我國一站式IP定制芯片企業芯動科技（INNOSILICON）近日宣布：已完成全球首個基于中芯國際FinFET N+1先進工藝的芯片流片和測試，所有IP全自主國產，功能一次測試通過。 芯動科技擁有自主全系列高帶寬高性能計算IP技術，曾多次在芯片先進工藝上填補國內空白。自2019年開始，芯動科技在中芯國際“N+1”工藝尚待成熟的情況下，技術團隊全程攻堅克難，投入數千萬元進行優化設計，基于中芯國際“N+1”制程的首款芯片經過持續數月、連續多輪的測試迭代，成功助力中芯國際突破“N+1”工藝良率瓶頸，從而向著實現大規模量產邁出了堅實一步。

在今年3月底，中芯國際也表示，先進工藝正是中芯國際今年發展的重點，接下來該公司會轉向下一代工藝——N+1及N+2代FinFET工藝的研發。 2019年初，中芯國際投資額達100億美元，完成中芯國際南方FinFET晶圓廠的建設，該晶圓廠將用于領先的制造技術，并將在設備中投入使用。一旦該晶圓廠準備投入商業運營，中芯國際將能夠使用其14nm和N＋1 FinFET制造技術來提高芯片產量。 在2019年第四季度，中芯國際首次開始使用其14 nm FinFET制造工藝開始大規模生產芯片。由于只有很少的公司設法開發了依賴于此類晶體管的制造工藝，因此中芯國際的FinFET生產線比其他代工廠要小得多。中芯國際的前代制造技術為28nm，因此14nm工藝切實提高了晶體管的密度，提高了性能，并降低了功耗，這自然使該公司能夠生產出更復雜，更昂貴的芯片，而這些芯片原本可以外包給更大的競爭對手，加之國內對少數公司開發了依賴于此類晶體管的制造工藝，中心國際的芯片競爭優勢并不顯著。 從那時起，該公司一直在努力開發其下一個主要節點，稱為N +1。該技術具有與競爭性7 nm工藝技術相當的某些功能，但中芯國際希望明確表明N + 1不是7nm制程工藝。 與中芯國際的14 nm制程技術相比，N + 1將功耗降低了57％，性能提高了20％，邏輯面積減少了63％。盡管此過程使芯片設計人員能夠使SoC變得更小，更節能，但適度的性能改進無法使N + 1與競爭對手的7nm技術及其派生產品競爭。因此，中芯國際將其N + 1定位為便宜的芯片技術。 中芯國際發言人說：“我們對N + 1的目標是低成本應用，與7nm相比，它可以將成本降低約10％。因此，這是一個非常特殊的應用。” 值得一提的是，中芯國際的N + 1沒有使用極端紫外光刻（EUVL），因此制造商無需從ASML購買其他昂貴的設備。但這并不是說該公司尚未考慮EUV（該公司確實獲得了EUV逐步掃描系統），但尚未安裝。據悉，中芯國際的N + 2將使用EUV。

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原文標題：全自主國產 | 基于中芯國際N+1先進工藝的芯片流片和測試完成

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