回首半導體行業的發展歷程，從70多年前一顆小小的晶體管開始，到如今已經以各種形式滲透與每個人的生活密不可分，其發展速度之快讓摩爾定律面臨失效，無論是以硅為基礎的半導體材料，還是光刻機之類的半導體設備，還是存儲芯片的容量大小，幾乎都面臨急需攻克的難題與瓶頸。 回望2020年，一些瓶頸正悄悄找到出口，8個關鍵詞得以詮釋這一年來半導體行業的發展。

云上EDA

如果說2019年是云上EDA概念普及之年，那么2020年則是云上EDA探索落地之年，無論是EDA軟件商、IC設計企業以及代工廠，都在實踐云上EDA。 云上EDA是指在通過云的方式設計芯片，相比通過傳統的EDA工具設計芯片，EDA云平臺優點眾多，能夠適配EDA工具使用需求、擁有大規模算力自動化智能調度以及海量的云資源提供彈性算力支持，直接提升芯片的研發周期和良率，降低芯片設計成本。 全球三大EDA提供商之一新思科技目前已經同臺積電共同部署云上設計和芯片制造平臺，幫助臺積電成為首家實現云設計代工廠；亞馬遜AWS收購以色列芯片制造商Annapurna Labs之后，其 Graviton和Inferentia等芯片，從RTL到GDSII全都實現云上開發。國內也有包括阿里云在內的云公司提供EDA機型配置，平頭哥借助阿里云的全項目上云并結合服務器托管方案，設計上云實現10%到50%的性能提升。

對于云上EDA的未來，新思科技中國副總經理、芯片自動化事業部總經理謝仲輝看好其發展，認為芯片設計上云將引領芯片行業進入新的良性循環，對于決心投入芯片的互聯網及系統公司而言是機遇，也會讓傳統芯片公司不再局限于芯片的性能和功耗，而是與用戶應用場景緊密結合并提供更好的服務體驗。

3D封裝

3D封裝是一種立體封裝技術，在X-Y的二維封裝基礎之上向z軸延伸，也是為了突破摩爾定律瓶頸而誕生的一種新技術，在集成度、性能、功耗等方面有一定優勢，設計自由度高，開發時間更短，也是各個芯片廠商爭相角逐的先進封裝技術，在2020年競爭進一步升級。 臺積電自2018年首度對外公布其系統整合單芯片多芯片3D堆疊技術，陸續推出2.5D高端封裝技術CoWoS和扇出型晶圓技術InFo，搶占蘋果訂單。今年又針對先進封裝打造晶圓級系統整合技術平臺（WLSI），升級導線互連間距密度和系統尺寸，推出晶圓級封裝技術系統整合芯片（TSMC-SoIC），能夠將先進的SoC與多階層、多功能芯片整合，實現高速、低功耗、體積小的3D IC產品。

英特爾也于2年前首次展示其名為“Foveros”的3D封裝技術，在今年架構日上公布新進展，即“混合鍵合”技術（Hybrid bonding），以替代傳統的“熱壓鍵合”技術，加速實現10微米及以下的凸點間距，提供更好的互連密度、帶寬和更低的功率。 三星在今年對外宣布了全新的芯片封裝技術X-Cube3D已經可以投入使用，允許多枚芯片堆疊封裝，三星稱其能讓芯片擁有更強大的性能和更高的能效比。

國產替代

在中美關系緊張的環境下，今年中國半導體市場異?；馃?。據天眼查數據顯示，截止2020年12月，我國今年新增超過6萬家芯片相關企業，較去年同比增長22.39%。目前全國約有24.4萬家芯片相關企業，超2萬家芯片相關企業擁有專利。 這是環境和政策雙重作用下的結果，尤為明顯的是，在科創板一周年之時，市值排名前十的公司中，就有包括中芯國際、滬硅產業、中微公司、瀾起科技和寒武紀在內的5家公司屬于半導體領域。

在解決人才短缺問題上，也有一些新動作：將集成電路學科設置為一級學科，讓本科畢業生帶“芯”畢業的“一生一芯”計劃項目，成立南京集成電路大學，無一不是為國產替代做準備。

也有行業專家參與到“國產替代”的討論，清華大學微電子研究所所長魏少軍認為，芯片全面國產替代指日可待是口號型的發展，會讓政府遭遇很大的壓力。華潤微電子代工事業群總經理蘇巍指出，“當下國產芯片自給自足率不足三成，中國整個半導體產業鏈發展明顯有短板和不足，但是在功率半導體領域，我們看到它率先進行突圍，與國際一流技術水平差距在縮小。”

黃氏定律

在12月份的英偉達2020 GTC China大會上，英偉達首席科學家兼研究院副總裁Bill Dally在演講中稱，如果我們真想提高計算機性能，黃氏定律就是一項重要指標，且在可預見的未來都將一直適用。這是“黃氏定律”這一命名首次被英偉達官方認可。 黃氏定律具體是指英偉達創始人黃仁勛對AI性能的提升做出的預測， GPU將推動AI性能實現逐年翻倍。大會上，Bill Dally用三個項目說明黃氏定律實現的關鍵，包括實現超高能效加速器的MAGNet工具、以更快速的光鏈路取代現有系統內的電氣鏈路、全新編程系統原型Legate。

