在线观看www成人影院-在线观看www日本免费网站-在线观看www视频-在线观看操-欧美18在线-欧美1级

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

臺(tái)積電表示已經(jīng)部署了全球約50%的極紫外光刻設(shè)備

中國半導(dǎo)體論壇 ? 來源:中國半導(dǎo)體論壇 ? 作者:中國半導(dǎo)體論壇 ? 2020-11-19 14:10 ? 次閱讀

今年早些時(shí)候,臺(tái)積電(TSMC)表示已經(jīng)部署了全球約50%的極紫外光刻設(shè)備(EUV),這意味著臺(tái)積電使用的EUV光刻機(jī)數(shù)量比業(yè)內(nèi)其他任何公司都多。根據(jù)DigiTimes的報(bào)道,臺(tái)積電計(jì)劃保持領(lǐng)先地位,并已經(jīng)訂購了至少13臺(tái)ASML的Twinscan NXE EUV光刻機(jī),據(jù)悉花費(fèi)超120億元人民幣。

盡管尚不清楚確切的交付和安裝時(shí)間表,但這些設(shè)備將在2021年全年交付。同時(shí),臺(tái)積電明年的實(shí)際需求可能高達(dá)16 – 17臺(tái)EUV光刻機(jī),因?yàn)樵摴菊谑褂镁哂蠩UV層的制造技術(shù)來提高產(chǎn)量。臺(tái)積電尚未確認(rèn)該報(bào)告。

目前,臺(tái)積電使用ASML的Twinscan NXE EUV光刻機(jī)在其N7 +和N5節(jié)點(diǎn)上生產(chǎn)商用芯片,但該公司將在接下來的幾個(gè)季度中增加N6(實(shí)際上定于2020年第四季度或2021年第一季度進(jìn)入HVM)以及還具有EUV層的N5P流程。

臺(tái)積電對(duì)EUV光刻機(jī)的需求隨著其技術(shù)變得越來越復(fù)雜并采用了需要使用極紫外光刻工具進(jìn)行處理的更多層而不斷增加。

責(zé)任編輯:lq

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 臺(tái)積電
    +關(guān)注

    關(guān)注

    44

    文章

    5650

    瀏覽量

    166644
  • 光刻機(jī)
    +關(guān)注

    關(guān)注

    31

    文章

    1150

    瀏覽量

    47440
  • 光刻設(shè)備
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    21

    瀏覽量

    6521

原文標(biāo)題:120億!臺(tái)積電再購13臺(tái)EUV光刻機(jī)!

文章出處:【微信號(hào):CSF211ic,微信公眾號(hào):中國半導(dǎo)體論壇】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

收藏 人收藏

    評(píng)論

    相關(guān)推薦

    日本首臺(tái)EUV光刻機(jī)就位

    據(jù)日經(jīng)亞洲 12 月 19 日?qǐng)?bào)道,Rapidus 成為日本首家獲得紫外 (EUV) 光刻設(shè)備的半導(dǎo)體公司,已經(jīng)開始在北海道芯片制造廠內(nèi)安
    的頭像 發(fā)表于 12-20 13:48 ?223次閱讀
    日本首臺(tái)EUV<b class='flag-5'>光刻</b>機(jī)就位

    今日看點(diǎn)丨英特爾將更多Arrow Lake芯片訂單外包給臺(tái)電;西門子全球裁員高達(dá)5000人

    1. SK 海力士考慮采用ASML 的High NA EUV 設(shè)備 ? 韓國芯片大廠SK海力士14日表示,正考慮使用ASML造價(jià)4億美元的高數(shù)值孔徑紫外光(High NA EUV)微
    發(fā)表于 11-15 11:24 ?633次閱讀

    最新CMOS技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)

    技術(shù)(EUV) 隨著制程技術(shù)的發(fā)展,傳統(tǒng)的光刻技術(shù)已經(jīng)接近物理極限。紫外光刻技術(shù)(EUV)作為一種新型光刻技術(shù),能夠?qū)崿F(xiàn)更小的特征尺寸,推
    的頭像 發(fā)表于 11-14 10:01 ?583次閱讀

    紫外光源的分類

    自然界中存在多種紫外光譜,人工紫外光源包括氣體放電、超高溫輻射體和半導(dǎo)體光源。常用紫外光源有高壓汞燈、氙燈、氪燈、氘燈、紫外LED和準(zhǔn)分子激光器等,各有特定波長、工作電壓和光功率。
    的頭像 發(fā)表于 10-25 14:10 ?297次閱讀

    日本大學(xué)研發(fā)出新紫外(EUV)光刻技術(shù)

    近日,日本沖繩科學(xué)技術(shù)大學(xué)院大學(xué)(OIST)發(fā)布一項(xiàng)重大研究報(bào)告,宣布該校成功研發(fā)出一種突破性的紫外(EUV)光刻技術(shù)。這一創(chuàng)新技術(shù)超越了當(dāng)前半導(dǎo)體制造業(yè)的標(biāo)準(zhǔn)界限,其設(shè)計(jì)的
    的頭像 發(fā)表于 08-03 12:45 ?1061次閱讀

    友思特分享 完美聚光:用于光刻曝光的UV-LED光引擎

    LED替代汞燈在紫外光源中的使用已成為大勢(shì)所趨。友思特先進(jìn)的 UV-LED-EXP 系統(tǒng)可作為OEM集成、汞燈光刻設(shè)備改造或直接定制光路設(shè)計(jì)和曝光設(shè)備,為
    的頭像 發(fā)表于 06-26 16:16 ?593次閱讀
    友思特分享 完美聚光:用于<b class='flag-5'>光刻</b>曝光的UV-LED光引擎

