第八屆電子設計創新大會（EDICON China 2020）將于10月13-14日在國家會議中心舉辦?；顒影ò儆鄨黾夹g會議和千余種產品、方案展示。技術會議包括全體會議、技術報告會和贊助商研習會，另外還有三個專場會議：是德科技教育論壇、ANSYS高頻高速仿真論壇、美國認證協會培訓。同期同地還將聯袂舉辦“化合物半導體先進應用大會”?？纯聪旅嬉话俣鄠€議題有沒有您感興趣的。

全體會議主旨演講

O-RAN或白盒子的神話與事實

5G/6G市場和技術概覽

5G演進–從標準走向現實

是德科技教育論壇

5G中的校準難題

為分析物聯網設備高效捕獲波形

低損耗介電材料測量

信號分析基礎

如何找到FPGA電源軌的飄忽不定的動態開關電流

學習如何設計5G/6G毫米波波束賦形系統

電磁干擾分析和故障查找

相位噪聲應用與測量基礎

網絡分析儀基礎

評估電-光-電連接系統的電氣性能

調制失真：PNA的殘留誤差矢量幅度

針對射頻和微波寬帶信號產生改進測量完整性

5G車聯網技術與測試

開放射頻接入網的前行之路

測試EV和EVSE充電接口的一致性和互操作性

ANSYS高頻高速仿真論壇

56G SerDes仿真最佳實踐

Ansys HFSS車載雷達仿真最佳實踐

Ansys Minerva的自動化DDR仿真管理實例

Ansys在5G天線仿真方面的關鍵技術更新

電子產品EMC仿真最佳實踐

美國認證協會（ACB）培訓

5G設備的FCC和RED要求

EMC合規測試最重要的事情

中國市場的無線產品認證

北美和歐洲的無線產品認證

化合物半導體先進應用大會（csac.compoundsemiconductorchina.net）

發展功能性襯底，助推氮化物半導體發展

實現5G的關鍵技術

用于寬禁帶半導體材料大規模生產的解決方案

InGaN量子點microLED技術

AlGaN基深紫外發光器件

碳化硅器件在充電樁中的應用

GaN和SiC功率器件測試解決方案

氮化鎵功率器件：新起點與新機遇

Soitec公司先進襯底技術

技術報告會

5G先進通信

5G相比4G，在V2X的射頻、協議、應用場景方面可改進參數

SBW> 200 MHz時線性化功率放大器

毫米波波束形成設備的設計與應用

放大器設計

射頻功率放大器的效率提升

輸入-輸出波形控制的連續逆F類功率放大器的研究

電磁兼容/電磁干擾

在暗室內模擬電磁環境的方法

前端設計

為中端和高端智能手機提供天線靈活性和高性能

使用天線增強器設計物聯網設備

封裝天線：從傳導到OTA，以及維持校準功率測量的要求

低功耗射頻與物聯網

智慧城市的物聯網和無線技術

毫米波技術

用于亞太赫茲大信號測量的功率控制和有源牽引的方法

電源完整性

IR Drop中的設計細節，包括載流量和電熱混合協同設計

電源電流評估和電熱協同設計

高引腳數芯片的先進去耦方案

雷達與天線

一種利用測向冗余解的平面雙站時差導航方法

用于汽車雷達系統仿真的多射線追蹤復雜環境建模

用于物聯網的雷達技術

射頻與微波設計

SSB相位噪聲，概念和應用

信號完整性

PCB測量中幾種去嵌入方法的比較

USB 3.1 Type-C連接的信號完整性和一致性測試

信號完整性測量中的校準和去嵌

基于DDRx的SI/PI聯合仿真

基于階躍響應計算的抖動分解新方法

多芯片集成DDR顆粒的設計與仿真實踐

仿真與建模

以Virtuoso為中心的高級系統設計解決方案（高速和射頻設計）

智能手機設計中的射頻前端精確仿真面臨的挑戰

現代通信系統中天線陣列與非線性射頻前端耦合效應的建模與仿真

納入射頻模塊后，對用于四合一服務的FTTH-GPON系統的物理性能進行評估

高速串行總線的布局細節仿真和測試

測試測量

5G OTA測量系統與核心技術

5G信號分析儀中信道估計和跟蹤算法分析

THz混頻器和轉換器的幅度和相位測量

UWB 802.15.4/4z技術和測試挑戰

一種具有數字預失真功能的新型調制快速負載牽引系統

一種智能電視2.4G WiFi吞吐量的測試方法

下一代高速高性能測試

克服為5G無線通信配置山頂頻譜監測系統的困難

基于可重構電路的電磁反演工具的仿真研究

輸出功率及其影響因素

贊助商研習會

5G功率放大器設計變化對射頻電路材料的需求

ADI新一代射頻集成收發芯片ADRV902X介紹

GaN射頻器件在5G基站中的應用

P-1dB是什么？確定放大器性能

為5G應用構建功率放大器設計框架

具備深背部通孔的砷化鎵集成無源器件的制作技術

功率放大器測試：從負載牽引到調制測試

基于ADI ADRV902X的5GSmall Cell RU的參考方案

如何根據應用評估和選擇合適的電纜組件

帶寬與無線通信系統

引領未來的GaN SiC射頻技術

新功率測量技術滿足當今苛刻的射頻和放大器的需求

最先進的毫米波GaN/Si MMIC

毫米波應用的技術趨勢和基材解決方案

電子束光刻技術制作0.15/0.1μm高功率GaAs pHEMT

用Virtuoso RF解決方案集成RFIC、RF模塊設計以及簽核流程

考慮射頻輸入功率的面聲波濾波器的仿真

針對現代無線應用的歐洲GaN/Si工藝

頻率高達50GHz的高效表面貼裝封裝

高效GaN多爾蒂功率放大器設計

原文標題：3天后百余場會議和千余種產品匯聚一堂助力復工復產

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