預(yù)計到2027年，全球電動汽車充電站市場規(guī)模將從2020年估計的2，115，000個成長至30，758，000個，復(fù)合年均成長率高達(dá)46.6%。該報告的基準(zhǔn)年為2019年，預(yù)測期為2020年至2027年。從地理位置來看，亞太地區(qū)（尤其是中國）電動汽車銷量的迅速成長推動了全球電動汽車充電站市場的成長。預(yù)測期間內(nèi)歐洲有望成為第二大市場。

有鑒于30分鐘內(nèi)即可將電動汽車快速充滿的便利性，3級充電（即DC快速充電）的成長速度最快。意法半導(dǎo)體（ST）產(chǎn)品可支持此一市場／應(yīng)用。將在以下章節(jié)中介紹主要系統(tǒng)架構(gòu)以及主要適用的意法半導(dǎo)體產(chǎn)品。

架構(gòu)與ST產(chǎn)品

DC快速充電站的功率范圍為30-150kW，該技術(shù)采用15-30 kW子單元的模塊化方法（圖一），并透過將子單元堆棧來形成功率更高的DC充電系統(tǒng)。該方法提供了一種彈性、快速、安全且實惠的解決方案。

ST產(chǎn)品涵蓋了每個子單元（圖二）中所包含的主功率和控制單元/驅(qū)動級。

圖一 ： 充電站子單元可堆棧解決方案

對于功率級（PFC + DC-DC部分），設(shè)計效率為關(guān)鍵，對于功率范圍為15-30kW的子單元，ST為PFC、DC-DC和控制單元／驅(qū)動級提供合適且高效的智能產(chǎn)品，如下所述。

PFC級

對于3相輸入，功率因子校正（PFC）級可透過幾種配置來實現(xiàn)，并通常使用Vienna整流器拓?fù)洌▓D三，類型1或類型2）。

圖二 ： 子單元架構(gòu)圖

圖三 ： PFC Vienna整流器拓?fù)?/p>

根據(jù)設(shè)計和/或客戶需求，意法半導(dǎo)體提供多種開關(guān)（圖三，組件T）：

? 第二代SiC MOSFET@內(nèi)文：（650V系列SCT*N65G2）基于寬能隙材料的先進(jìn)性和創(chuàng)新性，藉由單位面積極低的導(dǎo)通電阻以及出色的開關(guān)性能，可達(dá)到高效且高率配置緊密的設(shè)計。特別是，具有18mΩ RDS（on）的4腳位SCTW90N65G2V-4可在100℃下輕松處理90 A的漏極電流。

? IGBT HB2系列@內(nèi)文：（650V系列STGW*H65DFB2）可在中至高頻率下運(yùn)作的應(yīng)用中確保更高的效率。結(jié)合較低的飽和電壓（1.55 V典型值）和較低的總閘極電荷，該IGBT系列可確保應(yīng)用在關(guān)斷期間具有最低的過沖電壓并具有較低的關(guān)斷耗能。特別是，受益于將電源路徑與驅(qū)動訊號隔開的Kelvin腳位，STGW40H65DFB-4可實現(xiàn)更快的開關(guān)。

? 功率MOSFET MDMesh M5系列@內(nèi)文：（650V系列，STW*N65M5）采用創(chuàng)新的垂直制程，具有更高的VDSS額定值和高dv/dt性能、出色的導(dǎo)通電阻 x面積以及卓越的開關(guān)性能。

在輸入級中，可透過以下組件來控制浪涌電流：

? SCR閘流體@內(nèi)文：TN*50H-12WY（圖三，Vienna 1，組件DA）是一款經(jīng)AEC-Q101認(rèn)證的整流器，具有優(yōu)化的功率密度和抗浪涌電流能力，可實現(xiàn)1200V的阻斷能力，就可避免使用限制系統(tǒng)效率與壽命的無源組件。

? 輸入橋整流器@內(nèi)文：STBR*12 1200系列（圖三，Vienna1，組件DB）具有低正向壓降，可提升輸入橋的效率，并符合最嚴(yán)苛的標(biāo)準(zhǔn)。該產(chǎn)品適用于混合橋配置以及ST的SCR閘流體。

就二極管而言，新型SiC二極管650/1200V系列拓?fù)浣Y(jié)合了最低的正向電壓與最先進(jìn)的正向浪涌電流穩(wěn)健性。設(shè)計人員可以選擇低額定電流二極管而不犧牲轉(zhuǎn)換器的效率，同時提升高性能系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)效益。

? Vienna 1型為650V（STPSC*H65）（圖三，組件DC）

? Vienna 2型為1200V（STPSC*H12）（圖三，組件D）

DC-DC級

在DC/DC轉(zhuǎn)換級中，由于其效率、電流隔離和較少的組件，全橋諧振拓?fù)洌▓D四）通常為首選。

圖四 ： FB-LLC諧振拓補(bǔ)

