在线观看www成人影院-在线观看www日本免费网站-在线观看www视频-在线观看操-欧美18在线-欧美1级

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

高級封裝技術(shù):創(chuàng)建接近單片互連性能的封裝上互連

電子設(shè)計(jì) ? 來源:EDN ? 作者:RAVI MAHAJAN ? 2021-04-01 15:06 ? 次閱讀

在過去的幾年中,已經(jīng)發(fā)布了許多涉及用于半導(dǎo)體器件的高級封裝體系結(jié)構(gòu)的公告。這些架構(gòu)為產(chǎn)品設(shè)計(jì)人員提供了極大的靈活性,使其能夠異構(gòu)集成在封裝上不同硅工藝上優(yōu)化的不同IP,從而顯著提高性能。

對高級封裝的最近興趣是由對增加封裝上帶寬的需求,對來自多個代工廠的各種IP進(jìn)行集成的需求以及對提高產(chǎn)量彈性的需求所驅(qū)動的。有機(jī)封裝是出色的異構(gòu)集成主流平臺,可在緊湊的外形尺寸中實(shí)現(xiàn)空間轉(zhuǎn)換,并在物理上實(shí)現(xiàn)了封裝上的互連(電源效率高,帶寬高)(圖1)。

圖1英特爾Agilex FPGA提供了一個封裝上異構(gòu)集成的示例。資料來源:英特爾

先進(jìn)封裝的目標(biāo)之一是開發(fā)越來越密集的橫向和縱向互連,以使用這些互連創(chuàng)建的管芯到管芯鏈接具有最小的功率損耗和延遲,同時又能確保信號完整性。本質(zhì)上,重點(diǎn)是創(chuàng)建接近單片互連性能的封裝上互連,并且在封裝上創(chuàng)建的復(fù)合設(shè)備的行為就像一個虛擬的單片實(shí)體。

2D和3D架構(gòu)

封裝上互連以及具有這些互連的更廣泛的封裝體系結(jié)構(gòu)可以在封裝的xy平面中分為2D和3D(圖2)。

o4YBAGBlbtOAHJC-AAI86ePDHDc645.png

圖22D和3D架構(gòu)的互連術(shù)語。資料來源:電子封裝協(xié)會,IEEE

2D架構(gòu)定義為兩個或更多有源硅器件并排放置在封裝上并在封裝上互連的架構(gòu)。如果互連是“增強(qiáng)型的”(互連密度比主流有機(jī)封裝更高,并且可以使用有機(jī)介質(zhì)完成),則該體系結(jié)構(gòu)還可以進(jìn)一步細(xì)分為2D有機(jī)(2DO)體系結(jié)構(gòu)。同樣,如果增強(qiáng)型體系結(jié)構(gòu)使用無機(jī)介質(zhì)(硅,玻璃或陶瓷中介層或橋接器),則該體系結(jié)構(gòu)進(jìn)一步細(xì)分為2DS體系結(jié)構(gòu)。

3D架構(gòu)被定義為兩個或更多有源硅器件在沒有封裝代理的情況下堆疊并互連的架構(gòu)。在此定義中,短語“在沒有封裝代理的情況下互連”僅表示有源硅片之間的互連不通過封裝,因此它們的設(shè)計(jì)和性能不直接取決于封裝體系結(jié)構(gòu)。

互連密度

物理互連密度可以通過兩個關(guān)鍵指標(biāo)來捕獲(圖3)。線密度表示從芯片邊緣向外逃逸的導(dǎo)線數(shù)量,以進(jìn)行側(cè)向的芯片到芯片互連,而面密度表示用于形成垂直連接的凸塊數(shù)量。

o4YBAGBlbumAd_sMAALpdn-1pj4903.png

圖3可以通過這兩個關(guān)鍵指標(biāo)來捕獲線性和區(qū)域互連密度。資料來源:英特爾

圖4和圖5描述了不同包裝技術(shù)的線性和平面密度的包絡(luò)線。如兩個圖所示,使用不同的互連體系結(jié)構(gòu),可以實(shí)現(xiàn)廣泛的互連密度。通常,使用硅后端布線的技術(shù)具有最高的布線密度,因?yàn)樗鼈兲峁┝烁?xì),間距更緊密的布線(圖4)。

o4YBAGBlbwCAHaRmAAHBIAmQwQQ783.png

圖4該圖顯示了不同高級封裝體系結(jié)構(gòu)的線性互連密度包絡(luò)。資料來源:英特爾

這些技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)并行,寬且緩慢的芯片到芯片鏈接,并且需要特別注意鏈接設(shè)計(jì),以解決布線密度增加帶來的信號完整性問題。隨著凸點(diǎn)間距的縮小,平面的凸點(diǎn)密度與凸點(diǎn)間距的平方的倒數(shù)成正比(圖5)。

