第三代半導體材料又稱寬禁帶半導體材料，主要包括碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等。與第一、二代半導體材料相比，第三代半導體材料擁有高禁帶寬度、高飽和電子漂移速度、高熱導率、導通阻抗小、體積小等優勢，特別適用于5G射頻和高壓功率器件。

據集邦咨詢（TrendForce）指出，因疫情趨緩所帶動5G基站射頻前端、手機充電器及車用能源等需求逐步提升，預期2021年GaN通訊及功率器件營收分別為6.8億和6100萬美元，年增30.8%及90.6%，SiC器件功率領域營收可達6.8億美元，年增32%。

圖：GaN、SiC功率器件市場規模

“十四五”規劃中把第三代半導體確定為我國集成電路產業的重要發展方向。國家政策的支持下，加之行業應用蓬勃發展，第三代半導體市場發展一片利好。

本路線精心挑選了11家第三代半導體領域的廠商，主要從SiC功率器件和GaN功率、射頻器件進行介紹。

SiC功率器件

傳統半導體工藝在高電壓大電流應用中常暴露很多缺陷，如第一代半導體材料硅，其硅基功率MOSFET和IGBT在電壓大于900V時，轉換效率、開關頻率和工作溫度受到限制，無法實現更大功率。碳化硅(SiC)材料恰恰解決了這個問題，因其禁帶寬度大、熱導率高、電子飽和遷移速率高和擊穿電場高等物理性能讓碳化硅器件在高溫、高壓、高頻和大功率電子器件領域中有著不可替代的優勢。

碳化硅材料作為第三代半導體材料之一，可用于制作功率器件，推動了功率半導體行業的迅速發展。據Yole預測，未來碳化硅器件的應用將會更加廣泛，市場的發展也會更加迅速，主要應用集中在5G基建、新能源汽車、充電樁、特高壓、城際高鐵交通等方面。

GaN射頻器件

與碳化硅同屬第三代寬禁帶半導體材料的氮化鎵，擁有與碳化硅相類似的寬禁帶性能優勢，但在成本控制潛力上更勝一籌。相較于已經發展十多年的碳化硅，氮化鎵功率器件無疑是后進者。

與傳統Si材料相比，基于氮化鎵材料制備的功率器件具有功率密度高、能量轉換效率高等優勢，能夠減輕電子電力元件的體積和重量，使電子系統更加微小、更加輕便，從而極大降低系統制作及生產成本。

同時，由于氮化鎵功率元件可以在硅基質上成長，氮化鎵比碳化硅成本更加低廉，適用于中低壓和高頻領域。

氮化鎵材料在射頻器件和電力電子器件兩個領域大放異彩。射頻器件產品包括功率放大器（PA）、低噪聲放大器（LNA）、射頻開關器、單片微波集成芯片（MMIC）等，在5G基站、衛星、雷達和通信設備等領域應用廣泛。據Yole預測，2019年到2025年GaN RF器件的應用市場復合增長率將會達到12%。氮化鎵電力電子器件則更加適用于高頻率、小體積、低成本、功率要求低的情況，主要應用方向集中在快充電源市場。

原文標題：e星球觀展路線推薦第一彈：第三代半導體主題

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責任編輯:haq