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線性穩(wěn)壓器輸出電容的電容值及其等效串聯(lián)電阻

凡億PCB ? 來(lái)源:凡億PCB ? 作者:凡億PCB ? 2021-06-27 10:36 ? 次閱讀

線性穩(wěn)壓器必須接入一個(gè)輸出電容以保持其穩(wěn)定性。如果將線性穩(wěn)壓器描述為一個(gè)簡(jiǎn)單的控制系統(tǒng),那么輸出電容就是該控制系統(tǒng)的一部分。像所有的控制系統(tǒng)一樣,線性穩(wěn)壓器也有一些不穩(wěn)定的區(qū)域。這些區(qū)域的穩(wěn)定性很大程度上取決于該系統(tǒng)的兩個(gè)參數(shù):輸出電容的電容值及其等效串聯(lián)電阻(ESR)。

對(duì)輸出電容的要求已在每個(gè)線性穩(wěn)壓器的數(shù)據(jù)手冊(cè)中注明。

一般而言,ESR-輸出電流圖位于英飛凌穩(wěn)壓器數(shù)據(jù)手冊(cè)的穩(wěn)定性板塊中。

大多數(shù)英飛凌線性穩(wěn)壓器都被設(shè)計(jì)成可在極低ESR電容下保持穩(wěn)定。根據(jù)汽車電子的要求,推薦使用X5R或X7R電介質(zhì)材料的陶瓷電容。

也有一些較舊的線性穩(wěn)壓器(見(jiàn)下表)為了保持穩(wěn)定性,要求輸出電容有一定的ESR。這些穩(wěn)壓器是此前鉭電容器廣泛使用時(shí)被設(shè)計(jì)出來(lái)的。因此,使用陶瓷電容時(shí),建議額外連接一個(gè)串聯(lián)電阻到電容器上。

在選擇器件時(shí),遵循數(shù)據(jù)手冊(cè)中對(duì)于輸出電容的要求是十分重要的。如果特定的要求無(wú)法被滿足,穩(wěn)壓器可能不穩(wěn)定并導(dǎo)致輸出電壓振蕩。

ADI公司的低壓差調(diào)節(jié)器(LDOs)可以與節(jié)省空間的小型陶瓷電容配合使用,但前提是這些電容具有低等效串聯(lián)電阻(ESR);輸出電容的ESR會(huì)影響LDO控制環(huán)路的穩(wěn)定性。為確保穩(wěn)定性,建議采用至少1 μF且ESR最大為1 Ω的電容。

輸出電容還會(huì)影響調(diào)節(jié)器對(duì)負(fù)載電流變化的響應(yīng)。控制環(huán)路的大信號(hào)帶寬有限,因此輸出電容必須提供快速瞬變所需的大多數(shù)負(fù)載電流。當(dāng)負(fù)載電流以500 mA/μs的速率從1 mA變?yōu)?00 mA時(shí),1μF電容無(wú)法提供足夠的電流,因而產(chǎn)生大約80 mV的負(fù)載瞬態(tài)。

當(dāng)電容增加到10 μF時(shí),負(fù)載瞬態(tài)會(huì)降至約70 mV。

當(dāng)輸出電容再次增加并達(dá)到20 μF時(shí),調(diào)節(jié)器控制環(huán)路可進(jìn)行跟蹤,主動(dòng)降低負(fù)載瞬態(tài),如圖3所示。這些示例都采用線性調(diào)節(jié)器ADP151其輸入和輸出電壓分別為5 V和3.3 V。

線性穩(wěn)壓器的輸入電容

在VIN和GND之間連接一個(gè)1μF電容可以降低電路對(duì)PCB布局的要求,特別是在長(zhǎng)輸入走線或高信號(hào)源阻抗的情況下。

如果輸出端上要求使用1μF以上的電容,則應(yīng)增加輸入電容,使之與輸出電容匹配。

輸入和輸出電容特性

輸入和輸出電容必須滿足預(yù)期工作溫度和工作電壓下的最小電容要求。陶瓷電容可采用各種各樣的電介質(zhì)制造,溫度和電壓不同,其特性也不相同。對(duì)于5 V應(yīng)用,建議采用電壓額定值為6.3 V至10 V的X5R或X7R電介質(zhì)。Y5V和Z5U電介質(zhì)的溫度和直流偏置特性不佳,因此不適合與LDO一起使用。

圖4所示為采用0402封裝的1μF、10 V X5R電容與偏置電壓之間的關(guān)系。電容的封裝尺寸和電壓額定值對(duì)其電壓穩(wěn)定性影響極大。

一般而言,封裝尺寸越大或電壓額定值越高,電壓穩(wěn)定性也就越好。X5R電介質(zhì)的溫度變化率在-40°C至+85°C溫度范圍內(nèi)為±15%,與封裝或電壓額定值沒(méi)有函數(shù)關(guān)系。

