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存儲器以及DDR5技術(shù)及完整的測試方案

是德科技KEYSIGHT ? 來源:是德科技KEYSIGHT ? 作者:是德科技KEYSIGHT ? 2021-05-17 09:31 ? 次閱讀

· 寄語 ·

小伙伴們,我們又見面了,上一期?「IC手記 ? 點沙成金的半導(dǎo)體行業(yè)」給大家介紹了芯片簡史和PA測試的內(nèi)容,這一期,我們繼續(xù)為大家?guī)頂?shù)字芯片的重要分支:存儲器,以及DDR5技術(shù)及完整的測試方案。

存儲器簡史

存儲芯片是數(shù)字芯片的重要組成部分,能夠存儲程序和各種數(shù)據(jù),并能在計算機(jī)運行過程中高速、自動地完成程序或數(shù)據(jù)的存取,如下是存儲芯片的基本分類:

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圖:存儲器基本分類

存儲器主要分為ROMRAM兩大類,簡介如下:

ROM:只讀存儲器

ROM所存數(shù)據(jù),一般是裝入整機(jī)前事先寫好的,整機(jī)工作過程中只能讀出,ROM所存數(shù)據(jù)穩(wěn)定,斷電后所存數(shù)據(jù)也不會改變。

RAM:隨機(jī)存取存儲器

(random access memory)

RAM是與CPU直接交換數(shù)據(jù)的內(nèi)部存儲器,它可以隨時讀寫,速度快,通常作為操作系統(tǒng)或其他正在運行中的程序的臨時數(shù)據(jù)存儲媒介,當(dāng)電源關(guān)閉時RAM不能保留數(shù)據(jù)。

DDR SDRAM,也是我們今天的主角,在SDRAM的基礎(chǔ)上發(fā)展而來,這種改進(jìn)型的DRAM和SDRAM是基本一樣的,不同之處在于它可以在一個時鐘讀寫兩次數(shù)據(jù),這樣就使得數(shù)據(jù)傳輸速度加倍了,也是目前電腦中用得最多的內(nèi)存,而且具有成本優(yōu)勢。DDR已經(jīng)發(fā)展至今已經(jīng)進(jìn)化到DDR5,與DDR4相比,DDR5 在強大的封裝中帶來了全新的架構(gòu),下面我們會著重介紹DDR5技術(shù)及測試方案。

DDR5簡介

DDR總線經(jīng)過演進(jìn),如今已經(jīng)發(fā)展到DDR5,下圖是DDR總線的演進(jìn)路線:

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圖:DDR技術(shù)演進(jìn)

無論是從移動計算、PC、服務(wù)器到圖形計算等領(lǐng)域,總線從早期的低速簡單時序特性,到DFE等技術(shù)在DDR5中被應(yīng)用,內(nèi)存總線在逐步引入SerDes技術(shù),并逐漸逼近通道傳輸極限。隨著DDR5規(guī)范的正式發(fā)布,步入2021年,DDR5已開始被服務(wù)器CPU和存儲器廠商所采用,其具備更高的數(shù)據(jù)速率、更低的能耗和更高的密度。

DDR5具備如下幾個特點:

· 更高的數(shù)據(jù)速率 ·

DDR5最大數(shù)據(jù)速率為 6400MT/s(百萬次/秒),而 DDR4 為 3200MT/s,DDR5 的有效帶寬約為 DDR4 的 2 倍。

· 更低的能耗 ·

DDR5的工作電壓為1.1V,低于DDR4的1.2V,能降低單位頻寬的功耗達(dá)20%以上

· 更高的密度 ·

DDR5 將突發(fā)長度增加到 BL16,約為 DDR4 的兩倍,提高了命令/地址和數(shù)據(jù)總線效率。相同的讀取或?qū)懭胧聞?wù)現(xiàn)在提供數(shù)據(jù)總線上兩倍的數(shù)據(jù),同時限制同一存儲庫內(nèi)輸入輸出/陣列計時約束的風(fēng)險。

此外,DDR5 使存儲組數(shù)量翻倍,這是通過在任意給定時間打開更多頁面來提高整體系統(tǒng)效率的關(guān)鍵因素。所有這些因素都意味著更快、更高效的內(nèi)存以滿足下一代計算的需求。

