三星明年全年DRAM和NAND的供應將嚴重不足
據報道，盡管存儲行業受疫情影響小于其他行業，但消費產品仍受到負面影響，外界對前景產生擔憂。
而三星正利用這一時期擴大領先優勢，三星計劃明年將DRAM、閃存和代工芯片的月晶圓產能分別擴大3萬、6萬和2萬片。
一位投資經理表示，明年全年DRAM和NAND的供應將嚴重不足，從而導致價格和利潤回升。三星在這方面顯示出非常有吸引力的風險回報。
他進一步表示，三星正在與零部件供應商進行討論，確保在下訂單之前解決任何潛在問題。
三星在京畿道平澤工廠將在處理新增產能方面發揮核心作用。在最近公布的三季度業績電話會議上，三星表示隨著存儲芯片庫存水平的合理調整，公司收到了更多服務器芯片訂單，預計將出現轉機。
NH Investment分析師Do Hyun-woo表示，三星將積極生產NAND閃存芯片，而在DRAM方面保持保守離場。考慮到代工芯片的短缺，三星明年將向平澤和美國奧斯汀的工廠投資至少10萬億韓元。
三星對NAND閃存芯片業務的需求之所以上升，是因為目前的DRAM技術能否在小于1nm的產品中維持存儲能力越來越令人質疑。雖然NAND芯片在10-20nm的層面上很快將面臨挑戰，但三星相信隨著EUV技術推進制造工藝，NAND芯片在密度和成本改善方面處于優勢地位。
責任編輯:tzh
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