確定溫度、元件容差和電壓范圍內(nèi)的最差情況下電容,可用溫度變化率和容差來(lái)調(diào)整標(biāo)稱電容,如公式1所示:

de42ccca-d6c9-11eb-9e57-12bb97331649.png

其中CBIAS是工作電壓下的標(biāo)稱電容;TVAR是溫度范圍內(nèi)最差情況下的電容變化率(百分率);TOL是最差情況下的元件容差(百分率)。

本例中,X5R電介質(zhì)在-40°C至+85°C范圍內(nèi)的TVAR為15%;TOL為10%;CBIAS在1.8 V時(shí)為0.94μF,如圖4所示。將這些值代入公式1,即可得出:

de88395e-d6c9-11eb-9e57-12bb97331649.png

為保證LDO的性能,必須正確認(rèn)識(shí)并嚴(yán)格評(píng)估旁路電容的直流偏置、溫度變化率和容差。在要求低噪聲、低漂移或高信號(hào)完整性的應(yīng)用中,也必須考慮電容技術(shù)。所有電容都存在一些不夠理想的行為效應(yīng),因此所選的電容技術(shù)必須與應(yīng)用需求相適應(yīng)。

1、穩(wěn)壓器的穩(wěn)定性取決于回路增益和回路相移,LDO也不例外。

2、通常所有的LDO都會(huì)要求其輸出電容的ESR值在某一特定范圍內(nèi),以保證輸出的穩(wěn)定性。LDO制造商會(huì)提供一系列由輸出電容ESR和負(fù)載電流組成的定義穩(wěn)定范圍的曲線,作為選擇電容時(shí)的參考。這些推薦值可以從相關(guān)的Datasheet上看到。

3、輸出電容是用來(lái)補(bǔ)償LDO穩(wěn)壓器的相位裕度,不合適的ESR會(huì)引起回路振蕩。基本上所有的LDO應(yīng)用中引起的振蕩都是由于輸出電容的ESR過(guò)高或過(guò)低。

4、LDO的輸出電容,一般地,鉭電容是最好的選擇。另一點(diǎn)非常重要,優(yōu)質(zhì)電容的ESR在-40℃到+125℃溫度范圍內(nèi)的變化小于2:1。然而,鋁電解電容在低溫時(shí)的ESR會(huì)變大很多,所以不適合作LDO的輸出電容,應(yīng)排除在外。

5、應(yīng)該注意,大的陶瓷電容(≥1uF)通常會(huì)用很低的ESR(<20mΩ),這幾乎會(huì)使所有的LDO穩(wěn)壓器產(chǎn)生振蕩。如果使用陶瓷電容就要串聯(lián)電阻以增加ESR。而且大的陶瓷電容的溫度特性較差(例如Z5U型),也就是說(shuō)在工作范圍內(nèi)的溫度的上升和下降會(huì)使容值成倍的變化,所以它不推薦使用。

6、可能你已注意到,某些LDO專門設(shè)計(jì)使用陶瓷電容,似乎與上面矛盾。已知有兩款LDO,LP2985和LP2989,要求輸出電容貼裝超低ESR的陶瓷電容。這種電容的ESR可以低到5~10mΩ。也就是說(shuō),在如此低ESR的電容下,LP2985仍能夠穩(wěn)定工作。

這是由于,在IC內(nèi)部已經(jīng)放置了鉭輸出電容來(lái)補(bǔ)償零點(diǎn),此LDO的零點(diǎn)已被集成在IC內(nèi)部。這一做法是為了將可穩(wěn)定的ESR的上限范圍下降。可以查到,LP2985的ESR穩(wěn)定范圍是3Ω-500MΩ,因此它可以使用陶瓷電容。然而這樣小的ESR卻會(huì)使絕大多數(shù)的LDO穩(wěn)壓器引起振蕩。

7、結(jié)論很容易得出:未在內(nèi)部添加零點(diǎn)的典型LDO,所選ESR的范圍一般為100mΩ-5Ω,只能使用鉭電容而不能使用陶瓷電容。因此外部電容產(chǎn)生的零點(diǎn)必須處于足夠高的頻率,這樣就不能使帶寬很寬。否則,高頻極點(diǎn)會(huì)產(chǎn)生很大的相移從而導(dǎo)致振蕩。

本文整理自:

《關(guān)于LDO的那點(diǎn)事兒之九LDO輸出電容選擇》英飛凌汽車生態(tài)圈,作者:Alena

《ADI無(wú)源器件使用要點(diǎn)》ADI智庫(kù),作者:ADI

《LDO輸出電容的選型_Detective_ALong_新浪博客》作者:Detective_ALong

本文編輯轉(zhuǎn)載,轉(zhuǎn)載目的在于傳遞更多信息,并不代表本網(wǎng)贊同其觀點(diǎn)和對(duì)其真實(shí)性負(fù)責(zé)。版權(quán)歸原作者所有,如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)和其它問(wèn)題,請(qǐng)?jiān)?0日內(nèi)與本公眾號(hào)聯(lián)系微信,我們將在第一時(shí)間刪除內(nèi)容!

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