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晶圓和硅片到底有什么區(qū)別

Wildesbeast ? 來源:21IC ? 作者:21IC ? 2021-01-03 11:56 ? 次閱讀

晶圓是當代重要的器件之一,對于晶圓,電子等相關(guān)專業(yè)的朋友通常較為熟悉。前文中,小編介紹了晶圓是如何變成CPU的。為增進大家對晶圓的了解,本文中,小編將對晶圓、硅片以及晶圓和硅片的區(qū)別予以介紹。如果你對晶圓具有興趣,不妨繼續(xù)往下閱讀哦。

一、晶圓

(一)概念

晶圓是指硅半導體集成電路制作所用的硅晶片,由于其形狀為圓形,故稱為晶圓;在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu),而成為有特定電性功能之IC產(chǎn)品。晶圓的原始材料是硅,而地殼表面有用之不竭的二氧化硅。

(二)晶圓的制造過程

晶圓是制造半導體芯片的基本材料,半導體集成電路最主要的原料是硅,因此對應(yīng)的就是硅晶圓。

硅在自然界中以硅酸鹽或二氧化硅的形式廣泛存在于巖石、砂礫中,硅晶圓的制造可以歸納為三個基本步驟:硅提煉及提純、單晶硅生長、晶圓成型。

首先是硅提純,將沙石原料放入一個溫度約為2000℃,并且有碳源存在的電弧熔爐中,在高溫下,碳和沙石中的二氧化硅進行化學反應(yīng)(碳與氧結(jié)合,剩下硅),得到純度約為98%的純硅,又稱作冶金級硅,這對微電子器件來說不夠純,因為半導體材料的電學特性對雜質(zhì)的濃度非常敏感,因此對冶金級硅進行進一步提純:將粉碎的冶金級硅與氣態(tài)的氯化氫進行氯化反應(yīng),生成液態(tài)的硅烷,然后通過蒸餾和化學還原工藝,得到了高純度的多晶硅,其純度高達99.999999999%,成為電子級硅。

接下來是單晶硅生長,最常用的方法叫直拉法。如下圖所示,高純度的多晶硅放在石英坩堝中,并用外面圍繞著的石墨加熱器不斷加熱,溫度維持在大約1400℃,爐中的空氣通常是惰性氣體,使多晶硅熔化,同時又不會產(chǎn)生不需要的化學反應(yīng)。為了形成單晶硅,還需要控制晶體的方向:坩堝帶著多晶硅熔化物在旋轉(zhuǎn),把一顆籽晶浸入其中,并且由拉制棒帶著籽晶作反方向旋轉(zhuǎn),同時慢慢地、垂直地由硅熔化物中向上拉出。熔化的多晶硅會粘在籽晶的底端,按籽晶晶格排列的方向不斷地生長上去。因此所生長的晶體的方向性是由籽晶所決定的,在其被拉出和冷卻后就生長成了與籽晶內(nèi)部晶格方向相同的單晶硅棒。用直拉法生長后,單晶棒將按適當?shù)某叽邕M行切割,然后進行研磨,將凹凸的切痕磨掉,再用化學機械拋光工藝使其至少一面光滑如鏡,晶圓片制造就完成了。

單晶硅棒的直徑是由籽晶拉出的速度和旋轉(zhuǎn)速度決定的,一般來說,上拉速率越慢,生長的單晶硅棒直徑越大。而切出的晶圓片的厚度與直徑有關(guān),雖然半導體器件的制備只在晶圓的頂部幾微米的范圍內(nèi)完成,但是晶圓的厚度一般要達到1mm,才能保證足夠的機械應(yīng)力支撐,因此晶圓的厚度會隨直徑的增長而增長。

晶圓制造廠把這些多晶硅融解,再在融液里種入籽晶,然后將其慢慢拉出,以形成圓柱狀的單晶硅晶棒,由于硅晶棒是由一顆晶面取向確定的籽晶在熔融態(tài)的硅原料中逐漸生成,此過程稱為“長晶”。硅晶棒再經(jīng)過切段,滾磨,切片,倒角,拋光,激光刻,包裝后,即成為集成電路工廠的基本原料——硅晶圓片,這就是“晶圓”。

(三)晶圓的基本原料

硅是由石英砂所精練出來的,晶圓便是硅元素加以純化(99.999%),接著是將這些純硅制成硅晶棒,成為制造集成電路的石英半導體的材料,經(jīng)過照相制版,研磨,拋光,切片等程序,將多晶硅融解拉出單晶硅晶棒,然后切割成一片一片薄薄的晶圓。

二、硅片

(一)定義

硅片是制作晶體管和集成電路的原料。一般是單晶硅的切片。硅片,是制作集成電路的重要材料,通過對硅片進行光刻、離子注入等手段,可以制成各種半導體器件。用硅片制成的芯片有著驚人的運算能力。科學技術(shù)的發(fā)展不斷推動著半導體的發(fā)展。自動化和計算機等技術(shù)發(fā)展,使硅片(集成電路)這種高技術(shù)產(chǎn)品的造價已降到十分低廉的程度。

(二)硅片的規(guī)格

硅片規(guī)格有多種分類方法,可以按照硅片直徑、單晶生長方法、摻雜類型等參量和用途來劃分種類。

1.按硅片直徑劃分

硅片直徑主要有3英寸、4英寸、6英寸、8英寸、12英寸(300mm),目前已發(fā)展到18英寸(450mm)等規(guī)格。直徑越大,在一個硅片上經(jīng)一次工藝循環(huán)可制作的集成電路芯片數(shù)就越多,每個芯片的成本也就越低。因此,更大直徑硅片是硅片制各技術(shù)的發(fā)展方向。但硅片尺寸越大,對微電子工藝設(shè)各、材料和技術(shù)的要求也就越高。

2.按單晶生長方法劃分

直拉法制各的單晶硅,稱為CZ硅(片);磁控直拉法制各的單晶硅,稱為MCZ硅(片);懸浮區(qū)熔法制各的單晶硅,稱為FZ硅(片);用外延法在單晶硅或其他單晶襯底上生長硅外延層,稱為外延(硅片)。

三、硅片和晶圓的區(qū)別

未切割的單晶硅材料是一種薄型圓片叫晶圓片,是半導體行業(yè)的原材料,割后叫硅片,通過對硅片進行光刻、離子注入等手段,可以制成各種半導體器件。

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