    今日看點(diǎn)丨ASML今年將向臺(tái)電、三星和英特爾交付High-NA EUV;理想 L9 出事故司機(jī)質(zhì)疑 LCC,產(chǎn)品經(jīng)理回應(yīng)

    1. ASML 今年將向臺(tái)電、三星和英特爾交付High-NA EUV ? 根據(jù)報(bào)道,芯片制造設(shè)備商ASML今年將向臺(tái)電、英特爾、三星交付
    發(fā)表于 06-06 11:09 ?890次閱讀

    臺(tái)電轉(zhuǎn)變態(tài)度?秘密訪問ASML總部引發(fā)行業(yè)關(guān)注

    宿敵英特爾則積極投身于新興高數(shù)值孔徑超紫外光刻領(lǐng)域,已有數(shù)臺(tái)設(shè)備投入其芯片制造部門使用。據(jù)透露,英特爾正計(jì)劃在即將推出的18A(1.8納米)工藝節(jié)點(diǎn)中試行高數(shù)值孔徑EUV光刻技術(shù),并將
    的頭像 發(fā)表于 05-28 17:02 ?706次閱讀

    Rapidus對(duì)首代工藝中0.33NA EUV解決方案表示滿意,未采用高NA EUV光刻機(jī)

    全球四大先進(jìn)制程代工巨頭(包括臺(tái)電、三星電子、英特爾以及Rapidus)中,只有英特爾明確表示將使用High NA EUV光刻機(jī)進(jìn)行大規(guī)
    的頭像 發(fā)表于 05-27 14:37 ?659次閱讀

    臺(tái)電都嫌貴的光刻機(jī),大力推玻璃基板,英特爾代工的野心和危機(jī)

    電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/吳子鵬)此前,臺(tái)電高級(jí)副總裁張曉強(qiáng)在技術(shù)研討會(huì)上表示,“ASML最新的高數(shù)值孔徑紫外光刻機(jī)(high-NA EUV
    的頭像 發(fā)表于 05-27 07:54 ?2557次閱讀

    荷蘭阿斯麥稱可遠(yuǎn)程癱瘓臺(tái)光刻機(jī)

    disable)臺(tái)電相應(yīng)機(jī)器,而且還可以包括最先進(jìn)的紫外光刻機(jī)(EUV)。 這就意味著阿斯麥(ASML)留了后門,隨時(shí)有能力去遠(yuǎn)程癱瘓制造芯片的
    的頭像 發(fā)表于 05-22 11:29 ?5784次閱讀

    光刻機(jī)的基本原理和核心技術(shù)

    雖然DUVL機(jī)器可以通過多重曝光技術(shù)將線寬縮小到7-5納米,但如果要獲得更小的線寬,DUVL已經(jīng)達(dá)到了極限。采用EUV作為光源的紫外光刻(EUVL)成為研究的重點(diǎn),其波長為13.5納米。
    發(fā)表于 04-25 10:06 ?3578次閱讀
    <b class='flag-5'>光刻</b>機(jī)的基本原理和核心技術(shù)

    一文讀懂半導(dǎo)體工藝制程的光刻

    光刻膠按照種類可以分為正性的、負(fù)性的。正膠受到紫外光照射的部分在顯影時(shí)被去除,負(fù)膠受到紫外光曝光的地方在顯影后被留下。
    的頭像 發(fā)表于 04-24 11:37 ?2986次閱讀
    一文讀懂半導(dǎo)體工藝制程的<b class='flag-5'>光刻</b>膠

    簡儀科技紫外光子成像技術(shù)應(yīng)用

    在面對(duì)紫外光子成像技術(shù)時(shí),面臨著諸多挑戰(zhàn)。光子密度大、需要高頻觸發(fā)采集,以及實(shí)時(shí)計(jì)算光子位置進(jìn)行譜圖繪制,這些都對(duì)采集設(shè)備的性能提出了極高的要求。
    的頭像 發(fā)表于 03-20 09:56 ?586次閱讀
    簡儀科技<b class='flag-5'>紫外光</b>子成像技術(shù)應(yīng)用

    紫外發(fā)光二管的發(fā)光原理 紫外發(fā)光二管的結(jié)構(gòu)

    紫外發(fā)光二管是指可發(fā)出波長400nm的近紫外光的發(fā)光二管(led)。
    的頭像 發(fā)表于 02-26 16:03 ?2742次閱讀
    <b class='flag-5'>紫外</b>發(fā)光二<b class='flag-5'>極</b>管的發(fā)光原理 <b class='flag-5'>紫外</b>發(fā)光二<b class='flag-5'>極</b>管的結(jié)構(gòu)
    主站蜘蛛池模板: 欧美一级视频精品观看| 视频在线免费观看| 欧美视频在线观在线看| 亚洲已满18点击进入在线观看| chinese国产videoxx实拍| 欧美在线1| 就去干综合| 日本大片网| 天堂激情| 中国特黄毛片| 年轻护士女三级| 成年1314在线观看| 国产午夜久久精品| 欧美一级高清黄图片| 一本大道香蕉大vr在线吗视频| 好看的一级毛片| 嫩草影院网站入口| 日韩免费看| 四虎最新网址| 亚洲bbb| a成人| 国内视频一区| 久久99久久精品国产只有| 永久黄网站色视频免费观看99| 欧美激情αv一区二区三区| 成人夜夜嗨| 操干| 亚洲成a人片在线观看88| 国产网站黄色| 国产精品久久久久久免费播放| 国产叼嘿免费视频网站| 亚洲 欧美 自拍 另类| 欧美一级高清片在线| 国产精品99r8免费视频2022| 爱逼综合| 午夜在线免费视频| 午夜视频在线| 全亚洲最大的777io影院| 在线a网站| 四虎永久在线精品免费观看地址| 女人爽到喷水的视频大全在线观看|