11月20日，據韓Meizu消息，三星確定在美國德州奧斯汀新建采用極紫外光(EUV)技術的半導體工廠，項目總投資規模約100億美元！

據報導，據三星以及相關行業人士近日透露，三星電子將在德州奧斯汀建立晶圓廠，并使用EUV光刻機臺，生產非記憶體半導體與系統LSI產品，投資規模預估100億美元，月產能約7萬片。

為了搶攻在2030年成為非記憶體半導體龍頭地位，南韓砸大錢向ASML買進EUV機臺，三星集團副會長李在镕日前也親赴ASML在荷蘭總部，希望能向該公司趕緊拉貨，為的就是希望能在先進制程上打敗臺積電。

韓媒曾報導，三星還進攻客制化系統單芯片(SoC) 團隊，讓旗下系統LSI 部門成立「 Custom SoC 」客制化單芯片團隊，與全球各大ICT 廠商建立緊密合作關系。

據悉，三星啟動了一個“半導體2030計劃”，希望在2030年之前投資133萬億韓元，約合1160億美元成為全球最大的半導體公司，其中先進邏輯工藝是重點之一，目標就是要追趕上臺積電。在最近的幾代工藝上，三星的量產進度都落后于臺積電，包括10nm、7nm及5nm，不過5nm算是縮短了差距，今年也量產了，此前也獲得了高通、NVIDIA、IBM等客戶的8nm、7nm訂單。

但三星追趕臺積電的關鍵是在下一代的3nm上，因為這一代工藝上三星押注了GAA環繞柵極晶體管，是全球第一家導入GAA工藝以取代FinFET工藝的，而臺積電比較保守，3nm還是用FinFET，2nm上才會使用GAA工藝。

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