山西作為我國的煤炭大省，長期以來一“煤”獨大，而這情形也導(dǎo)致山西產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)單一。為破解“興于煤，困于煤”這一難題，山西開啟了轉(zhuǎn)型之路。

近幾年，依托豐富的礦產(chǎn)資源，山西聚焦半導(dǎo)體材料、碳基新材料、合成生物新材料、特種金屬材料等領(lǐng)域，把發(fā)展新興產(chǎn)業(yè)作為轉(zhuǎn)型重點。

目前，山西半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)主要集聚在太原、忻州、長治等地，以太原中國電科（山西）電子信息創(chuàng)新產(chǎn)業(yè)園、忻州半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園兩大半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園為中心，初步形成了砷化鎵、碳化硅等第二/三代半導(dǎo)體襯底材料—芯片—封裝—應(yīng)用產(chǎn)業(yè)鏈條。

2019年5月，山西省半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟成立，由山西從事半導(dǎo)體技術(shù)研發(fā)、產(chǎn)品生產(chǎn)的企業(yè)、大專院校和科研單位共59家相關(guān)機構(gòu)發(fā)起，實現(xiàn)了對山西半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)、企業(yè)的全覆蓋。

據(jù)山西經(jīng)濟(jì)日報報道，下一步，山西將發(fā)揮能源和材料資源優(yōu)勢，以砷化鎵、碳化硅等第二代、第三代半導(dǎo)體、LED、裝備、芯片制造等特色領(lǐng)域為重點，打造國內(nèi)領(lǐng)先的半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)基地，構(gòu)建專用芯片和器件產(chǎn)業(yè)集聚區(qū)，形成重點領(lǐng)域集成電路裝備產(chǎn)業(yè)新高地，培育集成電路封裝測試與整機協(xié)同發(fā)展新生態(tài)。

半導(dǎo)體相關(guān)政策加碼，推動山西轉(zhuǎn)型

在山西省積極轉(zhuǎn)型的同時，近兩年，半導(dǎo)體相關(guān)政策也不斷加碼。其中，政策皆明確，重點支持太原碳化硅、氮化鎵第三代半導(dǎo)體；忻州砷化鎵第二代半導(dǎo)體，長治深紫外半導(dǎo)體等光電半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展；打造長治—晉城光電產(chǎn)業(yè)集群與太原—忻州半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)集群。

早在2011年初，在國務(wù)院印發(fā)進(jìn)一步鼓勵軟件產(chǎn)業(yè)和集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展若干政策之后，山西緊隨“熱潮”，發(fā)布了《貫徹落實國務(wù)院關(guān)于印發(fā)進(jìn)一步鼓勵軟件產(chǎn)業(yè)和集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展若干政策通知的實施意見》（以下簡稱《意見》）。

《意見》指出，對集成電路線寬小于0.8微米（含）的集成電路生產(chǎn)企業(yè)，經(jīng)認(rèn)定后，自獲利年度起，實行企業(yè)所得稅“兩免三減半”的政策，即自獲利年度起，第一年至第二年免征企業(yè)所得稅，第三年至第五年按照25%的法定稅率減半征收企業(yè)所得稅。

同時，在山西新創(chuàng)辦的集成電路設(shè)計企業(yè)和符合條件的軟件生產(chǎn)企業(yè)，經(jīng)認(rèn)定后，自獲利年度起，享受企業(yè)所得稅“兩免三減半”優(yōu)惠政策。

此后，2019年5月，《山西省推動制造業(yè)高質(zhì)量發(fā)展行動方案》發(fā)布，山西將重點發(fā)展第三代/二代半導(dǎo)體、光伏、LED、鋰離子電池、新型顯示、電子專用裝備及材料等產(chǎn)品；推動發(fā)展光通信、光學(xué)鏡頭模組、手機機構(gòu)件、導(dǎo)光板、敏感元件、新型傳感器、新型電阻電容等電子零部件和元器件；支持開展專用集成電路、關(guān)鍵電子元器件、新型顯示、關(guān)鍵裝備及材料等技術(shù)的開發(fā)和產(chǎn)業(yè)示范。重點培育太原-忻州半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)集群、太原-陽泉人工智能產(chǎn)業(yè)集群、長治-晉城光電產(chǎn)業(yè)集群等。

2019年8月，山西出臺《山西省加快推進(jìn)數(shù)字經(jīng)濟(jì)發(fā)展的實施意見》（以下簡稱《意見》），山西將著力打造全國領(lǐng)先的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)集群。

