本應用筆記介紹了如何在不使用 AMBA 的情況下圍繞 ARM7TDM 構建典型的 SRAM 存儲器系統。有許多可能的方法來做到這一點。應該使用不同的方法，這取決于內存系統的大小（寬度）、要使用的內存類型以及是在片上還是片外。在決定要使用的內存系統時，必須平衡成本和系統性能。*簡介*
本應用筆記描述了如何在不使用 AMBA 的情況下圍繞 ARM7TDM 構建典型的 SRAM 存儲器系統。

有許多可能的方法來做到這一點。應該使用不同的方法，這取決于內存系統的大小（寬度）、要使用的內存類型以及是片上還是片外。在決定要使用的內存系統時，必須平衡成本和系統性能。

本應用筆記分為兩個主要部分。
* ARM7TDM 總線接口的描述。描述了總線接口的所有主要方面，從時鐘策略、總線配置和時序到內存訪問控制。
* 一個詳細的例子，展示了如何設計一個典型的內存系統。該示例假設一個小端系統，僅使用 SRAM 和 ROM。

ARM 開發了一種稱為 AMBA 的總線架構，使用該架構將提高可擴展性，極大地簡化系統設計，并有助于測試——尤其是在需要多個總線主控的應用中。

ARM 建議使用 AMBA 來設計基于 ARM 的系統。然而，本應用筆記解釋了如何在不使用 AMBA 方法的情況下將 ARM7TDM 連接到存儲器系統。

*ARM7TDM 總線基礎知識*

*_Bus Clocking_*

有兩個相關信號，MCLK 和 nWAIT。MCLK 對正常操作模式下的所有處理器活動進行計時。ARM 的靜態特性允許外部電路為慢速外設訪問延長時鐘的任一相位。一個典型的方案是使用一個帶有 40 MHz 時鐘的外部 PAL，該時鐘生成一個 20 MHz 時鐘，并根據需要進行擴展。這種技術在某些設計中可能難以使用。這種相位拉伸如圖 1 所示。

在系統中使用高頻時鐘的一種更簡單、更常見的替代方法是將 nWAIT 與 MCLK 結合使用。nWAIT 在內部與 MCLK 進行 AND 運算，因此為避免截斷階段 2（高）周期，nWAIT 只能在時鐘低周期（階段 1）期間安全更改。因此，nWAIT 技術只能用于延長時鐘低電平周期。這種技術如圖 2 所示。

編輯：hfy