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10nm以下技術(shù)遭“卡脖子”,中芯國際正另尋出路

我快閉嘴 ? 來源:時(shí)代財(cái)經(jīng) ? 作者:莊俊朗 ? 2020-12-22 10:47 ? 次閱讀

中芯國際頭頂?shù)摹斑_(dá)摩克里斯之劍”,終究還是落下了。

12月20日晚,中芯國際正式對(duì)外確認(rèn)已被美國商務(wù)部列入“實(shí)體清單”。

中芯國際發(fā)布的公告中稱,根據(jù)美國相關(guān)法律法規(guī)的規(guī)定,對(duì)用于10nm及以下技術(shù)節(jié)點(diǎn)的產(chǎn)品或技術(shù),美國商務(wù)部會(huì)采取“推定拒絕”(Presumption of Denial)的審批政策進(jìn)行審核;同時(shí)公司為部分特殊客戶提供代工服務(wù)也可能受到一定限制。

Omdia芯片分析師何暉告訴時(shí)代財(cái)經(jīng),中芯國際先進(jìn)芯片制造領(lǐng)域所需的海外合作廠商,幾乎都因此受到了波及。

被列入“實(shí)體清單”,中芯國際早有預(yù)期。今年9月份起,就有媒體爆料稱,美國正計(jì)劃將中芯國際列入“實(shí)體清單”。據(jù)中芯國際公告顯示,該公司一直與美國商務(wù)部溝通,以期得到公平、公正的對(duì)待。但現(xiàn)在的結(jié)果顯示,美國政府延續(xù)了無端打壓中國科技企業(yè)的行徑。

這也意味著,在中芯國際,乃至中國芯片的研發(fā)上,一道壁壘已擋在了10nm的節(jié)點(diǎn)上。

12月21日,時(shí)代財(cái)經(jīng)致電中芯國際投資者關(guān)系部,相關(guān)負(fù)責(zé)人表示,一切以公告為準(zhǔn)。不過,該負(fù)責(zé)人向時(shí)代財(cái)經(jīng)透露,中芯國際新一代芯片技術(shù)FinFET N+1已研發(fā)成功,并進(jìn)行了小量試產(chǎn)。

10nm以下技術(shù)遭“卡脖子”

所謂“實(shí)體清單”,是美國商務(wù)部設(shè)立的出口管制條例。被列入“實(shí)體清單”的外國企業(yè),美國將禁止本國企業(yè)在某些領(lǐng)域與其合作。

更為霸道的是,即使一家企業(yè)不是美國企業(yè),但只要它與美國企業(yè)有合作,美國也會(huì)對(duì)其施壓,禁止其與“實(shí)體清單”上的企業(yè)來往。

今年6月,中芯國際在科創(chuàng)板上市時(shí),其招股書便寫明:“2019年5月,美國商務(wù)部將若干中國公司列入‘實(shí)體名單’……若干自美國進(jìn)口的半導(dǎo)體設(shè)備與技術(shù),在獲得美國商務(wù)部行政許可之前,可能無法用于為若干客戶的產(chǎn)品進(jìn)行生產(chǎn)制造。”

而如今,輪到中芯國際自己被列入“實(shí)體清單”了。

“該事項(xiàng)對(duì)公司短期內(nèi)運(yùn)營及財(cái)務(wù)狀況無重大不利影響。”中芯國際在公告中表示。

據(jù)中芯國際2020年三季報(bào)顯示,公司的芯片收入中,技術(shù)節(jié)點(diǎn)在100nm以上的占38.6%,90nm~40nm的占46.4%,較先進(jìn)的28nm、14nm共占14.6%,剩余其他僅占0.4%。

也就是說,即使中芯國際已成功研發(fā)14nm以下的先進(jìn)技術(shù),目前也尚未大規(guī)模投產(chǎn)。而此次美國對(duì)中芯國際采取的措施,屬于更先進(jìn)的10nm以下產(chǎn)品或技術(shù),尚未波及中芯國際的主營芯片。

但美國商務(wù)部對(duì)中芯國際采取的措施,如同一道無形的壁壘,橫擋在了10nm的位置。

12月21日,中芯國際投資人關(guān)系部相關(guān)負(fù)責(zé)人告訴時(shí)代財(cái)經(jīng),其新一代芯片技術(shù)FinFET N+1技術(shù)已研發(fā)成功,并進(jìn)行小量試產(chǎn)。

