，對推動我國集成電路產業發展發揮了重要作用。

2014年6月國務院印發《國家集成電路產業發展推進綱要》，設立國家集成電路產業投資基金，解決了制約產業發展的投資瓶頸問題，我國集成電路產業進入跨越式發展的歷史時期。

2014年9月國家集成電路產業投資基金成立之后，即投資近400億元入股長江存儲，兆易創新和合肥長鑫等，占其首期募資1387億元的近30%，體現了國家對發展本土存儲芯片產業的高度重視。

2015年5月國務院印發《中國制造2025》的通知，將集成電路產業列為10大戰略發展產業的首位，要求著力提升集成電路設計水平，突破關系國家信息與網絡安全及電子整機產業發展的核心通用芯片，提升國產芯片的應用適配能力。

2017年大基金啟動第二步規劃，重點布局國家戰略和新興行業，進一步推動投融資與產業發展形成合力。

存儲芯片的發展是未來國家戰略的一部分，企業除了閉門造車，也得時刻關注政策、市場變化，通過產業鏈引導來滿足更多規模的應用，只有讓相關產業鏈的企業享受到經濟收益，才能發揮存儲芯片的價值，做出最有市場價值的存儲芯片。

東芯的存儲之路

鑒于歐美韓占據了存儲大部分的市場規模，再加之新一代萬億藍海物聯網設備需要大量的數據存儲和傳輸，中小容量存儲芯片將更合適物聯網發展的需要。所以現在國內的存儲企業大都避開巨頭，在中小容量存儲芯片發力。

東芯是一家Fabless芯片企業，聚焦中小容量NAND、NOR閃存芯片、DRAM內存及MCP的設計、生產和銷售，是目前國內唯一可以同時提供NAND/NOR/DRAM/MCP設計工藝和產品方案的本土存儲芯片研發設計公司。

2014年11月，東芯半導體有限公司成立

2014年12月，與中芯國際共同開發24nm工藝制程的NAND Flash

2015年4月，收購Fidelix ，成為其第一大股東

2015年10月，國內首顆1G SPI NAND芯片，在中芯國際38nm工藝生產線上成功流片

2016年7月，國內首顆4G SLC NAND芯片，在中芯國際24nm工藝生產線上成功流片

2016年09月 ， 11月，獲得上海市科委舉辦的創新創業大賽一等獎，獲得上海市高新技術企業認定

2017年03月，獲得上海市集成電路行業協會理事單位榮譽，50nm Wide-range NOR Flash 在武漢新芯成功流片

2017年04月，自主研發的16Gb MLC NAND Flash系列芯片獲得上海市經信委軟件和集成電路專項資金支持

2017年09月，國內首顆 2G SPI NAND芯片在中芯國際 38nm 工藝生產線成功流片

現在，東芯半導體不僅是行業領軍企業，而且多次縮小了國家存儲芯片IC設計能力與國際領先水平的差距?！皷|芯半導體雖然成立時間不長，但是我們整個產品設計，IP有過往二十多年的經驗和積累，這個是國內的很多初創團隊不具備的。包括產品質量，和晶圓廠的工藝參數的磨合，在產品交付，全球大客戶的合作上，我們都非常的有優勢。目前，我們在國內合作的晶圓廠，都非常期待和我們一起開發新工藝，新產品，大家一起合作，努力把國內的整個存儲器行業提升到新的高度。”東芯半導體助理總經理陳磊日前在接受半導體行業觀察時談到。

陳磊還講到，東芯的芯片應用領域集中在消費類產品，比如智能電視，機頂盒，穿戴式產品等，還有網絡通訊產品，如我們每家每戶都需要用的上網的光貓。我們也在進入工業和汽車的市場，這些市場對產品各方面要求高，包括質量，產品交付，而且設計周期長，但是這是我們必須要做的前期工作。

東芯半導體致力于大力發展具有自主知識產權的國內存儲芯片技術并積極開拓國內市場應用，迅速提升中國在Memory行業的設計研發能力。對此，東芯采取了一系列的業務發展戰略。

東芯采取的產品戰略是，避開和大公司廣譜產品進行全線競爭，聚焦中小容量閃存市場的開拓，充分發揮公司的技術優勢和研發能力，提升產品性價比，抓住存儲器國產替代進口的市場機會，快速成長為閃存尤其是NAND閃存領域的龍頭企業。

從市場來看，東芯深入研究用戶需求，加大差異化定制產品的比重，增強客戶粘性，逐步成為各主要應用市場主導公司的核心品牌供應商。

研發上，東芯堅持自主研發保持公司在國內小容量NAND， NOR， DRAM 領域的領先優勢，在不斷提升和完善38nm&24nm NAND ，48nm NOR 閃存產品品質的前提下，積極開展1xnm NAND閃存的產品開發，達到國際最先進生產水平，目前已取得105項專利。

生產方面，和晶圓代工、封裝測試龍頭企業建立穩定而深入的戰略合作關系，實現互利共贏。

資本方面，充分利用資本市場實現跨越式發展，為長期可持續發展奠定基礎。

在談到東芯未來的3-5年規劃時，陳磊談到，公司首先還是要做好產品的品質，這個是我們的立足根本。在NOR FLASH領域，產品發展已經做的很完善了。我們目前著眼于NAND FLASH，包括大容量的NAND FLASH的產品布局，還有就是我們的DRAM產品，我們希望可以在后兩者上多下苦功，給我們的客戶帶來更多EPN，更有性價比的產品，幫助我們的客戶實現更多的設計功能。

存儲技術未來該如何發展？陳磊認為：“全球范圍對新的存儲器技術的研發一直沒有停止過，我們現在看到的，比如3D Xpoint，RRAM，FeRAM，MRAM， PCM等都是過去數十年的投入，到今天才算開花結果?，F在國內也有公司在做新一代的存儲器產品，包括和海外合作。簡單的說，新一代存儲器要解決的問題，就是“非掉電易失性”和容量/性能的問題。我們需要更大容量，更高密度的存儲器，同時性能（讀寫速度，擦寫次數，功耗等）也要更好。在一些特定產品領域，如嵌入式（主要是微控制器），新一代的存儲器也要考慮工藝制程的微縮，現在最新的邏輯工藝可以做到7nm，甚至5nm，那存儲器的工藝如何跟上，這方面譬如MRAM， RRAM都是比較適合的?！?br /> 責任編輯：tzh