型號:HC3400M
參數:30V 5.8A
類型:N溝道場效應管
內阻27mR(Vgs=10V)
低結電容635pF
封裝:SOT23-3
低開啟電壓0.7V
可免費申請樣品和DEMO測試,免費技術支持。
100V大電流系列:2N10、3N10、4N10、5N10、10N10、15N10、17N10、25N0、30N10、35N10、40N10、50N10
SOT23-3封裝、SOT223封裝、SOP8封裝、TO-252封裝、DFN封裝
60V大電流系列:5N06、10N06、20N06、25N06、30N06、35N06、40N06、50N06、60N06、70N06
30V大電流系列:3400、3404、2301、2300、9926、30N03、20N03、50N03、70N03、100N03、110N03
聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。
舉報投訴
-
場效應管
+關注
關注
47文章
1166瀏覽量
64066 -
MOS管
+關注
關注
108文章
2426瀏覽量
67112 -
調光
+關注
關注
1文章
234瀏覽量
34986
發布評論請先 登錄
相關推薦
場效應管的參數介紹 如何測試場效應管的功能
參數介紹 最大漏極電流(IDmax) :場效應管能夠承受的最大漏極電流,超過此值可能會導致器件損壞。 最大漏源電壓(VDSmax) :場效應管
常見場效應管類型 場效應管的工作原理
場效應管(Field-Effect Transistor,簡稱FET)是一種電壓控制型半導體器件,它利用電場效應來控制電流的流動。場效應管的主要類型有結型
P溝道場效應管的電流方向是什么
P溝道場效應管(P-channel Field-Effect Transistor,簡稱P-FET)的電流方向是半導體器件工作中的一個基本特性,它決定了電流在器件內部的流動路徑。對于P溝道場效
P溝道場效應管的導通條件
P溝道場效應管(P-channel Field-Effect Transistor,簡稱P-FET)的導通條件是其能夠正常工作的關鍵要素。以下是關于P溝道場效應管導通條件的詳細介紹,旨在全面解析其工作原理和條件要求。
什么是N溝道場效應管和P溝道場效應管
場效應管(Field Effect Transistor,簡稱FET)是一種通過改變電場來控制半導體材料導電性能的電子器件。根據導電溝道中載流子的類型,場效應管可以分為N
N溝道場效應管和P溝道場效應管有什么區別
N溝道場效應管(N-Channel Field Effect Transistor, N-Channel FET)和P溝道場效應管(P-Ch
N溝道結型場效應管的工作原理
N溝道結型場效應管(N-Channel Junction Field Effect Transistor, N-Channel JFET)的
場效應管N溝道和P溝道怎樣判斷
場效應管(Field-Effect Transistor, FET)的N溝道和P溝道是其兩種主要類型,它們在導電機制、結構特點、工作原理及應用場景上存在顯著差異。要準確判斷一個
場效應管的電流方向怎么判斷
場效應管(Field Effect Transistor,簡稱FET)的電流方向判斷,主要依據其類型(N溝道或P溝道)以及源極(S)、漏極(
MT3287 N溝道場效應管70V,80A,6.8mΩ。
MT3287 N溝道場效應管是一款高性能的半導體器件,廣泛應用于各種電子設備和系統中。其獨特的70V耐壓、80A的電流承載能力以及6.8毫歐的低電阻特性,使得它在電力電子、工業自動化、
場效應管的雪崩電流解析
在電子工程領域,場效應管(Field Effect Transistor,簡稱FET)作為一種重要的半導體器件,廣泛應用于各種電子設備和電路中。其中,功率MOS場效應管(MOSFET)因其獨特的性能
30V MOS管 60VMOS管 100VMOS管 150VMOS管推薦
MOS管,即金屬氧化物半導體場效應管,其工作原理是:在P型半導體與N型半導體之間形成PN結,當加在MOS
發表于 05-28 15:36
2586場效應管能不能使用3205場效應管代替?
替代原有場效應管的替代品。本文將詳細比較分析2586場效應管和3205場效應管兩種常見型號的特性和性能,以確定3205能否替代2586。 一. 2586場效應管的
評論