圍繞5G、電力電子、LED等關(guān)鍵應(yīng)用，山西省重點支持太原碳化硅、氮化鎵第三代半導(dǎo)體、紅外探測芯片，忻州砷化鎵第二代半導(dǎo)體，長治深紫外半導(dǎo)體等光電半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展，提升裝備、材料、襯底、芯片、器件等核心關(guān)鍵技術(shù)和工藝水平，打造高純半導(dǎo)體材料、襯底、外延、芯片、應(yīng)用等全產(chǎn)業(yè)鏈產(chǎn)品體系，培育形成全國領(lǐng)先的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)集群。

此外，《意見》還明確，山西還將打造長治—晉城光電產(chǎn)業(yè)集群與太原—忻州半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)集群。

2020年6月，《山西省電子信息制造業(yè)2020年行動計劃》印發(fā)，提出以太原、忻州為核心，依托中國電科（山西）電子信息創(chuàng)新產(chǎn)業(yè)園、忻州半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園等重點企業(yè)重大項目，以碳化硅、氮化鎵第三代半導(dǎo)體、砷化鎵二代半導(dǎo)體為重點，圍繞功率電子、電力電子、LED、5G等關(guān)鍵領(lǐng)域，提升裝備、材料、器件等核心關(guān)鍵技術(shù)和工藝水平，形成碳化硅、砷化鎵高純半導(dǎo)體材料、藍(lán)寶石材料、芯片設(shè)計、芯片制造、封測、應(yīng)用等全產(chǎn)業(yè)鏈產(chǎn)品體系，打造太原-忻州半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)集群。

2020年7月，山西工信廳發(fā)布了《山西省數(shù)字產(chǎn)業(yè)2020年行動計劃》，山西將打造半導(dǎo)體、光電產(chǎn)業(yè)集群。以太原、忻州為核心，以碳化硅、氮化鎵第三代半導(dǎo)體等為重點，形成碳化硅、芯片設(shè)計、芯片制造等全產(chǎn)業(yè)鏈產(chǎn)品體系，打造太原、忻州半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)集群。以長治、晉城為核心，以光伏、LED顯示、深紫外LED、光通信連接器、光學(xué)鏡頭模組、智能制造設(shè)備、鋰離子電池等產(chǎn)業(yè)為重點，打造長治-晉城光電產(chǎn)業(yè)集群。

2020年7月，山西工信廳發(fā)布《山西省千億級新材料產(chǎn)業(yè)集群培育行動計劃（2020年）》（以下簡稱《行動計劃》），《行動計劃》表示，山西將圍繞制造業(yè)千億產(chǎn)業(yè)培育工程總體要求，聚焦“半導(dǎo)體材料、碳基新材料、生物基新材料、特種金屬材料”等四個重點領(lǐng)域。

在做強產(chǎn)業(yè)鏈方面，山西將圍繞半導(dǎo)體材料、碳基新材料等新材料特色產(chǎn)業(yè)集群，聚焦建鏈、延鏈、補鏈、強鏈，打造“襯底材料—外延片生產(chǎn)—芯片設(shè)計—芯片制作—封裝—應(yīng)用產(chǎn)品”等8個具有全國比較發(fā)展優(yōu)勢的特色產(chǎn)業(yè)鏈條。

此外，《行動計劃》還表示，將圍繞中電科二所、平晶光電等重點企業(yè)，培育發(fā)展集成電路及半導(dǎo)體器件產(chǎn)業(yè)應(yīng)用的第三代半導(dǎo)體材料，打造半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)集群。

偏愛半導(dǎo)體材料、光電等領(lǐng)域，山西半導(dǎo)體相關(guān)項目接連落地、投產(chǎn)

從山西省落地項目來看，落地項目大都屬于半導(dǎo)體材料、光電領(lǐng)域。其中，中國電科（山西）碳化硅材料產(chǎn)業(yè)基地、中科晶電山西忻州半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地砷化鎵項目、中科潞安深紫外LED項目等皆被列入山西省重點項目名單。

中國電科碳化硅產(chǎn)業(yè)基地

據(jù)悉，中國電科（山西）碳化硅材料產(chǎn)業(yè)基地將建成國內(nèi)最大的碳化硅材料供應(yīng)基地。

一期項目于2019年4月1日開工建設(shè)，同年9月26日封頂，據(jù)此前山西綜改示范區(qū)消息，一期項目建筑面積2.7萬平方米，能容納600臺碳化硅單晶生產(chǎn)爐和18萬片N型晶片的加工檢測能力，可形成7.5萬片的碳化硅晶片產(chǎn)能。

