晶瑞順利購得 ASML XT 1900 Gi 型光刻機一臺，可研發最高分辨率達 28nm 的高端光刻膠
晶瑞股份發布公告：經多方協商、積極運作，該公司順利購得 ASML XT 1900 Gi 型光刻機一臺。
該光刻機于 2021 年 1 月 19 日運抵蘇州并成功搬入公司高端光刻膠研發實驗室，即將組織調試。此外，這款 ASML XT 1900 Gi 型 ArF 浸入式光刻機可用于研發最高分辨率達 28nm 的高端光刻膠。
IT之家了解到，晶瑞股份于 2020 年 9 月 28 日晚發布公告稱，將開展集成電路制造用高端光刻膠研發項目，擬通過 Singtest Technology PTE. LTD. 進口韓國 SK Hynix 的 ASML 光刻機設備，總價款為 1102.5 萬美元（折合 7508 萬人民幣）。
ASML XT 1900 Gi 型光刻機并非先進工藝光刻機，但也實屬不易，在這關鍵時刻也算意義重大。
以下為官方原文：
責任編輯：PSY
聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規問題，請聯系本站處理。
舉報投訴
-
光刻機
+關注
關注
31文章
1150瀏覽量
47425 -
ASML
+關注
關注
7文章
718瀏覽量
41246 -
晶瑞
+關注
關注
0文章
10瀏覽量
7026
發布評論請先 登錄
相關推薦
光刻膠成為半導體產業的關鍵材料
光刻膠是半導體制造等領域的一種重要材料，在整個電子元器件加工產業有著舉足輕重的地位。 它主要由感光樹脂、增感劑和溶劑等成分組成。其中，感光樹脂決定了光刻膠的感光度和分辨率等關鍵性能，增
用來提高光刻機分辨率的浸潤式光刻技術介紹
? 本文介紹了用來提高光刻機分辨率的浸潤式光刻技術。 芯片制造：光刻技術的演進 過去半個多世紀，摩爾定律一直推動著半導體技術的發展，但當
光刻膠的主要技術參數
分辨率（resolution）。區別硅片表面相鄰圖形特征的能力。一般用關鍵尺寸（CD，Critical Dimension）來衡量分辨率。形成的關鍵尺寸越小，光刻膠的
一文解讀光刻膠的原理、應用及市場前景展望
光刻技術是現代微電子和納米技術的研發中的關鍵一環，而光刻膠，又是光刻技術中的關鍵組成部分。隨著技術的發展，對微小、精密的結構的需求日益增強，
如何成功的烘烤微流控SU-8光刻膠？
在微流控PDMS芯片加工的過程中，需要使用烘膠臺或者烤膠設備對SU-8光刻膠或PDMS聚合物進行烘烤。SU-8光刻膠的烘烤通常需要進行2-3
光刻膠涂覆工藝—旋涂
為了確保光刻工藝的可重復性、可靠性和可接受性，必須在基板表面上均勻涂覆光刻膠。光刻膠通常分散在溶劑或水溶液中，是一種高粘度材料。根據工藝要求
光刻膠的一般特性介紹
評價一款光刻膠是否適合某種應用需要綜合看這款光刻膠的特定性能，這里給出光刻膠一般特性的介紹。 1. 靈敏度 靈敏度（sensitivity）
光刻膠的保存和老化失效
通常要考慮光刻膠是否過期失效了。接下來我們將介紹一下光刻膠保存和老化失效的基礎知識。 光刻膠的保存 光刻膠對光敏感，在光照或高溫條件下其性能會發生變化。
關于光刻膠的關鍵參數介紹
與正光刻膠相比，電子束負光刻膠會形成相反的圖案。基于聚合物的負型光刻膠會在聚合物鏈之間產生鍵或交聯。未曝光的光刻膠在顯影過程中溶解，而曝光的
淺談不同階段光刻機工作方式
在曝光過程中，掩模版與涂覆有光刻膠的硅片直接接觸。接觸式光刻機的縮放比為1:1，分辨率可達到4-5微米。由于掩模和光刻膠膜層反復接觸和分離，隨著曝光次數的增加，會引起掩模版和
發表于 03-08 10:42
?1312次閱讀
瑞紅集成電路高端光刻膠總部落戶吳中
據吳中發布的最新消息，簽約項目涵蓋了瑞紅集成電路高端光刻膠總部項目，該項投資高達15億元，旨在新建半導體光刻膠及其配套試劑的生產基地。
工商網監
評論