快充專用60V低壓mos 40A封裝DFN3*3低結(jié)電容低Qg
★MOS管主要參數(shù)★
MOS管型號(hào)：HG5511D
參數(shù)：60V 40A
封裝：DFN3333
內(nèi)阻：11mR(Vgs=10V)14mR(Vgs=4.5V)
結(jié)電容：550pF
開(kāi)啟電壓：1.8V
應(yīng)用領(lǐng)域：車燈照明、車載電子、電動(dòng)車應(yīng)用、LED去頻閃、LED升降壓照明、太陽(yáng)能源、舞臺(tái)燈照明、加濕器、美容儀等電壓開(kāi)關(guān)應(yīng)用。
【高頻率 大電流 SGT工藝 開(kāi)關(guān)損耗小】
fqj
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發(fā)表于 10-11 09:47
Adaman砹德曼AD40N70D5耐高壓MOS
在PD快充、移動(dòng)電源領(lǐng)域又較大的威望
配合升降壓控制器、協(xié)議芯片、外掛mos模式
Configuration
Single
Type
N
Package
PDFN5060
VDS (V
發(fā)表于 09-30 10:10
銳駿200V低壓和600V高壓MOS對(duì)于電機(jī)控制和電源管理
速度快，適用于中低壓小串?dāng)?shù)應(yīng)用場(chǎng)景。
應(yīng)用場(chǎng)景：家電電機(jī)；PD快充、多口USB、反激式電源等。
[](javascript: void(0))
產(chǎn)品類型：Super Junction
發(fā)表于 09-23 17:07
30V MOS管 60VMOS管 100VMOS管 150VMOS管推薦
NMOS和PMOS管，可搭配芯片。
我司MOS具有：低內(nèi)阻、低開(kāi)啟、低結(jié)電容、等特性，SGT工藝和溝道M
發(fā)表于 05-28 15:36
SLD60N02T美浦森 TO-252封裝 60A 20V MOS管
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發(fā)表于 03-08 11:22
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