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中國可能會成為后摩爾拐點的領導者

傳感器技術 ? 來源:摩爾新聞 ? 作者:摩爾新聞 ? 2021-06-21 16:22 ? 次閱讀

28nm芯片形成了中高端集成電路制造的分界線。正是這些以及中低端芯片將滿足未來對芯片的大部分需求,因為人工智能AI) 特性和功能已嵌入到快速增長的自主連接設備中,這些設備的范圍從汽車到智能交通燈,從配套機器人到生物醫學設備。

28nm 和低端芯片無法滿足的功能,將在很大程度上使用 14nm 和 20nm 技術來滿足。與28 nm相比,14 nm在性能方面更接近 7 nm技術,而設計和制造成本比 7 nm低得多。

例如,去年,在速度和功耗方面,英特爾的 14 nm Skylake 臺式機處理器AMD 的 7 nm銳龍處理器沒有明顯區別,盡管圍繞 7 nm進行了營銷炒作,而且制造成本更低。

只有一小部分下游 5G 應用需要比14 nm處理器和支持芯片更強大的東西。將需要前沿的芯片組設計、基于微控制器的系統、傳感器融合、先進的封裝和第三代化合物半導體材料,而不是 7nm 的前沿制造,更不用說更薄的線寬晶體管芯片了。

與此同時,5G 支持的“萬物互聯”正在迅速形成,到 2030 年將實現空間網絡。據 GlobalData 估計,到 2024 年將有超過 110 億臺企業物聯網設備。中國在 5G 部署方面至少領先美國和歐盟兩年,并且已經發射了 6G 試驗衛星。

28nm芯片的生產正在加速

中國最大的芯片代工廠中芯國際 (SMIC) 是中國走向未來的前沿和中心,自去年以來,它一直在加大關鍵 28 nm芯片的生產。今年實現 28nm 規模對于中國國內半導體生態系統發展的長期過程,并且減少將生產外包給中國大陸以外地區的代工廠,尤其是臺積電的需求具有重要意義。

明年,同樣重要的是,14nm 芯片也將大幅增加。在沒有匹配的本土替代品的情況下,中芯國際使用由應用材料、LAM 和東京電子,以及ASML DUV(深紫外)光刻機,并將在可預見的未來繼續這樣做。

擺脫對美國的依賴

然而,一臺國產的 28 nm深紫外光刻機計劃在今年年底前從上海微電子設備廠(SMEE)生產出來,并在上海專有的生產線上為物聯網設備制造 48 nm和 28 nm芯片。

在 3 月份的上海 SEMICON上,該公司展示了一款工作在 90nm 的掃描儀。管理層最近報告說,提高 48nm 和 28nm 的良率仍然是一個挑戰,但 SMEE 技術現在擁有基本的本土 UV 能力,無需美國 IP 來制造芯片。

現在評估 SMEE 可能會改變游戲規則的程度,以及到 2025 年 SMEE 和其他中國DUV 機器可能在低至 5nm 的情況下運行的規模還為時過早。但 SMEE 在一個極其困難的技術領域取得的進展已經出人意料。

N+1制程工藝技術

與此同時,3月下旬,中芯國際再次與ASML簽訂了今年購買價值超過10億美元的DUV光刻機合同。與其他中國代工廠一樣,中芯國際一直在轉向全球二手市場的光刻機和其他生產設備,如蝕刻機、氣相沉積和晶圓檢測組件。

ASML 仍然屈服于美國對 EUV 機器的壓力,這樣的光刻機可以使中芯國際能夠像臺積電一樣向 7nm 和更先進制程方向發展。

不過,歐盟內部有跡象表明,ASML 與歐盟委員會以及英飛凌意法半導體等領先的歐盟公司一樣,正在對美國干涉其事務進行控制。畢竟,到 2030 年,預計中國將至少占全球芯片制造產能的 40%。

類似的動態正在美國專業生產設備和 EDA 設計工具供應商之間聚集力量,因為在某些情況下,中國占其收入的 50% 以上。

明年,中芯國際將增加 14nm 芯片,并在 2023 年增加 7nm 芯片。它已經進入另一種芯片的小批量生產,這些芯片介于 14nm 和 7nm 之間,采用N+1 工藝技術。

在深圳、北京和上海等政府的財政支持下,該公司正在進行價值 120 億美元的產能擴張項目。重點將放在提高 28 nm產量上,同時也適當關注 14 nm及其 7 nm版本——后者可能會在 2024年實現量產。

通過滿足中國不斷增長的設計自己芯片的無晶圓廠公司不斷增長的需求,中芯國際和其他六家中國代工廠很可能能夠制造中國到 2025 年所需的大部分芯片——其中包括 Hi Silicon、阿里巴巴、百度、騰訊、地平線機器人、寒武紀、小米、OPPO 和字節跳動。

全球半導體業在美國制裁中下跌

中國領導層認為美國將繼續將其核心半導體知識產權“武器化”,以試圖阻止中國。

國際商業戰略公司備受尊敬的創始人/首席執行官漢德爾·瓊斯博士所說:“中國人是戰略大師。”

華盛頓面臨著一個問題,即其政治目標與其國內芯片行業持續不斷地進入中國市場的巨大重要性發生沖突,無論是高通、應用材料還是新思科技。高達 1000 億美元的年收入和多達 150,000 個工作崗位受到威脅,同時也是研發資金的重要來源。

BCG 和 SIA 預測,到 2030 年,全球半導體行業的規模將是目前的兩倍多,收入將達到 1.4 萬億美元,中國將占到其中的 60%,并占全球產能增長份額的40%。

隨著近十年邁向由大數據、人工智能以及新芯片架構、封裝和材料塑造的后摩爾世界,中國可能會成為后摩爾拐點的領導者。

它在以前的技術拐點上就是這樣做的。例如,它在 5G、高速列車、量子通信和大數據驅動的人工智能方面取得了領先地位。

它當然有動力、資本和人力資源、吸引外國人才的吸引力,以及這樣做的純粹的創業活力和獨創性。

編輯:jq

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原文標題:外媒:中國28nm和14nm芯片進步神速

文章出處:【微信號:WW_CGQJS,微信公眾號:傳感器技術】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

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