o4YBAGBlbw6AHO1zAAJu2s41jXU838.png

圖5該圖顯示了面積互連密度與凸塊間距和架構(gòu)的關(guān)系。資料來源:英特爾

如今,大多數(shù)面積的芯片到芯片和芯片到封裝的互連都使用焊料來形成接頭。隨著凸點(diǎn)間距的縮小,從焊料到使用Cu-Cu互連(約20-25μm)將有過渡,以實(shí)現(xiàn)持續(xù)的互連密度縮放。因此,工業(yè)上的重點(diǎn)是增加Cu-Cu互連的技術(shù)范圍。

互連密度縮放的一個常見的根本原因是需要增加封裝上裸片到裸片鏈路的帶寬。帶寬縮放速率可用于定義互連縮放路線圖。根據(jù)《異構(gòu)集成路線圖2019年版》,互連技術(shù)擴(kuò)展路線圖可實(shí)現(xiàn)鏈路帶寬的世代加倍。

圖6顯示了用于異構(gòu)集成的高級包裝體系結(jié)構(gòu)的一些示例。

圖6一些先進(jìn)的軟件包體系結(jié)構(gòu)在所有三個維度上提供了更多的分區(qū)機(jī)會和規(guī)模擴(kuò)展。資料來源:英特爾

軟件包與系統(tǒng)設(shè)計(jì)師之間的協(xié)作

隨著高級包裝技術(shù)的發(fā)展,它們將通過異構(gòu)集成提供更高的包裝性能,從而使性能越來越高的系統(tǒng)成為可能。通過加強(qiáng)包裝和系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員之間的協(xié)作伙伴關(guān)系,可以更好地實(shí)現(xiàn)此系統(tǒng)性能。

下面列出了一些合作伙伴關(guān)系將如何幫助最大化系統(tǒng)性能的示例:

系統(tǒng)板的功能,材料和設(shè)計(jì)必須不斷發(fā)展以支持更高的速度和更高的帶寬信令。封裝和系統(tǒng)協(xié)同設(shè)計(jì)方法可創(chuàng)建功耗最大化,成本優(yōu)化的系統(tǒng)鏈接,從而最大程度地提高帶寬,從而有助于最大化系統(tǒng)性能。

可以預(yù)見,除了電氣鏈路之外,將來還將需要光子學(xué)和無線鏈路以最大程度地?cái)U(kuò)大覆蓋范圍和帶寬。開發(fā)和擴(kuò)散這些不同的信令技術(shù)將需要協(xié)作以實(shí)現(xiàn)標(biāo)準(zhǔn)化的模塊化可擴(kuò)展性。

將需要專注于開發(fā)有效的系統(tǒng)電源傳輸網(wǎng)絡(luò)

符合系統(tǒng)尺寸和可靠性要求的整體系統(tǒng)冷卻方法將確保系統(tǒng)冷卻能力不會限制系統(tǒng)性能。

模塊化和可伸縮性將需要在系統(tǒng)級別使用的各種連接器技術(shù)中構(gòu)建。

總之,當(dāng)今有許多先進(jìn)的包裝技術(shù)可用來提高包裝上異構(gòu)集成IP的性能。這些技術(shù)著重于擴(kuò)展互連密度,以幫助擴(kuò)展封裝上芯片對芯片鏈接之間的帶寬并提高性能。軟件包與系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員之間的緊密合作,以優(yōu)化軟件包系統(tǒng)集成,將有助于最大化系統(tǒng)性能。

RAVI MAHAJAN,英特爾研究員,是技術(shù)發(fā)展的組裝和測試未來技術(shù)的英特爾共同主任。
編輯:hfy

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
收藏 人收藏

    評論

    相關(guān)推薦

    英特爾IEDM 2024大曬封裝、晶體管、互連等領(lǐng)域技術(shù)突破

    芯東西12月16日報(bào)道,在IEDM 2024(2024年IEEE國際電子器件會議)上,英特爾代工展示了包括先進(jìn)封裝、晶體管微縮、互連縮放等在內(nèi)的多項(xiàng)技術(shù)突破,以助力推動半導(dǎo)體行業(yè)在下一個十年及更長
    的頭像 發(fā)表于 12-25 09:52 ?203次閱讀
    英特爾IEDM 2024大曬<b class='flag-5'>封裝</b>、晶體管、<b class='flag-5'>互連</b>等領(lǐng)域<b class='flag-5'>技術(shù)</b>突破

