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什么因素導致功率半導體供給緊張?

璟琰乀 ? 來源:智通財經網 ? 作者:智通財經網 ? 2020-12-09 10:47 ? 次閱讀

12月5日,市場消息報道稱,從多家供應鏈公司處獲悉,功率半導體行業目前平均漲價5%-10%,部分產品漲幅更高。由于晶圓缺貨的影響越來越明顯,不排除功率半導體價格繼續上漲的可能。

在一片漲價潮中,終于輪到了半導體行業,且汽車芯片短缺的消息同時被市場報道。中汽協副秘書長兼行業發展部部長李紹華坦言,雖沒有媒體報道的那么嚴重,但汽車芯片供應短缺問題真實存在,由于多重因素的疊加,導致了汽車芯片供需矛盾在這一段時間內集中體現。

而功率半導體漲價、汽車芯片短缺的背后,核心原因是上游晶圓產能的緊張,導致產品供不應求。但關鍵的問題在于,供需矛盾能否持續,以帶動產品形成趨勢性漲價,為相關投資標的打開成長空間。

其實,上一輪由于晶圓產能緊張導致的功率半導體漲價是在2017-2018年,在這兩年中,中國的功率半導體行業增速分別為12.5%、9.5%,均遠高于2016年時的1.8%。也是在該輪周期中,受益標的華虹半導體(01347)從8港元漲至30港元。

而此次功率半導體的漲價,是否是新一輪周期的開啟?又蘊含著怎樣的投資機會?

上一輪漲價周期回顧

漲價的本質在于供需的失衡,即供給小于需求,回顧2017-2018年的漲價周期,主要由于智能手機創新升級、汽車電子工業自動化滲透率的提升對8寸晶圓的需求大幅增長。而原材料硅片以及8寸晶圓代工設備的受限,導致8寸晶圓產能緊張,供給低于市場需求。

價格的傳導則是從12寸晶圓開始,2017年上半年時,12寸晶圓供不應求,并開始逐季漲價。至2017年下半年時,8寸晶圓跟漲,并從上游的晶圓傳導至代工環節,自2017年Q3開始,國內晶圓代工廠亦開始漲價。

由于上游晶圓廠擴充不足難以緩解產能緊張局面,而下游需求持續增長,供給的失衡造就了功率半導體在2017-2018年的高景氣。據數據顯示,2016年全球功率半導體的市場增速為1.8%,至2017、2018年則分別為10.6%、5.9%。中國市場增速亦與全球共振,2016-2018年的增速分別為1.8%、12.5%、9.5%。

下游需求主導產業的差別

而在當前的功率半導體漲價中,造成供需格局失衡的因素則與2017-2018年有所差異,這主要體現在兩方面,其一是下游需求主導產業不同;其二是國產替代加速拉動需求增長。

與上一輪的手機升級、汽車電子、工業自動化不同,此輪帶動功率半導體規模持續增長的則是新能源車、新能源發電、5G場景、以及以快充和家電為代表的消費電子

據工信部相關規劃,至2025年時,中國新能源車銷量為700萬輛,2020-2025年的復合增速超30%。由于新能源車采用電力動力系統,進行電能處理的功率半導體器件成為關鍵器件。據華創證券研報顯示,新能源車的單車功率器件價值量增長超10倍,其測算至2025年時,新能源車和充電樁相關的MOSFETIGBT市場空間有望超300億元。

其次,光伏發電裝機量的持續增長亦帶動功率半導體需求的提升。智通財經APP了解到,功率半導體是光伏逆變器中的核心器件,能起到提供轉換效率、降低系統散熱片尺寸、提高相同電路板上電流密度的作用。民生證券表示,根據Trend Force預測,至2025年時光伏逆變器出貨量將達327GW,若功率半導體在光伏逆變器中的成本在9%左右,2025年時光伏逆變器功率半導體的市場空間約為44億。

與此同時,5G時代的四大場景將驅動功率半導體需求提升。5G基站的更高功率,是對功率器件性能的提升,更密集的基站建設,為功率半導體的需求打開了空間,據數據顯示,5G基站的數量將會是4G的2到3倍。毫米波、Massive MIMO等技術的應用也將提升單個基站功率半導體價值。據英飛凌統計,5G基站中使用的Massive MIMO中,功率半導體價值提升至100美元,是4G時4T4RMIMO的近4倍。且云服務數據中心的擴張,霧計算的應用都將為功率半導體帶來增量市場。

此外,以快充和家電為代表的消費電子將帶來功率半導體需求的增長。手機快充的興起使得GaN-MOSFET器件需求大幅增加。據民生證券測算,至2022年時,全球快充市場空間達986億,快充的功率半導體市場空間為118.32億元。

家電變頻化亦依賴于功率半導體器件,該技術是通過IGBT、MOSFET,晶閘管等功率半導體改變家電的供電頻率,從而調節負載,起到降低功耗,減少損耗的作用。據英飛凌測算,變頻家電內的功率半導體價值量約9.5歐元,提升超12倍,而至2022年時,可變頻家電銷量可達5.85億臺,對應變頻家電用功率半導體的市場空間增長432億元。

