本文是Allegro霍爾效應(yīng)傳感器集成電路的技術(shù)文檔，這些器件的制造方式，以及Allegro如何使用霍爾效應(yīng)原理開發(fā)這些器件。它包括霍爾效應(yīng)的基本物理原理及其應(yīng)用，霍爾IC結(jié)構(gòu)和霍爾器件封裝。

霍爾效應(yīng)原理

霍爾效應(yīng)以埃德溫·霍爾（Edwin Hall）的名字命名，埃德溫·霍爾（Edwin Hall）在1879年發(fā)現(xiàn)，當(dāng)磁場沿垂直于板平面的方向穿過板時，在載流導(dǎo)電板上會產(chǎn)生電壓電勢，如下圖所示。圖1。

霍爾效應(yīng)背后的基本物理原理是洛倫茲力，如圖1的上圖所示。當(dāng)電子沿垂直于外加磁場B的方向v移動時，它會受到力F的作用。洛倫茲力，既垂直于外加磁場，又垂直于電流。

圖1霍爾效應(yīng)傳感器IC霍爾效應(yīng)和洛倫茲力。藍(lán)色箭頭B代表垂直穿過導(dǎo)電板的磁場。

響應(yīng)于該力，電子沿著導(dǎo)體沿彎曲路徑移動，并且在板上形成凈電荷，因此產(chǎn)生了電壓。該霍爾電壓VH遵循以下公式，該公式表明VHis與所施加的場強(qiáng)成正比，并且VH的極性由所施加的磁場的北向或南向確定。通過該特性，霍爾效應(yīng)被用作磁傳感器。

由于霍爾效應(yīng)同時適用于導(dǎo)電板和半導(dǎo)體板，因此Allegro半導(dǎo)體集成電路集成了霍爾元件。通過在完全集成的單片IC中使用霍爾效應(yīng)，可以測量磁場強(qiáng)度并創(chuàng)建用于許多不同應(yīng)用的大量霍爾效應(yīng)集成電路。

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