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臺(tái)積電3nm工藝將在2022年下半年批量生產(chǎn)

我快閉嘴 ? 來源:創(chuàng)投時(shí)報(bào) ? 作者:BU ? 2021-01-24 11:06 ? 次閱讀

在1月15日舉行的法人說明會(huì)上,臺(tái)積電透露了公司3nm工藝的研發(fā)情況。在今年下半年,臺(tái)積電3nm工藝將進(jìn)行風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn),并在2022年下半年開始批量生產(chǎn)。

臺(tái)積電提高了對2021年的資本支出目標(biāo),為250到280億美元。其中,將近80%將用于3nm、5nm等先進(jìn)制程的研發(fā),以保持臺(tái)積電在先進(jìn)工藝上的優(yōu)勢。

臺(tái)積電表示,3nm相較于5nm,將具備高達(dá)70%的邏輯密度增益、性能增益與能效增益分別為15%、30%。對于3nm工藝,臺(tái)積電顯得相當(dāng)有信心。

中芯國際蔣尚義潑來冷水

在近日舉行的第二屆中國芯創(chuàng)年會(huì)上,蔣尚義在回歸中芯國際后首次公開演講,并指明了芯片行業(yè)未來發(fā)展方向。

蔣尚義表示,摩爾定律的進(jìn)展已接近物理極限,只有極少數(shù)需求量極大的產(chǎn)品,才能使用最先進(jìn)的硅工藝。而在即將到來的后摩爾時(shí)代里,先進(jìn)封裝與電路板技術(shù)是發(fā)展的趨勢。

因此,臺(tái)積電所追求的先進(jìn)工藝將逐漸不再適應(yīng)時(shí)代的發(fā)展,先進(jìn)封裝將成為后摩爾時(shí)代布局的技術(shù)。這對臺(tái)積電來說,無疑是被潑了一盆冷水。

而為了適應(yīng)時(shí)代的發(fā)展,中芯國際將在先進(jìn)工藝、先進(jìn)封裝兩方面共同努力。

國產(chǎn)芯片有望彎道超車

先進(jìn)封裝,有望成為中國芯片超車的重要利器。

先進(jìn)封裝在新型系統(tǒng)級(jí)芯片的開發(fā)中,愈來愈重要,正成為一種更可行的解決方案,是業(yè)界認(rèn)為一種可以超越摩爾定律極限的方式。

在先進(jìn)封裝上,芯片行業(yè)所追求的不再是更小的芯片尺寸,而是小芯片的排列組合,已達(dá)到不同的效果。

蔣尚義認(rèn)為,當(dāng)集成電路做到極致的時(shí)候,就應(yīng)該反過來研究整個(gè)系統(tǒng)。他認(rèn)為,封裝與電路板在先進(jìn)制程進(jìn)步愈發(fā)緩慢時(shí),將成為制約整個(gè)系統(tǒng)的瓶頸。

因此,蔣尚義是先進(jìn)封裝堅(jiān)決的推崇者。

然而,梁孟松卻持不同觀點(diǎn)。目前先進(jìn)封裝的行業(yè)規(guī)模有限,梁孟松更愿意繼續(xù)朝著先進(jìn)工藝的方向發(fā)展。

這或許是為何,蔣尚義回歸之后,便傳出了梁孟松辭職的消息。這是梁孟松與蔣尚義的一場發(fā)展路線之爭。最終,中芯國際選擇從先進(jìn)工藝、先進(jìn)封裝兩方面共同推進(jìn),這可以降低風(fēng)險(xiǎn)。

中芯國際的決定,為我國芯片產(chǎn)業(yè)彎道超車帶來了希望,令人期待。
責(zé)任編輯:tzh

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