幾十年前，英特爾創始人之一戈登·摩爾提出了著名的摩爾定律，從經濟學的角度成功預測幾十年來集成電路的發展趨勢，即每18個月晶體管數目和性能提升一倍。當下，英偉達作為當下炙手可熱的AI芯片公司，其黃氏定律有望引領未來幾十年芯片行業的發展。

寬禁帶半導體

寬禁帶半導體即第三代半導體材料，包括碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、氧化鋅（ZnO）、金剛石（C）、氮化鋁（AlN）等新興材料，最初其研究與開發主要用于滿足軍事和國防需求。寬禁帶半導體的帶隙大于硅半導體的2.2e，能夠有效減小電子跨越的鴻溝，減少能源損耗，因此多應有于節能領域，主要是功率器件。今年年初小米推出氮化鎵快充就是寬緊帶半導體的典型用例。 要讓寬禁帶半導體取代硅基，需要克服成本瓶頸，碳化硅和氮化鎵襯底成本過高，使得器件成本高于傳統硅基的5到10倍，是阻礙寬禁帶半導體普及的主要原因。不過，在技術和工藝的提升下，成本已接近硅基器件。 今年，在各省份的“十四五”規劃建議稿中，紛紛提及加快布局第三代半導體等產業。寬禁帶半導體成為2020年乃至往后幾年里中國半導體產業的重要發展方向之一。

8英寸晶圓

晶圓缺貨是半導體行業常有的現象，但今年受疫情影響以及5G應用需求增長，各個代工的8英寸晶圓廠產能爆滿，缺貨現象尤為嚴重。臺積電董事長黃崇仁曾在11月概括晶圓產能緊張現狀，稱目前晶圓產能已緊張到不可思議，客戶對產能的需求已達到恐慌程度，預計明年下半年到2022年下半年，邏輯、DRAM市場都會缺貨到無法想象的地步。 模擬芯片和功率器件需求持續上漲，與本就現存不多的8英寸晶圓廠產線相擠壓，產能持續緊張，另一方面導致包括MOSFET、驅動IC、電源管理IC等其他需要在8英寸晶圓生產的芯片或器件的生產周期延長，市場價格紛紛上漲。 根據TrendForce最新調查研究，預計2020年全球晶圓代工收入將同比增長23.8%，為十年來最高，先進節點和8英寸產能成為晶圓代工行業競爭力的關鍵。

5nm

5G落地之年，作為引擎的5G芯片固然不可缺席，在移動手機市場上，也迎來在5nm戰場上的新一波5G芯片之爭。自2019年底各大芯片廠首發自家的5G芯片之后，2020年芯片廠商們更執著于推出7nm以下先進制程的5G芯片，且由外掛5G基帶升級到集成式SoC。 蘋果首發了采用臺積電5nm工藝制程的A14 Bionic，集成118億晶體管，但依然是用外掛高通驍龍5G基帶。此后華為發布麒麟9000，成為世界上首個采用5nm制程的5G手機SoC，集成153億個晶體管。 之后，三星發布Exyons 1080，采用自家的5nm工藝制程和自家的5G基帶，以集成式SoC的設計進入旗艦行列，將在ViVO的新機上首發。 高通驍龍888是2020年最后一款5nm集成式5G SoC，代號從875變888表達對中國5G市場重要性的認可。驍龍888同樣采用三星5nm工藝制程，集成全球首款5nm 5G基帶驍龍X60，能夠提供高達7.5Gpbs的5G商用網絡速度。

存算一體

在AI算法對算力需求增長的時代，馮諾依曼架構帶來的“內存墻”問題愈發明顯，即其存儲與計算在物理上的分離，使得計算過程中需要不斷地通過總線交換數據，從內存讀取數據到CPU，計算后再寫回存儲。由于存儲速度遠低于計算速度，大部分時間和功耗都消耗在總線傳輸上，最終導致傳統芯片算力難以跟上需求。 為解決“內存墻”問題，基于憶阻器的存算一體技術被提出，從器件研究到計算范式研究，直到今年取得新的進展。 今年2月，清華大學微電子所、未來芯片技術精尖創新中心錢鶴、吳華強教授團隊與合作者成功研發出一款基于多陣列憶阻器存算一體系統，以憶阻器替代經典晶體管，打破馮諾依曼瓶頸，以更小的功耗和更低的硬件成本大幅提升計算設備的算力，成為第一款基于憶阻器的CNN存算一體芯片。

在2020第五屆全球人工智能與機器人峰會（CCF-GAIR 2020）上，清華大學副教授高濱演講時表示，存算一體芯片的下一步將是存算一體計算系統的搭建，在不改變現有變成語言的情況下，計算能效會有百倍到千倍的提升。

原文標題：2020，半導體行業的8大關鍵詞

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責任編輯：haq