2月28日，中國電科（山西）碳化硅材料產(chǎn)業(yè)基地舉行投產(chǎn)儀式。

目前，中國電科山西碳化硅材料產(chǎn)業(yè)基地已經(jīng)實現(xiàn)4英寸晶片的大批量產(chǎn)，6英寸高純半絕緣碳化硅單晶襯底也已經(jīng)開始工程化驗證，預(yù)計年底達(dá)到產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用與國際水平相當(dāng)。

中科晶電山西忻州半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地砷化鎵項目

中科晶電山西忻州半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地砷化鎵項目由忻州中科晶電信息材料有限公司投資2.5億元，以研發(fā)、生產(chǎn)、銷售砷化鎵襯底材料為主，配套建筑面積約1.7萬平方米，建設(shè)有2英寸、3英寸、4英寸、6英寸砷化鎵襯底材料大規(guī)模生產(chǎn)線，規(guī)劃年產(chǎn)砷化鎵單晶片折合４英寸200萬片。

2018年11月5日，中科晶電山西忻州半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地砷化鎵項目正式開業(yè)運營。

北京大學(xué)山西碳基薄膜電子研究院

9月，山西省與北京大學(xué)簽署了《山西省人民政府與北京大學(xué)科技創(chuàng)新戰(zhàn)略合作協(xié)議》，根據(jù)協(xié)議，山西省政府和北京大學(xué)共建北京大學(xué)山西碳基薄膜電子研究院，研究院設(shè)在山西大學(xué)，開展碳基半導(dǎo)體材料和碳基薄膜電子技術(shù)攻關(guān)，以政產(chǎn)學(xué)研用相結(jié)合的模式著力建設(shè)國內(nèi)一流的技術(shù)創(chuàng)新平臺和成果轉(zhuǎn)化基地。

銻化物第四代半導(dǎo)體（山西）研究院項目

10月31日，2020中國（太原）人工智能大會在中國（太原）煤炭交易中心召開。銻化物第四代半導(dǎo)體（山西）研究院項目在活動上簽約。

中科潞安深紫外LED項目

中科潞安深紫外LED項目分兩期建設(shè)，總投資約20億元。其中，一期工程為年產(chǎn)3000萬顆紫外LED芯片項目，投資5.4億元；二期工程為年產(chǎn)2億顆紫外LED芯片項目，投資15億元。

2019年5月30日，山西省半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟授牌儀式、中科潞安半導(dǎo)體技術(shù)研究院落成典禮暨中科潞安深紫外LED項目投產(chǎn)儀式舉行。

據(jù)當(dāng)時山西中科潞安紫外光電科技有限公司官微顯示，中科潞安紫外光電科技有限公司董事長李晉閩表示，該項目于2018年12月完成項目的核心建設(shè)，經(jīng)過5個月的調(diào)試運轉(zhuǎn)和工藝驗證，項目產(chǎn)線設(shè)備狀態(tài)和生產(chǎn)能力穩(wěn)健提升和完善，并于2019年5月30日正式投產(chǎn)。

長治高新區(qū)半導(dǎo)體光電產(chǎn)業(yè)項目

長治高新區(qū)半導(dǎo)體光電產(chǎn)業(yè)項目總投資10.76億元，位于山西漳澤工業(yè)園區(qū)，建設(shè)工期為兩年。項目以紫外LED為特色產(chǎn)業(yè)、以半導(dǎo)體激光產(chǎn)業(yè)、光伏太陽能產(chǎn)業(yè)為主，形成集紫外LED、藍(lán)光LED、激光器、太陽能電池等于一體的光電產(chǎn)業(yè)鏈條，擴(kuò)大光電產(chǎn)業(yè)在全市的產(chǎn)業(yè)占有率。

據(jù)黃河新聞網(wǎng)6月報道，目前，山西長治高新區(qū)半導(dǎo)體光電產(chǎn)業(yè)項目施工各環(huán)節(jié)正在進(jìn)行中，預(yù)計將于2021年5月實現(xiàn)試生產(chǎn)。

北緯三十八度集成電路制造有限公司項目

2020年5月，北緯三十八度集成電路制造有限公司（以下簡稱“BWIC”）廠房基礎(chǔ)建設(shè)已經(jīng)完成，正在驗收階段，預(yù)計明年年中可投產(chǎn)，年底可實現(xiàn)量產(chǎn)。據(jù)當(dāng)時新華社報道，BWIC總經(jīng)理蔣建當(dāng)時表示，達(dá)產(chǎn)以后，如果芯片全部用于制造手機的話，每年可以制造3億多部手機的射頻模組芯片。

2020年9月，北緯三十八度集成電路制造有限公司進(jìn)行了第一次設(shè)備進(jìn)場。
責(zé)任編輯:tzh