12月21日,兆易創(chuàng)新在互動平臺表示,公司目前在中芯國際代工的產(chǎn)品并不涉及10nm及以下技術(shù)節(jié)點,且公司產(chǎn)品的銷售不受該實體清單限制。同時,公司供應(yīng)鏈管理采取多元化布局,以目前情況看公司不會受到較大影響。
此前,中芯國際被美國列入“實體清單”后,針對適用于美國《出口管制條例》的產(chǎn)品或技術(shù),供應(yīng)商須獲得美國商務(wù)部的出口許可才能向中芯國際供應(yīng);對用于10nm及以下技術(shù)節(jié)點(包括極紫外光技術(shù))的產(chǎn)品或技術(shù),美國商務(wù)部會采取“推定拒絕”的審批政策進(jìn)行審核。中芯國際公告稱,該事項對其短期內(nèi)運營無重大不利影響。
資料顯示,兆易創(chuàng)新的產(chǎn)品主要包括存儲器(NOR Flash、NAND Flash和正在研發(fā)的DRAM)、微控制器(MCU)以及傳感器(Sensor)三大類。
在存儲器領(lǐng)域,兆易創(chuàng)新已經(jīng)成為全球排名第一的無晶圓廠NOR Flash供應(yīng)商,SPI NOR Flash領(lǐng)域市占率國內(nèi)第一、全球第三。目前,兆易創(chuàng)新55nm的NOR Flash已經(jīng)量產(chǎn),且產(chǎn)能不斷提升,將逐步替換65nm的NOR Flash,預(yù)計明年55nm的業(yè)務(wù)占比會提升;其目前主流SLC NAND Flash產(chǎn)品采取38nm工藝,24nm的SLC NAND Flash進(jìn)入量產(chǎn)導(dǎo)入階段。
DRAM是兆易創(chuàng)新的一項新業(yè)務(wù),是存儲器市場占比最大的產(chǎn)品類型。公司已完成DRAM芯片自主研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目的43億元定增募資,目前以19nm工藝的DRAM產(chǎn)品為主,未來將研發(fā)17nm的DRAM產(chǎn)品。
責(zé)任編輯:tzh
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