半導體產業發展至今經歷了三個階段:
第一代半導體材料以硅為代表;
第二代半導體材料砷化鎵也已經廣泛應用;
而以氮化鎵和碳化硅、氧化鋅、氧化鋁、金剛石等為代表的第三代半導體材料。
相較前兩代產品性能優勢顯著,憑借其高效率、高密度、高可靠性等優勢,在新能源汽車、通信以及家用電器等領域發揮重要作用,成為業內關注的新焦點。
一、產業概述
1.1 半導體硅(Si)材料的限制
上世紀五十年代以來,以硅(Si)材料為代表的第一代半導體材料引發了集成電路(IC)為核心的微電子領域迅速發展。然而,由于硅材料的帶隙較窄、電子遷移率和擊穿電場較低,Si 在光電子領域和高頻高功率器件方面的應用受到諸多限制。
1.2 半導體材料性能對比
隨著Si材料的瓶頸日益突出,以砷化鎵(GaAs)為代表的第二代半導體材料開始嶄露頭角,使半導體材料的應用進入光電子領域,尤其是在紅外激光器和高亮度的紅光二極管等方面。第三代半導體材料的興起,則是以氮化鎵(GaN)材料p型摻雜的突破為起點,以高亮度藍光發光二極管(LED)和藍光激光器(LD)的研制成功為標志,包括GaN、碳化硅(SiC)和氧化鋅(ZnO)等寬禁帶材料。
1.3 三代半導體材料應用情況
第三代半導體(以SiC和GaN為主)又稱寬禁帶半導體,禁帶寬度在2.2eV以上,具有高擊穿電場、高飽和電子速度、高熱導率、高電子密度、高遷移率等特點,逐步受到重視。SiC與GaN相比較,前者相對GaN發展更早一些,技術成熟度也更高一些;兩者有一個很大的區別是熱導率,這使得在高功率應用中,SiC占據統治地位;同時由于GaN具有更高的電子遷移率,因而能夠比SiC或Si具有更高的開關速度,在高頻率應用領域,GaN具備優勢。
二、SIC產業概況
2.1 SiC產業概述
SiC生產過程分為SiC單晶生長、外延層生長及器件制造三大步驟,對應的是產業鏈襯底、外延、器件與模組三大環節。
其中SiC襯底通常用Lely法制造,國際主流產品正從4英寸向6英寸過渡,且已經開發出8英寸導電型襯底產品。
SiC外延通常用化學氣相沉積(CVD)方法制造,根據不同的摻雜類型,分為n型、p型外延片。
SiC器件上,國際上600~1700VSiCSBD、MOSFET已經實現產業化,主流產品耐壓水平在1200V以下,封裝形式以TO封裝為主。
2.2 SiC 產業格局
全球 SiC產業格局呈現美國、歐洲、日本三足鼎立態勢。其中美國全球獨大,全球SiC產量的70%~80%來自美國公司,典型公司是Cree、Ⅱ-Ⅵ;歐洲擁有完整的SiC襯底、外延、器件以及應用產業鏈,典型公司是英飛凌、意法半導體等;日本是設備和模塊開發方面的領先者,典型公司是羅姆半導體、三菱電機、富士電機等。
2.3 SiC功率器件市場空間
根據Yole的預測,2017~2023年,SiC功率器件市場將以每年31%的復合增長率增長,2023年將超過15億美元;而SiC行業龍頭Cree則更為樂觀,其預計短期到2022年,SiC在電動車用市場空間將快速成長到24億美元,是2017年車用SiC整體收入(700萬美元)的342倍。
三、GaN產業概況
3.1 GaN 材料特性
GaN 材料與Si/SiC 相比有獨特優勢。GaN與SiC同屬于第三代寬禁帶半導體材料,相較于已經發展十多年的SiC,GaN功率器件是后進者,它擁有類似SiC性能優勢的寬禁帶材料,但擁有更大的成本控制潛力。與傳統Si材料相比,基于GaN材料制備的功率器件擁有更高的功率密度輸出,以及更高的能量轉換效率,并可以使系統小型化、輕量化,有效降低電力電子裝置的體積和重量,從而極大降低系統制作及生產成本。
3.2 GaN器件發展情況
基于GaN的LED自上世紀90年代開始大放異彩,目前已是LED的主流,自20世紀初以來,GaN功率器件已經逐步商業化。2010年,第一個GaN功率器件由IR投入市場,2014年以后,600V GaN HEMT已經成為GaN器件主流。2014年,行業首次在8英寸SiC上生長GaN器件。
3.3 GaN應用場景
GaN與SiC、Si材料各有其優勢領域,但是也有重疊的地方。GaN材料電子飽和漂移速率最高,適合高頻率應用場景,但是在高壓高功率場景不如SiC;隨著成本的下降,GaN有望在中低功率領域替代二極管、IGBT、MOSFET等硅基功率器件。以電壓來分,0~300V是Si材料占據優勢,600V以上是SiC占據優勢,300V~600V之間則是GaN材料的優勢領域。
3.4 GaN 產業鏈概述
GaN與SiC產業鏈類似,GaN器件產業鏈各環節依次為:GaN單晶襯底(或SiC、藍寶石、Si)→GaN材料外延→器件設計→器件制造。目前產業以IDM企業為主,但是設計與制造環節已經開始出現分工,如傳統硅晶圓代工廠臺積電開始提供GaN制程代工服務,國內的三安集成也有成熟的GaN制程代工服務。各環節相關企業來看,基本以歐美企業為主,中國企業已經有所涉足。
責任編輯:tzh
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