    研究透視:芯片-互連材料

    ,需要更多類型的連接。這一綜述,通過關(guān)注材料的載流子平均自由程和內(nèi)聚能,回顧了開發(fā)更好互連的策略。 摘 要 在芯片上集成更多器件的半導(dǎo)體技術(shù),目前達(dá)到了器件單獨(dú)縮放,已經(jīng)不再是提高器件性能的有效方式。問題在于連接晶
    的頭像 發(fā)表于 12-18 13:49 ?353次閱讀
    研究透視:芯片-<b class='flag-5'>互連</b>材料

    一文了解晶圓級封裝中的垂直互連結(jié)構(gòu)

    Molding Via,TMV)、玻璃通孔(Through Glass Via,TGV)。這3 種垂直互連結(jié)構(gòu)也是業(yè)內(nèi)公認(rèn)的推進(jìn)三維集成封裝的關(guān)鍵技術(shù)
    的頭像 發(fā)表于 11-24 11:47 ?501次閱讀
    一文了解晶圓級<b class='flag-5'>封裝</b>中的垂直<b class='flag-5'>互連</b>結(jié)構(gòu)

    先進(jìn)封裝互連工藝凸塊、RDL、TSV、混合鍵合的新進(jìn)展

    談一談先進(jìn)封裝中的互連工藝,包括凸塊、RDL、TSV、混合鍵合,有哪些新進(jìn)展?可以說,互連工藝是先進(jìn)封裝的關(guān)鍵技術(shù)之一。在市場需求的推動下,
    的頭像 發(fā)表于 11-21 10:14 ?1095次閱讀
    先進(jìn)<b class='flag-5'>封裝</b>中<b class='flag-5'>互連</b>工藝凸塊、RDL、TSV、混合鍵合的新進(jìn)展

    探索倒裝芯片互連:從原理到未來的全面剖析

    在半導(dǎo)體行業(yè),倒裝芯片(Flip Chip)技術(shù)以其高密度、高性能和短互連路徑等優(yōu)勢,逐漸成為高性能集成電路(IC)封裝的主流選擇。倒裝芯片
    的頭像 發(fā)表于 11-18 11:41 ?601次閱讀
    探索倒裝芯片<b class='flag-5'>互連</b>:從原理到未來的全面剖析

    柔性基板異質(zhì)集成系統(tǒng)的印刷互連技術(shù)

    柔性基板上異質(zhì)集成在近些年被開發(fā)應(yīng)用于高性能和柔性需求的應(yīng)用場景。可靠的2D和3D布局對于系統(tǒng)的有效性至關(guān)重要。在采用傳統(tǒng)的互連技術(shù)又面臨機(jī)械以及熱性能的不兼容。例如超薄芯片太脆而難以
    的頭像 發(fā)表于 11-05 11:23 ?353次閱讀
    柔性基板異質(zhì)集成系統(tǒng)的印刷<b class='flag-5'>互連</b><b class='flag-5'>技術(shù)</b>

    硅通孔三維互連與集成技術(shù)

    本文報(bào)道了硅通孔三維互連技術(shù)的核心工藝以及基于TSV形成的眾多先進(jìn)封裝集成技術(shù)。形成TSV主要有Via-First、Via-Middle、Via-Last 3大
    的頭像 發(fā)表于 11-01 11:08 ?2297次閱讀
    硅通孔三維<b class='flag-5'>互連</b>與集成<b class='flag-5'>技術(shù)</b>

    芯片和封裝互連技術(shù)的最新進(jìn)展

    近年來,計(jì)算領(lǐng)域發(fā)生了巨大變化,通信已成為系統(tǒng)性能的主要瓶頸,而非計(jì)算本身。這一轉(zhuǎn)變使互連技術(shù) - 即實(shí)現(xiàn)計(jì)算系統(tǒng)各組件之間數(shù)據(jù)交換的通道 - 成為計(jì)算機(jī)架構(gòu)創(chuàng)新的焦點(diǎn)。本文探討了通用、專用和量子計(jì)算系統(tǒng)中芯片和
    的頭像 發(fā)表于 10-28 09:50 ?490次閱讀

    高密度互連,引爆后摩爾技術(shù)革命

    領(lǐng)域中正成為新的創(chuàng)新焦點(diǎn),引領(lǐng)著超集成高密度互連技術(shù)的飛躍。通過持續(xù)的技術(shù)創(chuàng)新實(shí)現(xiàn)高密度互連,將是推動先進(jìn)封裝
    的頭像 發(fā)表于 10-18 17:57 ?305次閱讀
    高密度<b class='flag-5'>互連</b>,引爆后摩爾<b class='flag-5'>技術(shù)</b>革命

