本應用筆記介紹了用于實現MOST節點的Avago Technologies的AFBR-1012 / -1013和AFBR-2012 / -2013的電氣應用電路。此外，描述了用于表征的應用板。它還將簡要概述在MOST節點的應用電路中實現的設計和布局規則。

設計和布局規則

VCC和GND連接
100nF旁路電容器C1和C3必須盡可能靠近Rx和Tx的引腳VCC和GND之間放置。建議使用陶瓷蓋。同樣，電容器C2和C4必須盡可能靠近放置。從包裝的底部開始測量，設備的引線不得超過10.5mm。建議使用低ESR的鉭電容。

鐵氧體磁珠L1和L2必須連接到Rx和Tx的電源以降低EMC。應當使用在100 MHz時阻抗為1 kOhm且最大直流電阻（DCR）為0.7歐姆的片狀鐵氧體磁珠（例如Murata BLM11A102S或Würth742 792 14）。不要將發射器和接收器的電源線連接在一起，并且只能使用一個鐵氧體磁珠。

建議使用Y型結構進行接地。發送器，接收器和屏蔽層的接地層應分開，并應在旁路電容器后面連接在一起。

數據輸入和輸出

Rx_Data線的容量以及網絡接口控制器（NIC）的輸入應小于10pF。

Rx_Data和Tx_Data線路中的串行電阻降低了EMC。Rx_Data線的電阻器R1必須放置在Rx附近。Tx_Data線的電阻器R2必須放置在NIC附近。該值取決于FOT與NIC之間的距離，并且可以在最大150 Ohm的范圍內。不建議使用更高的電阻值。Rx_Data信號的時序參數tr，tf，tPWV，tDDJ和tUJ取決于電阻器R1和線路容量。確保電阻和電容不要太大，否則不能保證數據手冊的規格。

控制引腳

Tx的光輸出功率（Popt）可由引腳Rext控制。Popt取決于電阻器R3和R4。如果電阻增加，則Popt會減少。電阻器R3和R4的范圍應在27kOhm和33kOhm之間。所建議的具有–3dB衰減的晶體管T1和T2的電路不是強制性的。也可以使用能夠使Rext值加倍的任何其他電路。

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