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低噪聲放大器 (LNA) 的設備物理和參數特性

電子設計 ? 來源: Avago 技術 ? 作者: Avago 技術 ? 2021-06-04 18:06 ? 次閱讀

無線接收器可以恢復的最弱信號由其靈敏度定義。顧名思義,低噪聲放大器 (LNA) 通過降低級聯噪聲系數來提高接收器靈敏度。Friis 方程顯示接收器鏈中第一級放大級的噪聲系數 (F1)。

介紹

無線接收器可以恢復的最弱信號由其靈敏度定義。

Rx_sen (dBm) = -174 + 10log BW + SNR + F

其中,BW 是以 Hz 為單位的帶寬,SNR 是所需的信噪比,F 是系統噪聲系數。

顧名思義,低噪聲放大器 (LNA) 通過降低級聯噪聲系數來提高接收器靈敏度。Friis 方程表明,
接收器鏈中第 1 個放大級(即 LNA)的噪聲系數(F1)起主導作用,后續級(即 F2、F3 等)的噪聲性能較小重要性。

pYYBAGC5-aCAVTPlAAASEuu756E557.png

其中,Gn 是接收鏈中第 n 級的增益。

蜂窩基站 (BTS) 和微波中繼分離了位于天線塔上方的 LNA 級,以減輕預 LNA 電纜損耗導致的 NF 退化。在 BTS 架構中,LNA 級之前是用于雙工
共用天線的發射-接收 (Tx-Rx) 雙工器和用于防止帶外阻塞或減敏的干擾濾波器。然而,雙工器和濾波器的損耗必須最小化,因為它們發生在放大之前 [2]。因此,具有額外噪聲性能余量的 LNA 將放寬雙工器濾波器的損耗要求。

其他關鍵性能參數包括高增益以克服連接安裝在塔上的 LNA 和地面無線電棚的長電纜中的損耗,以及高線性度,因為由于與其他無線設備共享站點,塔附近的 RF 頻譜可能非常擁擠
發射器。

設備物理和參數特性

8 引腳四方扁平無引線 (QFN,2 x 2 x 0.75mm) 封裝微波單片集成電路 (MMIC) 由一個共源共柵放大器和一個有源偏置穩壓器組成。共源共柵拓撲具有高增益、電流重用和更好的反向隔離的優點。0.25 ?m 特征尺寸 GaAs 增強模式偽晶高電子遷移率晶體管 (ePHEMT) 工藝 [3] 具有高增益積帶寬,fT > 30 GHz,允許目標增益(在 1.9 GHz 時 >17 dB ) 在一個級聯中實現。通過將金屬厚度加倍于之前的工藝迭代,可以最大限度地減少互連中產生的約翰遜噪聲。

偏置調節器允許通過改變 RBIAS 或外部施加的電壓 VBIAS 來調整 LNA 靜態電流 (Ids)(圖 1b)。穩壓器的低電流驅動要求 (IBIAS ≤ 1 mA) 與大多數 CMOS 系列兼容,并且可以直接從微控制器切換 LNA,用于時域多路復用 (TDM) 應用。在電池供電的應用中,可調偏置也可用于權衡線性度以節省功耗。Ids溫度穩定性是由穩壓器和LNA經過類似處理實現的;即 VBIAS 和 VGS 相互“鏡像”以補償熱漂移 [4] 和晶圓間跨導變化。

poYBAGC5-a6ADnq3AACCyizKee0138.png

性能評估電路和組裝

為了評估設備的射頻性能,設計并制造了一個代表基站應用的 1.9 GHz LNA。最少數量的外部組件(C1-L1 和 C2-L2)提供了在芯片級集成不可行的匹配和偏置功能(圖 2a)。除了 DC 阻斷和 RF 扼流功能之外,C1-L1 還會在低于工作頻率 (f0) 時降低不需要的增益。應為高于 f0 的自諧振頻率 (SRF) 選擇 L1 和 L2,以實現有效扼流。

電源去耦電容器 C3-C6 將 AC 信號分流到地,從而防止通過偏置線產生無意的輸出-輸入反饋。出于低頻穩定性的考慮,C3 的尺寸設計為在 f0 處的電抗 (X) 約為 8 歐姆。因此,在低頻時,即 f << f0,C3 表現為開路,R1(50 歐姆)直接與 L1 串聯,為器件輸入(引腳 2)提供低反射終端。當 LNA 在 TDM 應用中通過 VBIAS 切換時,C5 可以更改為較小的值或完全消除以提高響應時間。在 C5 中使用 10 pF 測得的開啟時間約為 0.6 uS。

印刷電路板 (PCB) 的尺寸為 21.5 x 18 x 1.4 毫米,在 10 密耳羅杰斯 RO4350 上使用具有共面接地的微帶 - 一種中等價位的材料,具有適中的射頻性能,與 FR4 工藝兼容 [5] ]。將 1.2 毫米厚的低成本 FR4 材料粘合到 RO4350 地平面上以進行加固。RF 連接通過邊緣發射 SMA 到微帶轉換(Johnson Component P/N 142-0701-856)進行,而直流電源通過 2 針直 PCB 接頭連接。除了 C5 和 C6 由于電容大而為 0805 尺寸外,所有其他 RLC 組件均為 0402 尺寸。組件的總面積約為 8 x 10 mm2。

作為 LNA 電路設計的準備工作,MMIC 在定制設計的直通反射線 (TRL) 夾具上進行了表征,該夾具由預期原型 LNA 使用的相同 PCB 材料 (10-mil RO4350) 形成。在去嵌入夾具效應后,器件散射參數 (s2p) 然后被導入到安捷倫科技 ADS2006A 軟件中進行電路仿真。創建了兩個設計迭代 - 一個標準版本和一個低輸入回波損耗 (IRL < -20 dB) 版本,后者在 IRL 中權衡了噪聲系數 (F)(圖 3)。

在 LNA 電路模型中,RLC 組件使用簡化的等效電路而不是制造商提供的 s2p 數據進行建模;主要原因是 s2p 數據缺乏即時更改組件值的便利性,其次,它們的頻率限制為 6 GHz(可以模擬帶外穩定性)

編輯:hfy

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