在73年前的今天，1947年12月23日（農(nóng)歷1947年11月12日），晶體管問(wèn)世。
1947年12月23日，美國(guó)科學(xué)家巴丁博士、布菜頓博士和肖克萊博士，在導(dǎo)體電路中進(jìn)行用半導(dǎo)體晶體放大聲音信號(hào)的實(shí)驗(yàn)時(shí)，發(fā)明．了科技史上具有劃時(shí)代意義的成果一一晶體管。因它是在圣誕節(jié)前夕發(fā)明的，而且對(duì)人們未來(lái)的生活發(fā)生如此巨大的影響，所以被稱．為“獻(xiàn)給世界的圣誕節(jié)禮物”。

1947年12月，美國(guó)貝爾實(shí)驗(yàn)室的肖克利、巴丁和布拉頓組成的研究小組，研制出一－種點(diǎn)接觸型的鍺晶體管。晶體管的問(wèn)世，是20世紀(jì)的一項(xiàng)重大發(fā)明，是微電子革命的先聲。晶體管出現(xiàn)后，人們就能用一個(gè)小巧的、消耗功率低的電子器件，來(lái)代替體積大、功率消耗大的電子管了。晶體管的發(fā)明又為后來(lái)集成電路的誕生吹響了號(hào)角。20世紀(jì)最初的10年，通信系統(tǒng)已開(kāi)始應(yīng)用半導(dǎo)體材料。20世紀(jì)上半葉，在無(wú)線電愛(ài)好者中廣泛流行的礦石收音機(jī)，就采用礦石這種半導(dǎo)體材料進(jìn)行檢波。半導(dǎo)體的電學(xué)特性也在電話系統(tǒng)中得到了應(yīng)用。

晶體管是一－種半導(dǎo)體器件，放大器或電控開(kāi)關(guān)常用。晶體管是規(guī)范操作電腦，手機(jī)，和所有其他現(xiàn)代電子電路的基本構(gòu)建塊。由于其響應(yīng)速度快，準(zhǔn)確性高，晶體管可用于各種各樣的數(shù)字和模擬功能，包括放大，開(kāi)關(guān)，穩(wěn)壓，信號(hào)調(diào)制和振蕩器。晶體管可獨(dú)立包裝或在一個(gè)非常小的的區(qū)域，可容納一億或更多的晶體管集成電路的一部分。

晶體管的發(fā)展歷史

1947年12月：威廉·邵克雷（William Shockley）、約翰·巴頓（John Bardeen）和沃特·布拉頓（Walter Brattain）成功地在貝爾實(shí)驗(yàn)室制造出第一個(gè)晶體管。

1950年：威廉·邵克雷開(kāi)發(fā)出雙極晶體管（Bipolar Junction Transistor），這是現(xiàn)在通行的標(biāo)準(zhǔn)的晶體管。

1953年：第一個(gè)采用晶體管的商業(yè)化設(shè)備投入市場(chǎng)，即助聽(tīng)器。

1954年10月18日：第一臺(tái)晶體管收音機(jī)Regency TR1投入市場(chǎng)，僅包含4只鍺晶體管。

1961年4月25日：第一個(gè)集成電路專利被授予羅伯特·諾伊斯（Robert Noyce）。最初的晶體管對(duì)收音機(jī)和電話而言已經(jīng)足夠，但是新的電子設(shè)備要求規(guī)格更小的晶體管，即集成電路。

1965年：摩爾定律誕生。當(dāng)時(shí)，戈登·摩爾（Gordon Moore）預(yù)測(cè)，未來(lái)一個(gè)芯片上的晶體管數(shù)量大約每18個(gè)月翻一倍（至今依然基本適用），摩爾定律在Electronics Magazine雜志一篇文章中公布。

1968年7月：羅伯特·諾伊斯和戈登·摩爾從仙童（Fairchild）半導(dǎo)體公司辭職，創(chuàng)立了一個(gè)新的企業(yè)，即英特爾公司，英文名Intel為“集成電子設(shè)備（integrated electronics）”的縮寫。

1969年：英特爾成功開(kāi)發(fā)出第一個(gè)PMOS硅柵晶體管技術(shù)。這些晶體管繼續(xù)使用傳統(tǒng)的二氧化硅柵介質(zhì)，但是引入了新的多晶硅柵電極。

1971年：英特爾發(fā)布了其第一個(gè)微處理器4004。4004規(guī)格為1／8英寸 x 1／16英寸，包含僅2000多個(gè)晶體管，采用英特爾10微米PMOS技術(shù)生產(chǎn)。

1972年，英特爾發(fā)布了第一個(gè)8位處理器8008。

1978年，英特爾發(fā)布了第一款16位處理器8086。含有2．9萬(wàn)個(gè)晶體管。

1978年：英特爾標(biāo)志性地把英特爾8088微處理器銷售給IBM新的個(gè)人電腦事業(yè)部，武裝了IBM新產(chǎn)品IBM PC的中樞大腦。16位8088處理器為8086的改進(jìn)版，含有2．9萬(wàn)個(gè)晶體管，運(yùn)行頻率為5MHz、8MHz和10MHz。8088的成功推動(dòng)英特爾進(jìn)入了財(cái)富（FORTUNE） 500強(qiáng)企業(yè)排名，《財(cái)富（FORTUNE）》雜志將英特爾公司評(píng)為“70年代商業(yè)奇跡之一（Business Triumphs of the Seventies）”。

