2021中國IC風云榜“年度獨角獸獎”征集現已啟動！入圍標準要求為估值超過10億美元（或等值60億人民幣）的未上市的半導體行業優秀企業。評選將由中國半導體投資聯盟129家會員單位及400多位半導體行業CEO共同擔任評選評委。獎項的結果將在2021年1月份中國半導體投資聯盟年會暨中國IC 風云榜頒獎典禮上揭曉。

本期候選企業：英諾賽科（蘇州）科技有限公司（簡稱：英諾賽科）

英諾賽科于2017年成立，是一家致力于第三代半導體硅基氮化鎵研發與生產的高科技企業。英諾賽科采用IDM模式，集研發、設計、外延生長、芯片制造、測試與失效分析為一體，成功打造硅基氮化鎵全產業鏈平臺，產品涵蓋30-900V功率半導體器件，IC及射頻器件。英諾賽科30V-650V硅基氮化鎵系列芯片產品已陸續推出并實現量產，為世界上唯一能夠同時量產低壓和高壓硅基氮化鎵芯片的企業。旗下擁有英諾賽科（蘇州）半導體有限公司及英諾賽科（珠海）科技有限公司兩家控股子公司。

英諾賽科于2015年12月在珠海建設珠海8英寸硅基氮化鎵研發生產基地，投資額超20億元，目前產線運轉穩定，產品持續出貨中；于2018年在蘇州吳江開始建造蘇州8英寸硅基氮化鎵研發生產基地，項目投資60億元，蘇州項目一期已于2020年9月完成廠房基本建設和生產設備搬入，2020年12實現試生產，預計2021年3月正式投產，項目建成后將成為全球產能最大的8英寸硅基氮化鎵量產線，全線投產后將形成年產78萬片功率控制電路及半導體電力電子器件的產能，可創造就業崗位2000名。

英諾賽科目前總人數近1000人，成功聚集了國內外硅基氮化鎵領域頂尖的人才。核心技術團隊均來自于國際一流半導體企業，硅基氮化鎵產業化經驗豐富，專業領域涵蓋：寬禁帶半導體器件原理與器件設計、硅基氮化鎵與碳化硅外延產業化技術、硅基氮化鎵與碳化硅功率器件、射頻器件產業化技術、MOCVD設備技術。

打破國際壟斷

英諾賽科主要產品包括30V-650V 硅基氮化鎵功率及射頻器件。其中30V-650V 系列芯片產品已推出并實現量產，高壓650V 器件可應用于汽車、工業電機等產業，低壓30-200V 器件可應用于數據中心、自動駕駛激光雷達等戰略新興產業，英諾賽科是世界上唯一能夠同時量產低壓和高壓硅基氮化鎵芯片的企業。可全面支持上述產業的關鍵功率芯片應用供應，打破國際壟斷。

英諾賽科與華為、浪潮、小米、OPPO、大疆、比亞迪、禾賽科技、安森美、MPS 等國內外廠商開展深入合作，功率器件和射頻器件的應用開發。

英諾賽科對集微網表示，基于公司氮化鎵高壓芯片的大功率、小型化手機快充已經全面推向市場，英諾賽科成為中國唯一一家提供手機快充氮化鎵芯片的企業，打破了美國公司氮化鎵快充芯片在該領域的壟斷局面，公司“InnoGaN”氮化鎵功率器件產品出貨已達數百萬顆。

英諾賽科低壓氮化鎵產品已取代美國EPC 公司產品，成為中國領先的激光雷達企業禾賽科技的供應商，實現國產替代。

此外，英諾賽科已成功開發出應用于數據中心的低壓氮化鎵電源管理芯片產品，可取代原有硅器件，大幅度提升系統效率，降低能耗及運營成本。

英諾賽科與中國最為知名的5G射頻基站提供商開展廣泛戰略合作，積極開展應用于5G 基站的硅基氮化鎵射頻芯片開發，并計劃于2021 年開始小批量生產，逐步實現5G 應用領域射頻器件國產化。

實力秀肌肉

英諾賽科表示公司采用8英寸硅基氮化鎵生產工藝，相對其他尺寸的生產線，公司8英寸的生產工藝的成本更低和技術工藝更優及提高器件的可靠性。

英諾賽科結合德國愛思強MOCVD（G5+）和8英寸CMOS兼容晶圓制造線，解決了化合物半導體晶圓制造良率低、產能小、工藝不穩定的產業化技術瓶頸，成功實現了8英寸硅基氮化鎵器件的大規模量產。

此外，英諾賽科采用IDM全產業鏈模式，成功搭建了8英寸硅基氮化鎵全產業鏈平臺，內容涵蓋研發、設計、外延生長、芯片制造、測試與失效分析。公司通過自主研發，攻克了8英寸硅晶圓襯底上外延生長氮化鎵單晶材料的世界級難題，在世界上首次實現了8英寸硅基氮化鎵材料與器件的大規模量產，同時填補了國內在該領域的空白。

值得一提的是，英諾賽科在全球范圍內首次成功實現8英寸硅基氮化鎵量產技術，技術全球領先。該量產技術為國內首次實現，解決了國家在第三代半導體領域卡脖子問題，實現了零的突破。英諾賽科產品均具有自主核心知識產權，截止到目前，英諾賽科已申請國內外核心專利超過250項。

第三代半導體走上歷史舞臺

從20世紀60年代起，國際半導體工業已先后經歷了第一代鍺、硅器件和第二代砷化鎵器件兩個時代。目前，電子器件主要基于傳統的硅半導體，經過幾十年的發展，器件的性能已經達到硅材料上限，不能滿足進一步提高電能轉換效率的要求，已無法解決5G通信、數據中心、汽車等領域對器件高電壓、高效能、高能量密度、高可靠性的要求。因此，以氮化鎵為代表的第三代半導體器件正逐漸走上歷史舞臺。

英諾賽科表示，受制于成本因素，目前氮化鎵功率器件市場滲透率不到1%。未來，技術進步將推動氮化鎵功率器件的成本快速下降，逐漸成為低中壓功率半導體市場的主流產品。氮化鎵功率器件憑借其高頻特性和電源轉換效率，其出貨量預期有較強的增長潛力，有望在功率半導體領域替換硅功率器件。且隨著新能源汽車、5G 通信、數據中心、高速軌道交通的快速發展以及“新基建”的布局，氮化鎵功率器件必將面向更加廣闊的市場。

無論從技術的發展趨勢、應用導向還是國家政策層面，第三代半導體氮化鎵具有十分廣闊的市場前景。且中國作為全球最大的半導體消費市場，在市場風口到來、產業火熱加碼布局等利好因素加持下，國內第三代半導體產業正在進擊前行。隨著相關企業持續擴增產能、降低生產成本、提高產品可靠性，國產第三代半導體器件在下游應用市場的滲透率將日漸提升，并實現國產替代。

英諾賽科將一如既往堅持創新研發，為“新基建”注入新動能，加快5G通信、數據中心等新型基礎設施建設進度，以創新驅動發展助力中國“芯”突破，在龐大的半導體產業中實現對進口技術和產品的替代，讓中國成為第三代半導體硅基氮化鎵制造的世界第一。
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