對于Vout= 750-900V的3相PFC轉(zhuǎn)換器以及400V-800V的高壓電池，ST為FB-LLC諧振轉(zhuǎn)換器提供：

? 第二代SiC MOSFET 1200V系列SCT*N120G2（圖四，組件T）

? SiC二極管1200V STPSC*H12（圖四，組件D）

控制單元與驅(qū)動級

根據(jù)設(shè)計需求，ST提供MCU和數(shù)字控制器：

? 最適合功率管理應(yīng)用的32位微控制器為STM32F334（來自STM32F3系列）和STM32G474（來自STM32G4系列）。STM32F3 MCU系列結(jié)合使用了運(yùn)作頻率為72 MHz的32位Arm Cortex-M4內(nèi)核心（采用FPU和DSP指令）、高分辨率定時器、復(fù)雜波形生成器及事件處理器。運(yùn)作頻率為170 MHz的STM32G4系列32位Arm Cortex-M4+內(nèi)核心為STM32F3系列的延續(xù)，其在應(yīng)用方面降低了成本、簡化了應(yīng)用設(shè)計并為設(shè)計人員提供了探索新的細(xì)分領(lǐng)域和應(yīng)用的機(jī)會，從而在模擬技術(shù)方面保持領(lǐng)先地位。

? STNRG388A數(shù)字控制器的核心為狀態(tài)機(jī)事件驅(qū)動（SMED），它使組件能夠采用最高分辨率為1.3 ns的六個可獨(dú)立配置的PWM頻率。每個SMED均可以透過STNRG內(nèi)部微控制器來配置。一組專用外部周邊完善了STNRG組件：4個模擬比較器、具有可配置運(yùn)算放大器和8信道序列發(fā)生器的10位ADC以及可實現(xiàn)高輸出訊號分辨率的96 MHz 的鎖相環(huán)。

新型STGAP2SICS為設(shè)計用于驅(qū)動SiC MOSFET的6kV電流隔離單閘極驅(qū)動器。它具有4A灌/拉電流能力、短傳輸延時、高達(dá)26V的供電電壓、優(yōu)化的UVLO和待機(jī)功能以及SO8W封裝。

評估板

ST幾乎為所有應(yīng)用均提供了合適的系統(tǒng)評估板，其可直接在最終系統(tǒng)或子系統(tǒng)上測試ST產(chǎn)品的功能。對于DC充電站，也提供一些評估板和相關(guān)固件。

STDES-VIENNARECT評估板（圖五（a））采用15 kW的三相Vienna整流器，該整流器支持功率因子校正（PFC）級的混合訊號控制。

SCTW35N65G2V 650V SiC MOSFET（70 kHz）的高開關(guān)頻率、STPSC20H12 1200V SiC二極管的采用以及多級結(jié)構(gòu)可實現(xiàn)接近99%的效率，并能在尺寸與成本方面優(yōu)化無源功率組件。STEVAL-VIENNARECT采用混合訊號控制，并透過STNRG388A控制器進(jìn)行數(shù)字輸出電壓調(diào)節(jié)。專用模擬電路提供高帶寬連續(xù)導(dǎo)通模式（CCM）電流調(diào)節(jié)，可在總諧波失真（THD《5%）和功率因子（PF>0.99）方面實現(xiàn)最高功率質(zhì)量。

圖五 ： 瞄準(zhǔn)DC充電站的PFC解決方案

STDES-PFCBIDIR評估板（圖五（b））在功率因子校正（PFC）級中采用15 kW、三相、三級有源前端（AFE）雙向轉(zhuǎn)換器。電源側(cè)采用SCTW40N120G2VAG 1200V SiC MOSFET，可確保高效率（接近99%）。控制STM32G4系列微控制器，并具有用于通訊的聯(lián)機(jī)器以及用于測試和調(diào)試的測試點(diǎn)與狀態(tài)指示器。開關(guān)組件的驅(qū)動訊號由對應(yīng)的STGAP2S閘極驅(qū)動器來管理，以確保獨(dú)立管理開關(guān)頻率與死區(qū)時間。

STEVAL-DPSTPFC1 3.6 kW無橋圖騰柱升壓電路（圖五（c））透過數(shù)字浪涌電流限制器（ICL）來達(dá)到數(shù)位功率因子校正（PFC）。其有助于工程師透過以下最新的意法半導(dǎo)體功率套件來設(shè)計創(chuàng)新拓?fù)洌禾蓟鐼OSFET（SCTW35N65G2V）、閘流體SCR（TN3050H-12WY）、隔離式FET驅(qū)動器（STGAP2S）和32位MCU（STM32F334）。
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