1982年：286微處理器（全稱80286，意為“第二代8086”）推出，提出了指令集概念，即現(xiàn)在的x86指令集，可運(yùn)行為英特爾前一代產(chǎn)品所編寫的所有軟件。286處理器使用了13400個(gè)晶體管，運(yùn)行頻率為6MHz、8MHz、10MHz和12．5MHz。

1985年：英特爾386微處理器問(wèn)世，含有27．5萬(wàn)個(gè)晶體管，是最初4004晶體管數(shù)量的100多倍。386是32位芯片，具備多任務(wù)處理能力，即它可在同一時(shí)間運(yùn)行多個(gè)程序。

1993年：英特爾·奔騰·處理器問(wèn)世，含有3百萬(wàn)個(gè)晶體管，采用英特爾0．8微米制程技術(shù)生產(chǎn)。

1999年2月：英特爾發(fā)布了奔騰·III處理器。奔騰III是1x1正方形硅，含有950萬(wàn)個(gè)晶體管，采用英特爾0．25微米制程技術(shù)生產(chǎn)。

2002年1月：英特爾奔騰4處理器推出，高性能桌面臺(tái)式電腦由此可實(shí)現(xiàn)每秒鐘22億個(gè)周期運(yùn)算。它采用英特爾0．13微米制程技術(shù)生產(chǎn)，含有5500萬(wàn)個(gè)晶體管。

2002年8月13日：英特爾透露了90納米制程技術(shù)的若干技術(shù)突破，包括高性能、低功耗晶體管，應(yīng)變硅，高速銅質(zhì)接頭和新型低－k介質(zhì)材料。這是業(yè)內(nèi)首次在生產(chǎn)中采用應(yīng)變硅。

2003年3月12日：針對(duì)筆記本的英特爾·迅馳·移動(dòng)技術(shù)平臺(tái)誕生，包括了英特爾最新的移動(dòng)處理器“英特爾奔騰M處理器”。該處理器基于全新的移動(dòng)優(yōu)化微體系架構(gòu)，采用英特爾0．13微米制程技術(shù)生產(chǎn)，包含7700萬(wàn)個(gè)晶體管。

2005年5月26日：英特爾第一個(gè)主流雙核處理器“英特爾奔騰D處理器”誕生，含有2．3億個(gè)晶體管，采用英特爾領(lǐng)先的90納米制程技術(shù)生產(chǎn)。

2006年7月18日：英特爾安騰2雙核處理器發(fā)布，采用世界最復(fù)雜的產(chǎn)品設(shè)計(jì)，含有2．7億個(gè)晶體管。該處理器采用英特爾90納米制程技術(shù)生產(chǎn)。

2006年7月27日：英特爾·酷睿2雙核處理器誕生。該處理器含有2．9億多個(gè)晶體管，采用英特爾65納米制程技術(shù)在世界最先進(jìn)的幾個(gè)實(shí)驗(yàn)室生產(chǎn)。

2006年9月26日：英特爾宣布，超過(guò)15種45納米制程產(chǎn)品正在開(kāi)發(fā)，面向臺(tái)式機(jī)、筆記本和企業(yè)級(jí)計(jì)算市場(chǎng)，研發(fā)代碼Penryn，是從英特爾酷睿微體系架構(gòu)派生而出。2007年1月8日：為擴(kuò)大四核PC向主流買家的銷售，英特爾發(fā)布了針對(duì)桌面電腦的65納米制程英特爾酷睿2四核處理器和另外兩款四核服務(wù)器處理器。英特爾酷睿2四核處理器含有5．8億多個(gè)晶體管。

2007年1月29日：英特爾公布采用突破性的晶體管材料即高－k柵介質(zhì)和金屬柵極。英特爾將采用這些材料在公司下一代處理器——英特爾酷睿2雙核、英特爾酷睿2四核處理器以及英特爾至強(qiáng)系列多核處理器的數(shù)以億計(jì)的45納米晶體管或微小開(kāi)關(guān)中用來(lái)構(gòu)建絕緣“墻”和開(kāi)關(guān)“門”，研發(fā)代碼Penryn。

2010年11月，NVIDIA發(fā)布全新的GF110核心，含30億個(gè)晶體管，采用先進(jìn)的40納米工藝制造。

2011年05月05 日：英特爾成功開(kāi)發(fā)世界首個(gè)3D晶體管，稱為tri－Gate。除了英特爾將3D晶體管應(yīng)用于22納米工藝之后，三星，GlobalFoundries，臺(tái)積電和臺(tái)聯(lián)電都計(jì)劃將類似于Intel的3D晶體管技術(shù)應(yīng)用到14納米節(jié)點(diǎn)上 。

2015年，Intel的處理器芯片Knights Landing Xeon Phi，內(nèi)含約zhi80億個(gè)晶體管，采用12納米制dao程。同年，IBM宣布了7納米制程研制成功。基于該技術(shù)的服務(wù)器芯片將含200億個(gè)警晶體管。

2016年7月，發(fā)布的2015年國(guó)際半導(dǎo)體技術(shù)路線圖（ITRS）做出預(yù)測(cè)，經(jīng)歷了50多年的微型化，晶體管的尺寸可能將在5年后停止縮減。