    TE推出AMPMODU互連系統(tǒng)產(chǎn)品特色是什么?-赫聯(lián)電子

    對細(xì)間距連接器的需求。它設(shè)計(jì)為兼具可靠性和經(jīng)濟(jì)性,可滿足各種封裝互連要求。種類繁多的元件和應(yīng)用可能性,加上小巧緊湊的占用面積,使其不僅幫助您節(jié)省空間,而且也能進(jìn)行高質(zhì)量的設(shè)計(jì)。這使 AMPMODU
    發(fā)表于 09-27 17:09

    TE推出的AMPMODU互連系統(tǒng)產(chǎn)品特色-赫聯(lián)電子

    對細(xì)間距連接器的需求。它設(shè)計(jì)為兼具可靠性和經(jīng)濟(jì)性,可滿足各種封裝互連要求。種類繁多的元件和應(yīng)用可能性,加上小巧緊湊的占用面積,使其不僅幫助您節(jié)省空間,而且也能進(jìn)行高質(zhì)量的設(shè)計(jì)。這使 AMPMODU
    發(fā)表于 07-08 11:27

    互連,尚能飯否?

    共讀好書 隨著銅的有效性不斷降低,芯片制造商對新互連技術(shù)的關(guān)注度正在不斷提高,為未來節(jié)點(diǎn)和先進(jìn)封裝性能提升和減少熱量的重大轉(zhuǎn)變奠定了基礎(chǔ)。 1997 年引入銅
    的頭像 發(fā)表于 07-02 08:40 ?513次閱讀
    銅<b class='flag-5'>互連</b>,尚能飯否?

    無壓封裝的力量:納米銀技術(shù)引領(lǐng)未來電子

    隨著科技的飛速發(fā)展,電子設(shè)備的性能和功能日益強(qiáng)大,對封裝技術(shù)的要求也越來越高。納米銀無壓封裝互連技術(shù)
    的頭像 發(fā)表于 05-16 10:12 ?798次閱讀
    無壓<b class='flag-5'>封裝</b>的力量:納米銀<b class='flag-5'>技術(shù)</b>引領(lǐng)未來電子

    日月光推出先進(jìn)封裝平臺新技術(shù):微間距芯粒互連技術(shù)

     這項(xiàng)技術(shù)采用新型金屬疊層于微凸塊之上,達(dá)成20μm(2*10-5米)芯片與晶圓之間的極致間距,較從前方案減少了一半。此舉大幅度增強(qiáng)了硅-硅互連能力,對其它開發(fā)過程大有裨益。
    的頭像 發(fā)表于 03-22 13:59 ?784次閱讀

    一文解析SiC功率器件互連技術(shù)

    和硅器件相比,SiC器件有著耐高溫、擊穿電壓 大、開關(guān)頻率高等諸多優(yōu)點(diǎn),因而適用于更高工作頻 率的功率器件。但這些優(yōu)點(diǎn)同時也給SiC功率器件的互連封裝帶來了挑戰(zhàn)。
    發(fā)表于 03-07 14:28 ?1472次閱讀
    一文解析SiC功率器件<b class='flag-5'>互連</b><b class='flag-5'>技術(shù)</b>
    主站蜘蛛池模板: 免费看黄视频的网站| 一区国产传媒国产精品| 国产精品久久久久久久久久免费| 天天操天天射天天爽| 日日日日人人人夜夜夜2017| 天天操国产| 国产在线小视频| 午夜色a大片在线观看免费| 中国一级生活片| 久久久久久免费播放一级毛片| 999影院成 人在线影院| 亚洲成人77777| 人与禽一级一级毛片| 久久男人精品| 91青草视频| 91九色蝌蚪在线| 亚洲淫视频| 日本三级日本三级日本三级极| 男女爱爱免费| 丁香花在线观看免费观看| 五月停停| 悠悠影院欧美日韩国产| 天天色天天操综合网| 国产免费午夜高清| 中国男女全黄大片一级| 伊人蕉久| 日本黄色免费看| 丁香花在线观看免费观看| 人人看操| 亚洲精品资源| 五月婷丁香| 久久久噜噜噜久久久| 夜夜穞狠狠穞| 91精品日本久久久久久牛牛 | 日本不卡在线观看免费v| www.欧美.com| 免费在线观看视频网站| 日处女穴| 中日韩毛片| 萌白酱香蕉白丝护士服喷浆| 一级特黄aaa大片大全|