三星有望超車臺(tái)積電

3月15日消息，三星在IEEE ISSCC國(guó)際固態(tài)電路大會(huì)上首次展示采用3nm的256Mb（32MB）容量SRAM存儲(chǔ)芯片。并使用MBCFET技術(shù)，寫入電壓僅0.23V，是三星實(shí)現(xiàn)新工藝量產(chǎn)的一次重大進(jìn)步。

三星的3nm工藝采用了GAAFET（環(huán)繞柵極場(chǎng)效應(yīng)晶體管）技術(shù)，與上一代7LPP FinFET工藝相比，晶體管密度可以提高80%，性能可提升30%，或功耗降低50%。有消息稱，臺(tái)積電也在研發(fā)3nm工藝，可惜新工藝仍將采用FinFET立體晶體管技術(shù)，與5nm工藝相比，晶體管密度將提高70%，性能可提升11%，或功耗降低27%。

從上面的參數(shù)來看，三星貌似有望實(shí)現(xiàn)彎道超車。但三星未公布3nm訂單情況，臺(tái)積電則基本確認(rèn)，客戶會(huì)包括蘋果、AMD、NVIDIA、聯(lián)發(fā)科、賽靈思、博通、高通等。

三星這次能否全面反超臺(tái)積電，我們拭目以待。

高通將優(yōu)先保證高端SoC芯片供應(yīng)

據(jù)路透社報(bào)道，全球芯片產(chǎn)能緊張的狀況進(jìn)一步擴(kuò)大，高通向三星供貨已被影響。報(bào)道稱，本次不僅影響到了中低端芯片，高通向三星 Galaxy S21 系列手機(jī)供應(yīng)驍龍 888 SoC 的能力也受到了限制。目前高通產(chǎn)能受影響的程度未知，而高通仍有信心實(shí)現(xiàn)第二季度目標(biāo)。

高通表示，“將優(yōu)先保證高端 SoC 芯片的供應(yīng)，而不是低價(jià)的入門級(jí)芯片。”稱有一家知名手機(jī)制造商向路透社表示，高通公司芯片都供應(yīng)緊張，所以只能削減智能手機(jī)的產(chǎn)能。

小米盧偉冰也表示過，目前智能手機(jī)的芯片是非常短缺的。高通即將上任的 CEO Cristiano Amon 表示，目前芯片短缺的情況有一部分原因是美國(guó)對(duì)華為的限制，導(dǎo)致手機(jī)廠商（如榮耀）只能選擇其它公司的芯片。

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