在四大產業發展的帶動下,功率半導體需求有望持續高漲,而國產替代的滲透則進一步刺激了國內市場需求。華西證券認為,無論是從產業鏈成熟的角度還是產品突破的維度,功率半導體板塊是進口替代速度相對較快的領域。而據東方證券數據顯示,在各類功率器件中,國產替代占比均低于50%,有較大成長空間。

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三大因素導致供給緊張

而在需求高漲之時,供給端的受限加劇了供需矛盾。華創證券表示,造成供給端受限的原因主要有以下三個方面,其一是海外疫情的持續影響了全球半導體供給;其二是產能的供需錯配;其三是新產能擴張受限。

東南亞為全球IDM制造和封測的重鎮,在全球十大IDM和封測企業中,有7家在東南亞設立工廠。疫情在東南亞的爆發,勢必由于生產密度和交通的受限而對半導體產品的正常生產造成了影響,從而讓全球半導體供給受限。

與此同時,產能的錯配亦是造成供給不足的原因之一。由于2017-2018年的漲價周期由手機創新等產業主導,這導致多攝方案及指紋識別在消費電子領域的快速滲透而消耗了大量的八寸產能。而進入2020年后,由新能源車、光伏、5G建設、快充及家電變頻等新需求的崛起,產能結構由于未能跟上新需求的變化而導致與主流需求產生錯配。

此外,短期內新產能擴張有限是供需失衡的最主要矛盾。據華創證券數據顯示,2018年底時,臺積電時隔15年后再度興建8寸晶圓產能,三星、SK海力士、世界先進等均在同期公布了8寸晶圓擴充計劃。SEMI預計2019-2022年全球將會新建16座8寸晶圓廠,其中量產的有14座,月產能增加70萬片,但對應2019-2022年的復合增速僅4.5%。由于晶圓擴產周期相對較長,海外廠商建設周期或在1年以上,即使有玩家欲新建產能,也難以改變1年內的供給格局。

受益標的簡要解析

通過上述的分析,功率半導體的供需格局已相對明朗,即下游以新能源車、新能源發電、5G場景、以及以快充和家電為代表的消費電子的四大產業帶動需求增長,而國產替代的滲透將進一步加快需求提升。供給端短期受海外疫情及供需錯配影響,中期的產能增加則相對有限,這為需求大增下功率半導體開啟新一輪漲價奠定基礎。這也就意味著,相關受益標的有望迎來投資機會,而在港股市場中,華虹半導體、中車電氣時代(03898)、賽晶科技(00580)、中芯國際(00981)等均是受益標的。

華虹半導體

華虹半導體是國內領先的晶圓代工廠,營收規模僅次于中芯國際(00981),其專注于特色工藝平臺。據財報顯示,2020年上半年時,功率分立器件占華虹半導體總收入的37.96%。公司在上海建有3座8英寸晶圓廠,總產能17.8萬片/月,在今年第三季度時,其8英寸晶圓廠的產能利用率高達102%。強勁的市場需求,讓華虹半導體8英寸產能維持高位,且公司可通過調節產品結構提升毛利率水平。

與此同時,12英寸晶圓廠的爬坡亦將為公司貢獻新業績增量。華虹半導體在無錫建有1座12英寸晶圓廠,目前處于產能爬坡中,2020年底至2021年初有望達到每月4萬片晶圓產能。在“8+12”制程的推動下,華虹半導體有望實現業績的穩步增長。

中車時代電氣

中車時代電氣除傳統的城軌、鐵路業務外,還有包括IGBT在內的新產業業務。該公司的新產業業務即以半導體產品聚焦軌道交通、高壓輸配電器和新能源三大領域。2020年上半年時,中車時代電氣的新產業業務持續穩步推進。其中,雙極器件業務大幅增長,1500A/4500V壓接式IGBT獲得批量訂單,風電IGBT批量掛網應用;乘用車電驅動系統既有項目穩步推進,產品市場占有率穩步提升。且在9月26日時,中車時代電氣副總經理余康表示,中國首條8英寸車規級IGBT芯片生產線下線,產品將陸續推出。

由此可見,憑借著對軌道交通、高壓輸配電器和新能源領域的持續滲透,中車時代電氣的IGBT產品已得到市場認可。且公司積極布局第三代半導體,6 英寸 SiC 器件生產線已成功通線,實現了碳化硅全產業鏈貫通。隨著下游需求的持續增長,其產品有望加速放量,IDM模式的優勢也將逐漸凸顯。此外,公司已啟動科創板上市輔導,或對其股價表現有積極作用。

賽晶科技

賽晶科技是電力電子部件制造及銷售商,其主要業務分為輸配電、電氣化交通、工業及其他三大板塊。2019年時,賽晶科技啟動了IGBT項目,截至目前,該公司已完成了研發團隊的組建、首款產品的論證和設計、啟動生產基地建設等工作。且首款賽晶i20芯片已進入流片階段,應用該芯片的首款模組亦進入了樣品封裝測試階段。一旦產品量產,將為該公司帶來新的業績增量。

值得注意的是,當媒體開始報道功率半導體漲價之時,A股、港股中的部分概念股均出現了沖高回落并開始回調的股價走勢,這是因為埋伏資金對短期盈利的兌現所致。而從當前功率半導體的供需情況來看,由于晶圓擴產周期相對較長,一年內供給格局改變程度較小,這也就意味著,新一輪漲價周期的起點或已到來。

責任編輯:haq

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