此前10月12日,與中芯國際合作的芯動(dòng)科技也宣布,公司已完成FinFET N+1先進(jìn)工藝的芯片流片和測(cè)試,所有IP全自主國產(chǎn),功能一次測(cè)試通過。

創(chuàng)道投資咨詢總經(jīng)理、天津集成電路行業(yè)協(xié)會(huì)顧問步日欣認(rèn)為,F(xiàn)inFET N+1已經(jīng)可以對(duì)應(yīng)7nm制程。而業(yè)界中即使比較保守的觀點(diǎn),也認(rèn)為FinFET N+1優(yōu)于10nm。

根據(jù)這種判斷,F(xiàn)inFET N+1將在生產(chǎn)上受到美國的限制。“實(shí)體清單一出,F(xiàn)inFET N+1芯片就被卡脖子了。”步日欣對(duì)時(shí)代財(cái)經(jīng)說。

另尋出路

芯片制造是一個(gè)龐大的工程,涉及到多個(gè)步驟。一顆芯片的制造,首先需要由晶圓廠從原料中提取出單晶硅、切割成一片片晶圓;然后由芯片設(shè)計(jì)公司提供設(shè)計(jì)藍(lán)圖。中芯國際等芯片代工廠,利用供應(yīng)商提供的晶圓,按照芯片設(shè)計(jì)藍(lán)圖,把芯片制造出來。

芯片制造本身也大有學(xué)問。晶圓表面要先附上刻有電路紋路的光刻膠,然后光刻機(jī)再在其上進(jìn)行刻蝕,刻蝕完畢后,再利用特有的光刻膠清除劑,將光刻膠去除。刻上電路的芯片,最后還需要進(jìn)行封裝,使芯片與外部器件實(shí)現(xiàn)連接。

掩模制作、切片、擴(kuò)散、光刻、刻蝕、離子注入……每個(gè)步驟背后都是一整條產(chǎn)業(yè)鏈。目前這些產(chǎn)業(yè)鏈大部分都被海外廠商壟斷,而這些廠商大多與美國企業(yè)合作,在美國商務(wù)部的威逼下,這些廠商或?qū)㈦y以跟中芯國際保持合作。

其中最主要的莫過于光刻機(jī)。前瞻產(chǎn)業(yè)研究院的一份分析報(bào)告顯示,荷蘭的ASML占據(jù)了2019年全球光刻機(jī)市場(chǎng)份額的75%,日本的尼康和佳能合計(jì)占據(jù)19%。

ASML還壟斷了最先進(jìn)的第五代光刻機(jī)技術(shù),22nm~7nm的芯片制造,都需要從ASML進(jìn)口光刻機(jī)。

在半導(dǎo)體光刻膠上,中國工廠也嚴(yán)重依賴進(jìn)口。半導(dǎo)體光刻膠基本為日本企業(yè)壟斷,日本合成橡膠(JSR)、東京應(yīng)化(TOK)、住友化學(xué)、信越化學(xué)四家日企,在全球光刻膠市場(chǎng)份額接近8成。

芯片設(shè)計(jì)就更不必說,全球收入前三的博通高通英偉達(dá),全部都是美國企業(yè)。但在這個(gè)領(lǐng)域,中芯國際已可以跟同被列入“實(shí)體清單”的華為海思合作。

步日欣告訴時(shí)代財(cái)經(jīng),海思在芯片設(shè)計(jì)領(lǐng)域已實(shí)現(xiàn)國際較高水平:“之前華為在臺(tái)積電流片,麒麟9000處理器的工藝制程是5nm。”

如今來看,中芯國際得另尋出路。步日欣認(rèn)為,中芯國際可能會(huì)轉(zhuǎn)向往先進(jìn)封裝和chiplet技術(shù)發(fā)力,通過三維封裝的方式,提高單位面積的晶體管數(shù)量。

其向時(shí)代財(cái)經(jīng)分析,蔣尚義回歸中芯國際任職副董事長,一定程度上也與公司被列入“實(shí)體清單”有關(guān):“他(蔣尚義)向來是推崇先進(jìn)封裝和chiplet工藝,可能也是下一步中芯國際戰(zhàn)略重點(diǎn)。”
責(zé)任編輯:tzh

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