應(yīng)對DDR5測試的挑戰(zhàn)

如前文所屬,DDR5具備諸多的優(yōu)勢,也極大增加了測試的難度及復(fù)雜度。作為測試行業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)者,是德科技一直以來積極推動JEDEC DDR5規(guī)范測試方案的開發(fā),與行業(yè)內(nèi)的頭部伙伴共同推動規(guī)范的演進(jìn)和實施,從DDR總線仿真、測試夾具的定義和開發(fā)、Rx測試及Tx測試苛刻的抖動質(zhì)量要求、再到協(xié)議測試方法的開發(fā)。是德科技也是唯一一家提供完整DDR5的Tx/Rx物理層到協(xié)議測試的方案提供商。

針對DDR生態(tài)鏈中的不同產(chǎn)品形態(tài),是德科技都提供完整的解決方案,如下圖,包括發(fā)射端測試、接收端測試、協(xié)議測試等等,我們在下文會分別予以介紹。

1

DDR5發(fā)送端測試

隨著信號速率的提升,SerDes技術(shù)開始在DDR5中采用,如會采用DFE均衡器改善接收誤碼率,另外DDR總線在發(fā)展過程中引入訓(xùn)練機(jī)制,不再是簡單的要求信號間的絕對建立保持時間,在DDR4的時代開始使用眼圖的概念,在DDR5時代,引入抖動成分概念,從成因上區(qū)分解Rj,Dj等,對芯片或系統(tǒng)設(shè)計提供更具體的依據(jù);在抖動的參數(shù)分析上,也增加了一些新的抖動定義參數(shù),并有嚴(yán)苛的測量指標(biāo)。

針對這些要求,是德科技提供了完整的解決方案?;谑堑驴萍?0bit ADC的UXR示波器,配合D9050DDRC軟件,及高阻RC探頭MX0023A,及Interposer,可以實現(xiàn)對DDR信號的精確表征。

2

DDR5 接收端測試

隨著DDR5信號目標(biāo)速率持續(xù)提升,鏈路的ISI和串?dāng)_問題愈發(fā)明顯,在DDR芯片顆粒端信號可能已經(jīng)閉合,為了保證誤碼率,在DDR5芯片中引入了VGA+DFE的結(jié)構(gòu),使得均衡后內(nèi)部眼圖重新展開。所以傳統(tǒng)的只在DDR memory端測試眼圖的方法在DDR5時代并不是一個合理的方法,是德科技針對這種情況,推動了DDR5新的測試方法,即Rx測試。

下圖為基于UXR示波器及M8020A誤碼儀的接收端校準(zhǔn)和測試組網(wǎng):

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是德科技和協(xié)會及相關(guān)公司共同定義了測試夾具,如CTC2測試基板夾具,Device芯片測試夾具卡。接收端測試包括如下測試內(nèi)容:DQS Voltage Sensitivity,DQ Voltage Sensitivity,DQS Jitter Sensitivity,DQ Stressed Eye,CA Voltage Sensitivity,CA Stressed Eye,DQS2DQ,DFE Characterization等。

3

DDR5協(xié)議測試

JEDEC的規(guī)范中,定義了如下圖中的參數(shù)要求,是德科技的U4164A邏輯分析儀,可用于DDR5協(xié)議測試。B4661A軟件可以支持這些參數(shù)的實時和后分析功能,分析判斷測試結(jié)果是否符合規(guī)范的范圍要求,并且可以跟蹤測量結(jié)果,對于違規(guī)的測量參數(shù)可以跟蹤到波形界面,從而定位命令和操作的根源問題。

4

DDR5芯片顆粒及DIMM測試

針對DDR5,基于U4164A x 4及Futureplus公司FS2600 DDR5 RDIMM/LRDIMM Interposer夾具。另外,針對芯片顆粒的測試,Keysight也提供W5643A DRAM BGA Interposer。

5

DDR5測試總結(jié)

是德科技為DDR行業(yè)提供了最完整的解決方案。

原文標(biāo)題:IC手記 ? 存儲器芯片及DDR5

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責(zé)任編輯:haq

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