晶圓代工龍頭臺積電宣布5納米先進(jìn)制程,已于今年第二季進(jìn)入量產(chǎn)時,另一頭的三星也緊追在后。 根據(jù)TrendForce旗下拓墣產(chǎn)業(yè)研究院最新調(diào)研結(jié)果顯示,預(yù)估今年第3季全球晶圓代工市場,臺積電仍將以過半、53.9%市占率稱王,且年成長率高達(dá)21%,而三星則以17.4%位居第二,年成長率為4%,雖然比第一季的18.8%略有下滑,拓墣認(rèn)為主要出自于Galaxy S20銷售狀況不佳所致,若下半年智能型手機(jī)市場能扳回一城,市占率表現(xiàn)上依舊有機(jī)會緊咬臺積電不放。 由于5納米制程預(yù)計將在年底前量產(chǎn),且根據(jù)外媒報導(dǎo),除自家產(chǎn)品外,高通也會將Snapdragon X60等部分產(chǎn)品在三星的5納米下單,為三星的先進(jìn)制程打了一劑強(qiáng)心針。在英特爾(intel)制程卡關(guān)的此刻,先進(jìn)制程這條路上只剩下臺積電跟三星在「車拼」,繼續(xù)為突破摩爾定律努力。
緊咬技術(shù)不放,3納米換架構(gòu)力拼提升良率
「臺積電還是會怕三星。」長期關(guān)注半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的微驅(qū)科技總經(jīng)理吳金榮認(rèn)為,臺積電內(nèi)心的顧慮,并不是因為目前的制程進(jìn)度上有閃失,而是三星背后有著韓國人戰(zhàn)斗的精神,如過去3納米架構(gòu)也是率先由三星喊出將從目前采用的FinFET(鰭式晶體管)改變成GAA(閘極全環(huán))。 外界預(yù)測,此舉是為了搶救現(xiàn)在三星在7納米、5納米良率偏低的原因,因為GAA架構(gòu)在實驗室里面被發(fā)現(xiàn),其抑制漏電的狀況比起FinFET架構(gòu)要好得多,若能有效控制漏電,對于芯片的效能表現(xiàn)將有所幫助。 《數(shù)位時代》曾訪問臺積電的首席科學(xué)家黃漢森,針對三納米延續(xù)FinFET架構(gòu)一事,他表示不與三星同調(diào)改采GAA,除了是包括成本、客戶IC設(shè)計銜接等問題外,臺積電依舊有能力在制程進(jìn)入更小的階段上,仍采用原架構(gòu)并且維持產(chǎn)品的效能表現(xiàn),展現(xiàn)了晶圓代工龍頭在技術(shù)上的優(yōu)勢地位。
此外,吳金榮觀察,三星先進(jìn)制程發(fā)展落后給臺積電,有另一個原因是因為三星集團(tuán)還有記憶體部門需要發(fā)展,因此分散了研發(fā)能量。再者,三星因為并非如臺積電專精于晶圓代工,因此在產(chǎn)能的分配上,以及滿足各種客戶不同IC設(shè)計規(guī)格的需求,三星就沒有臺積電這樣快速調(diào)整的本事。 但近期三星宣布,將在平澤園區(qū)擴(kuò)編生產(chǎn)線,生產(chǎn)最先進(jìn)的DRAM產(chǎn)品,同時提供新世代V-NAND與晶圓代工解決方案,目的就是為了鞏固三星在工業(yè)4.0時代技術(shù)領(lǐng)先的地位。吳金榮更直指,目前三星手上約有10逾臺EUV機(jī)臺,接下來也會積極向ASML進(jìn)貨,「看得出來三星仍全力往高級制程沖刺。」
祭出價格戰(zhàn),搶下IBM、NVIDIA訂單
即便在技術(shù)上輸臺積電一截,但三星已擁有能量產(chǎn)的先進(jìn)制程技術(shù),至少有機(jī)會能分到臺積電無法消化的訂單。 臺經(jīng)院分析師劉佩真就指出,即便「最終可獲取的市占率不多,但仍有機(jī)會獲得臺積電承接不了的前一個世代制程技術(shù)的訂單(如7納米)。」 NVIDIA與三星最新合作就是一個例子。NVIDIA近期發(fā)表的新一代繪圖芯片GeForce RTX 30,主打高CP值路線,背后就是采用三星8納米LPP(Low Power Plus)制程。 雖然NVIDIA不是第一次在三星下單,但從NVIDIA與競爭對手AMD打肉搏戰(zhàn)的此時,端出了一款極有價格競爭力的產(chǎn)品來看,就不難猜測,三星確實在「報價」上相當(dāng)具有競爭力。 吳金榮分析,臺積電一直以來在價格上比較強(qiáng)悍,而三星過往都有可能以低于臺積電20-35%的價格來搶單。知識力專家社群創(chuàng)辦人曲建仲進(jìn)一步補(bǔ)充,三星可以先以低價競爭搶到客戶,然后再逐步調(diào)整制程的良率表現(xiàn),IBM的訂單即是如此。 三星最大的致命傷就是「臺積電不會跟客戶競爭,」吳金榮指出,三星作為一個IDM半導(dǎo)體業(yè)者,同時又身兼晶圓代工,若是有手機(jī)芯片IC設(shè)計業(yè)者要來下單,難免會擔(dān)心企業(yè)的商業(yè)機(jī)密被竊取,而這一點一直是三星的罩門。
