AMD Ryzen 5000 系列處理器將于下月開售,隨著上市時間的臨近,越來越多的偷跑成績流出。爆料達人 @APISAK 在 Geekbench 中找到了 R9 5900X 和 R9 5950X 兩款旗艦型號的跑分。
R9 5950X
如上圖所示,16 核 32 線程的 R9 5950X 達到了單核 1575 分,多核 13605 分。
R9 5900X
AMD 號稱最強游戲 CPU 的 R9 5900X 單核跑分更高達 1605 分,多核 12869 分。
下圖是Geekbench 官方的單核、多核跑分榜單,供大家參考。
聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。
舉報投訴
-
處理器
+關注
關注
68文章
19329瀏覽量
230136 -
amd
+關注
關注
25文章
5470瀏覽量
134255
發布評論請先 登錄
相關推薦
用TPA3110來驅動10W喇叭,輸出端測到的波形始終沒有變化的原因?
你好,我們現在用TPA3110來驅動10W喇叭,目標是通過R11和R9將功放輸出功率調高。
當前狀態,測得V_PLIMIT=1.24V,然后我嘗試將 R9更換為 3K 測得V_PLIMIT
發表于 10-17 08:27
請問RT-Thread有用到寄存器R9嗎?
想把RT-Thread改為位置無關程序,但是位置無關程序需要用到R9顯式指定,如果RT-Thread操作系統中用到了R9,是不是就沒有辦法把RT-Thread修改為位置無關程序了?
發表于 09-27 10:00
設計的差分放大電路,輸出的電壓和理論值差別好大,為什么?
下圖是我設計的電路,本意是通過R9采樣電阻取得電壓,并通過U5組成的電壓跟隨器緩沖后,最后由U3構成的差分放大電路放大最初取得的電壓差值。但實際樣品做出來之后,U3的差分放大電路輸出的電壓和理論值
發表于 08-29 07:21
使用AMC1200獲取R11兩端的電壓差,上電后J13未接負載,R9電阻就冒煙了的原因?
我的電路圖如下,使用AMC1200獲取R11兩端的電壓差,我上電后,J13未接負載,我的R9電阻就冒煙了。
是不是我這個使用方法不對?有推薦的電路?這個電路是用來采集汽車交流充電樁上的CP信號電壓值?
發表于 08-06 07:11
貼片電容X7R有哪些常見的封裝尺寸?
X7R電容器被稱為溫度穩定型陶瓷電容器。 溫度從-55℃變為+125℃時,容量變化為15%,此時的電容器容量變化需要留心為非線性。 X7R電容器的容量因電壓和頻率而異,它也隨著時間的推移而變化,每隔
夏普AQUOS R9搭載高通驍龍7+芯片,即將上市
據悉,AQUOS R9的設計源自于“miyake design”(三宅設計),運用了自由曲線和不規則結構。顯示屏規格上,該款手機選用了6.5英寸Pro IGZO OLED直屏,分辨率達到了2340 x 1080,具備1-240Hz的可變刷新率且峰值亮度高達1500尼特。
貼片電容X5R材質和X7R材質有什么不一樣
貼片電容X5R材質和X7R材質在多個方面存在顯著的不同。 1、容量和介質損耗:X7R材質的電容器具有較高的容量和較低的介質損耗,這使得它在需要大容量和高穩定性的應用中表現優異。而X5R
三星S24 FE手機已確認,配備12GB LPDDR5X RAM
據悉,此前網站 GalaxyClub 曾報道,三星正研發代號為 R12 的新款手機。回顧前幾代 FE 系列手機,Galaxy S20 FE、S21 FE 和 S23 FE 的代號依次為 R8、R9
貼片電容X7R材質的詳細解讀
貼片電容X7R電容器被稱為溫度穩定型的陶瓷電容器。當溫度在-55℃到+125℃時其容量變化為?15%,需要注意的是此時電容器容量變化是非線性的。 X7R?電容器的容量在不同的電壓和頻率條件下
stm32l4r9i-disco ARGB圖片不能正確顯示怎么解決?
用stm32l4r9i-disco開發,使用板子上帶的390 x 390 DSI屏顯示ARGB8888圖片。具體用到了 DMA2D,GFXMMU和LTDC,但是顯示有問題。圖片一分為二,而且是從屏幕中間開始顯示。請問各位有沒有什
發表于 03-19 07:17
高通Snapdragon X Elite跑分泄露,Arm筆記本處理器的全面反攻開始
通Snapdragon X Elite展示了優異的單核和多核性能表現。其單核跑分2574,超過AMD
全球Chiplet市場規模已達到31億美元
AMD也在其Ryzen9 5900X處理器中采用了小芯片構架,并已證明了其性能。這種技術的應用預計將進一步推動半導體產業生態鏈的重構。
評論