碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）

眾所周知，硅元素因其獨特的穩定性成為功率MOS中最常用的材料。然而隨著半導體材料的不斷發展，越來越多的化合物半導體材料走上歷史舞臺。近年來，碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等第三代半導體材料正憑借其優越的性能和巨大的市場潛力，成為全球半導體市場的焦點。借此契機，東芝推出了新款1200V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW070J120B”。

01特征屬性分析

TW070J120B采用第2代內置碳化硅SBD芯片設計，TO-3P(N)封裝，具有高電壓、低輸入電容、低總柵電荷、低導通電阻、低二極管正向電壓、高柵閾值電壓等特性：VDSS＝1200V，Ciss＝1680pF（典型值），Qg＝67nC（典型值），RDS(ON)＝70mΩ（典型值），VDSF＝-1.35V（典型值），Vth＝4.2V至5.8V。

TW070J120B屬于增強類型功率MOSFET半導體器件，易于操作，具體的數據參數如下圖所示。

02功能特性分析高耐壓性

TW070J120B采用的是碳化硅（SiC）這種新材料，由于SiC的介電擊穿強度大約是Si的10倍，所以與常規的硅（Si）MOSFET、IGBT產品相比，TW070J120B具有高耐壓特性。

高速開關和低導通電阻特性

在相同的耐壓的情況下，SiC與Si相比，可以減小每單位面積的導通電阻。除此之外，在高達1200V高壓下也可以保持較低的導通電阻。與IGBT相比，SiC MOSFET是單極器件，所以不存在拖尾電流產生的問題，因此關斷損耗極小，可以降低部分功耗。

例如：與東芝推出的1200V硅絕緣柵雙極晶體管（IGBT）“GT40QR21”相比，“TW070J120B”關斷開關損耗降低80%左右，開關時間（下降時間）縮短大約70%，并且能夠在不超過20A的漏極電流下提供低導通電壓。它的柵閾值電壓被設置在4.2V至5.8V的較高電壓范圍內，有助于減少故障風險（意外開啟或關閉）。

可靠性

TW070J120B采用了嵌入具有低正向電壓的碳化硅肖特基勢壘二極管（SBD）的全新MOSFET結構，與東芝的典型結構相比，其可靠性提高了10倍以上，而且也有助于降低功率損耗。

03應用場景

由于TW070J120B具有高耐壓性，高效率以及高功率密度，因此可以應用在大容量AC-DC轉換器、光伏逆變器、大容量雙向DC-DC轉換器等工業應用中，這種新型SiC功率MOSFET不僅能通過降低功率損耗來達到提高效率的目的，而且也將為縮小設備尺寸做出貢獻。

東芝在功率半導體器件研發設計中有著豐富的技術經驗，通過對材料與結構設計的改進和創新，推動功率半導體器件飛速的發展。

原文標題：東芝新款高壓MOSFET，碳化硅功不可沒

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責任編輯：haq