光耦 繼電器適用特性參數介紹
光耦以光信號為媒介來實現電信號的耦合與傳遞，輸入與輸出完全隔離，實現高壓和低壓的電氣隔離(低壓的控制器||高壓的馬達等高壓裝置)，
達到抗干擾目的。
一般的Photo-TransistorCoupler因芯片結構影響，傳輸速度慢(100Kbps以下)，在大量傳輸數據的場合不敷使用。
高速傳輸常透過計算機或控制器輸出信號，因此發展出高速傳輸場合使用的高速光耦，更復雜的IC結構，不只有模擬，也能做數字信號的輸出，速度也提升到10Mbps以上。
電源最常用到817系列，注意參數CTR（電流轉換比）高速光耦傳輸速度分:6n136-1mb6n137-10mb/EL071L/15MB傳輸速度越快機器執行度更加靈敏
IGBT光耦非常適合于驅動功率igbt和mosfet，用于電機控制逆變器應用和逆變器供電系統。它包含一個AlGaAsLED光學耦合到集成電路與功率輸出級。1.0A~2.5A峰值輸出電流能夠直接驅動大多數igbt，額定電壓高達1200V/50A。對于額定功率較高的IGBT,可用于驅動驅動IGBT門的離散功率級。
特性
1.0~2.5A最大輸出電流峰值
軌到軌輸出電壓
最大傳播延遲200ns
最大傳播延遲差為100ns
在VCM=1500v時，35kv/us最小共模抑制(CMR)
工作范圍:15~30伏(VCC)
在-40℃~+105℃溫度下保證性能。
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發表于 02-27 10:05
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工商網監
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