華為首度公開宣判及其制備方法專利
企查查APP顯示，近日，華為技術(shù)有限公司公開一種“芯片及其制備方法、電子設(shè)備”專利，用于解決裸芯片上出現(xiàn)裂紋，導(dǎo)致裸芯片失效的問題。
該專利公開號(hào)CN112309991A，申請(qǐng)日2019年7月26日，公開日2021年2月2日。
華為在專利說明書中表示，電子系統(tǒng)中的核心部件則為裸芯片，裸芯片結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定性決定了電子系統(tǒng)的穩(wěn)定性。
然而，在現(xiàn)有技術(shù)中，制備裸芯片，或?qū)β阈酒M(jìn)行封裝時(shí)，因受熱或受壓后容易出現(xiàn)裸芯片中膜層與膜層之間開裂，或者膜層斷裂，導(dǎo)致裸芯片失效的問題。
本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種芯片及其制備方法、電子設(shè)備，用于解決裸芯片上出現(xiàn)裂紋，導(dǎo)致裸芯片失效的問題。
芯片，包括功能區(qū)和位于功能區(qū)外圍的非功能區(qū)，芯片包括：半導(dǎo)體基底；多層介電層，設(shè)置于半導(dǎo)體基底上，且介 電層的一部分位于非功能區(qū)；至少一個(gè)第一加強(qiáng)件，位于非功能區(qū)；第一加強(qiáng)件嵌入至少兩層介 電層，且第一加強(qiáng)件與其嵌入的介電層相連接。
責(zé)編AJX
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
芯片
+關(guān)注
關(guān)注
456文章
50965瀏覽量
424816 -
華為
+關(guān)注
關(guān)注
216文章
34479瀏覽量
252153 -
專利
+關(guān)注
關(guān)注
3文章
587瀏覽量
39228
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
晶科能源榮獲第25屆中國專利獎(jiǎng)優(yōu)秀獎(jiǎng)
近日，國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局公示了第二十五屆中國專利獎(jiǎng)的評(píng)審結(jié)果，晶科能源憑借專利“一種太陽能電池及其制備方法、光伏組件（
華為公開量子計(jì)算新專利
近日，華為公司公開了一項(xiàng)名為“一種量子計(jì)算方法、裝置、存儲(chǔ)介質(zhì)以及芯片系統(tǒng)”的專利，其公開號(hào)為CN118780379A。 該
AMEYA360：士蘭微“MEMS器件及其制造方法”專利獲授權(quán)
天眼查顯示，杭州士蘭微電子股份有限公司近日取得一項(xiàng)名為“MEMS器件及其制造方法”的專利，授權(quán)公告號(hào)為CN109665488B，授權(quán)公告日為2024年7月19日，申請(qǐng)日為2018年12月29日。 本
蘇州敏芯微電子專利獲傳感器制備方法
近期，蘇州敏芯微電子技術(shù)股份有限公司獲得一項(xiàng)名為“傳感器結(jié)構(gòu)及其制造方式、電子設(shè)備”的專利授權(quán)（授權(quán)公告號(hào)：CN113666329B），該專利的申報(bào)日期為2021年8月31日，發(fā)明公開
專為京東方科技集團(tuán)股份有限公司研發(fā)的測(cè)序芯片、制備方法和測(cè)序裝置
京東方科技集團(tuán)于2024年5月14日正式對(duì)外公開其擁有的一項(xiàng)關(guān)于“測(cè)序芯片、制備方法及測(cè)序裝置”的創(chuàng)新專利。此次專利
振華新材鈉離子電池訂單與海外市場(chǎng)布局狀況
在上個(gè)月底，振華新材在與投資者交流中公開表示，他們已經(jīng)掌握了COF材料的核心技術(shù)，并已提交專利申請(qǐng)（專利名：一種共價(jià)有機(jī)框架/磷基負(fù)極材料及其制備
中芯國際獲非易失性存儲(chǔ)裝置及其制作方法專利
該專利涉及一種新型非易失性存儲(chǔ)裝置及其制作工藝。具體而言，其步驟如下：首先，制備包含器件區(qū)與非器件區(qū)的基底；接著，在基底上依次沉積第一電極材料層及絕緣材料層；然后，在絕緣材料層上形成犧牲層，該層覆蓋非器件區(qū)并露出器件區(qū)；
中芯國際獲“半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法”專利?
該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法主要包含以下步驟：首先，需制備基底，其中含有器件區(qū)及位于兩側(cè)的隔離區(qū)；之后進(jìn)行基底圖案化，制作出襯底及突出于襯底的鰭部；接著，在器件區(qū)兩側(cè)形成突出于隔離區(qū)襯底的第一偽鰭部；
江西薩瑞微獨(dú)家研發(fā)【一種LDMOS場(chǎng)效應(yīng)管及其制備方法】
一種LDMOS場(chǎng)效應(yīng)管及其制備方法本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)領(lǐng)域，具體涉及一種LDMOS場(chǎng)效應(yīng)管及其制備方
華為公布一項(xiàng)名為“鈉電池復(fù)合正極材料及其應(yīng)用”的發(fā)明專利
近日，華為于4月2日公布一項(xiàng)名為“鈉電池復(fù)合正極材料及其應(yīng)用”的發(fā)明專利，該專利技術(shù)可實(shí)現(xiàn)復(fù)合正極材料包括內(nèi)核和包覆內(nèi)核的包覆層，內(nèi)核包括層狀鈉正極活性材料，包覆層材料的脫鈉電勢(shì)高于內(nèi)
華為公布創(chuàng)新光通信專利
據(jù)最新消息透露，華為技術(shù)有限公司近日成功公布了一項(xiàng)名為“一種光模塊、光通信設(shè)備及光通信系統(tǒng)”的專利，公開號(hào)CN117767976A。該專利的公布標(biāo)志著
華為公開智能駕駛新專利：可識(shí)別唇語并報(bào)警
華為技術(shù)有限公司最近公開了一項(xiàng)關(guān)于“報(bào)警方法、裝置以及智能駕駛設(shè)備”的新專利，這項(xiàng)創(chuàng)新技術(shù)為智能駕駛領(lǐng)域注入了新的活力。
華為技術(shù)近日公開了一項(xiàng)“超聲波指紋”專利
國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局顯示，華為技術(shù)有限公司近日公開了一項(xiàng)“超聲波指紋”專利，該專利編號(hào)為 CN117058725A，申請(qǐng)日為 2023 年 7 月 4 日。
武漢新芯集成電路專利“半導(dǎo)體器件及其制備方法”公布?
在此項(xiàng)專利中，申請(qǐng)人展示了一種新型半導(dǎo)體器件及其制作流程。其主要步驟包括先制備出含有第一鈍化層，第一金屬層和第二鈍化層的半導(dǎo)體基體；接著在第二鈍化層背對(duì)第一鈍化層的一側(cè)表面設(shè)計(jì)并形成可用作掩模的圖案，過量暴露第一介面的至少局部區(qū)
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論