Q2砸逾2000億資本支出,5納米下半年量產(chǎn)
從營運成績來看,三星半導(dǎo)體表現(xiàn)確實不容小覷。今年第二季財報,三星半導(dǎo)體事業(yè)合并營收為18.23兆韓元(約1045億人民幣),較去年同期成長13%;營業(yè)利潤達(dá)到5.43兆韓元(約合311億人民幣),較去年同期成長2.03%。半導(dǎo)體成為三星旗下包括面板、行動裝置等事業(yè)體里面,營收跟獲利最高的一環(huán)。 另一方面,第二季三星電子的資本支出達(dá)到9.8兆韓元(約合561億人民幣),其中半導(dǎo)體業(yè)務(wù)就占了約88%、8.6兆韓元(約合494億人民幣),主要投資于最先進(jìn)的5納米與8納米制程,并將積極研發(fā)4納米制程技術(shù)。 甚至建置新廠的腳步,也沒有落后給臺積電。當(dāng)臺積電在南科積極購地,為接下來南科廠的產(chǎn)能布局時,三星也在韓國的平澤市(Pyeongtaek)跟華城市(Hwaseong)兩地「大興土木」。 今年5月,三星宣布第6座南韓晶圓代工廠正式動工,地點就在平澤市,將采用5納米制程技術(shù),同時三星也定調(diào)這個工廠未來也將專注于5納米以下的EUV制程技術(shù),并預(yù)計在2021年下半年開始運作,將會成為5G、高效能運算(HPC)等解決方案的核心制造基地。 此外,2019年首批基于7納米EUV制程的產(chǎn)品量產(chǎn)后,三星也在今年上半年于華城廠新增一條全新的EUV專用V1生產(chǎn)線,預(yù)計將在今年下半年開始少量生產(chǎn)5納米制程,待2021年平澤廠生產(chǎn)線一起加入后,將有助于三星的代工產(chǎn)能能大幅提升。
展現(xiàn)優(yōu)勢,發(fā)展異構(gòu)整合技術(shù)迎戰(zhàn)對手
除了布建廠房,劉佩真也點出在面對摩爾定律是否走到極限時,異構(gòu)整合就成了解決摩爾定律的其中一個方式,「而三星在異構(gòu)整合上的技術(shù)也不能小看。」 工研院電子與光電系統(tǒng)研究所所長吳志毅曾指出,人工智能的時代下因為會產(chǎn)生出大量資料,必須被「儲存」及「運算」,而當(dāng)前的設(shè)計多半是將CPU跟記憶體分開處理,這會使資訊在兩者間的傳輸產(chǎn)生額外的耗能而影響表現(xiàn),他認(rèn)為將CPU跟記憶體做異構(gòu)整合會是接下來的趨勢。 而三星不僅擁有晶圓代工技術(shù),同時也具備記憶體優(yōu)勢,因此近期端出了3D IC封裝技術(shù)「X-Cube」,根據(jù)三星的解釋,該技術(shù)采用硅穿孔科技(through-silicon Via,TSV ),除了能塞入更多的記憶體、讓資訊的傳輸路徑大幅縮短外,同時也可加快數(shù)據(jù)傳送速度跟能源效益,能滿足5G、AI甚至是高效能運算的需求,X-Cube將可用于7納米跟5納米先進(jìn)制程上。 不只是三星,臺積電在今年技術(shù)論壇上也推出3D硅堆疊與先進(jìn)封裝技術(shù)家族的「3D Fabric平臺」,包括CoWoS、整合型扇出(InFo)以及系統(tǒng)整合芯片(TSMC-SoIC)等,都是透過異構(gòu)整合的方式搶進(jìn)高級封裝市場,滿足顧客需求的技術(shù)。
張忠謀:跟三星的戰(zhàn)爭還沒有贏
2018年裸退的臺積電創(chuàng)辦人張忠謀,將三星視為「可畏的對手」,他在去年(2019)底接受媒體專訪,提及對手三星時直言:「臺積電跟三星的戰(zhàn)爭絕對還沒結(jié)束,我們只是贏了一、兩場battle(戰(zhàn)役),整個war(戰(zhàn)爭)還沒有贏。」 三星2019年曾喊出要砸下133兆韓元(約合3.3兆新臺幣)發(fā)展邏輯芯片跟晶圓代工等業(yè)務(wù),目的是要在2030年擊垮臺積電、搶下晶圓代工龍頭的寶座。這可行嗎?或許三納米轉(zhuǎn)換架構(gòu)只是一個開端,接著不僅有下一代、還有下下一代的技術(shù)節(jié)點要跟臺積電進(jìn)行肉搏戰(zhàn),同時半導(dǎo)體隨著5G時代的到來而產(chǎn)生出各種全新的應(yīng)用,如第三代化合物半導(dǎo)體等,對不論是臺積電或三星而言,絕對都是全新的功課。 三星都還在努力中,臺積電又怎能輕易松懈。這場雙雄的斗爭結(jié)果會如何,大家都還在看。
責(zé)任編輯:YYX
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原文標(biāo)題:關(guān)注 | 三星挑戰(zhàn)臺積電的“底氣”
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