華虹半導體最新推出90nm 超低漏電嵌入式閃存工藝平臺,助力大容量MCU解決方案
全球領先的特色工藝純晶圓代工企業——華虹半導體有限公司近日宣布,最新推出
90納米超低漏電(Ultra-Low-Leakage,ULL)嵌入式閃存(eFlash)和電可擦可編程只讀存儲器(EEPROM)工藝平臺,滿足大容量微控制器(MCU)的需求。該工藝平臺作為華虹半導體 0.11微米超低漏電技術的延續,以更低的功耗和成本為客戶提供具有競爭力的差異化解決方案,適用于物聯網、可穿戴式設備、工業及汽車電子等方面的應用。
華虹半導體新近推出的 90 納米超低漏電嵌入式閃存工藝平臺 1.5V核心 N 型和 P 型 MOS 晶體管漏電達到 0.2pA/μm,可有效延長 MCU 設備的待機時間。該平臺的嵌入式非易失性存儲器(eNVM,Embedded Non-Volatile Memory)IP 具有 10 萬至 50 萬次擦寫次數、讀取速度達 30ns 等獨特優勢。同時邏輯單元庫集成度高,達到 400K
gate/mm2 以上,能夠幫助客戶多方面縮小芯片面積。
該工藝平臺的最大優勢是集成了公司自有專利的分離柵 NORD 嵌入式閃存技術,在 90 納米工藝下擁有目前業界最小元胞尺寸和面積最小的嵌入式 NORflashIP,而且具有光罩層數少的優勢,幫助客戶進一步降低MCU、尤其是大容量 MCU 產品的制造成本。該平臺同時支持射頻(RF)、eFlash 和 EEPROM。
華虹半導體執行副總裁孔蔚然博士表示:“公司致力于差異化技術的創新和不斷優化,為客戶提供市場急需的、成本效益高的工藝和技術服務。在精進 8 英寸平臺的同時,加快 12 英寸產線的產能擴充和技術研發。物聯網、汽車電子是 MCU應用的增量市場, 此次 90納米超低漏電嵌入式閃存工藝平臺的推出,進一步擴大了華虹半導體 MCU客戶群在超低功耗的市場應用領域的代工選擇空間。”(來源:華虹宏力)
責任編輯:xj
原文標題:華虹半導體最新推出 90 nm 超低漏電嵌入式閃存工藝平臺,助力大容量 MCU 解決方案
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