前沿消隱（LEB）技術(shù)在開(kāi)關(guān)電源電路中是一種非常重要的的電路，對(duì)于電流型的芯片大部分都會(huì)有前沿消隱電路，這一電路在反激中非常的常見(jiàn)，主要作用是保證電源芯片的穩(wěn)定性，避免出現(xiàn)誤判導(dǎo)致整個(gè)電源系統(tǒng)崩潰，下面以反激電路為列來(lái)講解為什么需要前沿消隱。

上面的反激電路圖是一個(gè)電流型的控制芯片，電流型的芯片是通過(guò)電壓環(huán)與電流環(huán)以前來(lái)控制MOS管的。芯片里面控制MOS關(guān)斷是通過(guò)誤差放電器的輸出與CS腳電壓經(jīng)過(guò)比較器來(lái)比較而實(shí)現(xiàn)MOS管關(guān)斷的，也就是當(dāng)Rcs上面電壓超過(guò)了誤差放電器輸出電壓的時(shí)候，MOS管關(guān)斷，這是芯片控制的基本邏輯。那Rcs上面的電壓是反映了變壓器里面電流的大小。如果是一個(gè)理想的變壓器的，根據(jù)U=L*dI/dt 變壓器里面的電流是線性增長(zhǎng)的。當(dāng)變壓器里面的電流上升到一定值后去關(guān)斷MOS管， 但是變壓器是用導(dǎo)線繞在磁芯上面的，如果下圖所示，一般我們變壓器的原邊的線圈比較多，而且會(huì)繞制多層，繞線與繞線之間是有匝間電容的，同時(shí)層與層之間也是有寄生電容這就導(dǎo)致了實(shí)際的變壓器里面是有寄生電容C，而變壓器的耦合是不能達(dá)到100%的耦合，所以同時(shí)也有漏感Lr。實(shí)際就是有寄生電容，同時(shí)有漏感，主電感，那就可以畫(huà)出實(shí)際的變壓器的電路模型來(lái)。

把實(shí)際的模型放到了電路中如下圖，當(dāng)MOS管關(guān)斷的時(shí)候，寄生電容的兩端電壓是想等的，電容沒(méi)有電，一旦MOS管導(dǎo)通，寄生電容一端接輸入電壓，另一端是接到地的，這時(shí)變壓器的原邊繞組上面的電流是為0A，電感的電流是不能突變的。而電容的電壓是不能突變，但是電路是可以突變，這個(gè)時(shí)候電容是快速的充電，應(yīng)為剛開(kāi)機(jī)的時(shí)候電容上面的電壓是為0V，那么所以的電壓都是加在MOS管的內(nèi)阻上面，這就是管子開(kāi)通時(shí)就會(huì)有一個(gè)非常高的電流，這個(gè)電流有可能超過(guò)我們實(shí)際的電感上面的峰值電流，根據(jù)前面我們的電流采樣電流知道，如果電流超過(guò)了誤差放電器的輸出電壓，我們的電流檢測(cè)腳就會(huì)給出管斷MOS管的信號(hào)，而實(shí)際電感上面的電流是非常的小，這就會(huì)導(dǎo)致電源的整個(gè)系統(tǒng)出現(xiàn)問(wèn)題，為了解決這一個(gè)問(wèn)題。通過(guò)測(cè)試發(fā)現(xiàn)這一個(gè)尖峰時(shí)間是非常短的，一般是在200nS以?xún)?nèi)，為了把這一個(gè)尖峰消除，可以去加一個(gè)RC電路來(lái)消除這一個(gè)尖峰，就是下圖中的R1與C1，那這一RC怎么去選取了，其實(shí)就是根據(jù)我們寄生電容導(dǎo)致的尖峰的頻率的來(lái)取RC的截止頻率，一般RC的截止頻率的 3倍小于等于尖峰頻率。RC的截止頻率是1/（2πRC） 尖峰的頻率一般是1/T 根據(jù)公式可以大概推出有簡(jiǎn)單的計(jì)算方式就是2RC≥200nS 如果R取1K C的取值＞100pF

以前的芯片只能通過(guò)RC來(lái)消除，而隨技術(shù)的發(fā)展，芯片公司在芯片里面把這一個(gè)尖峰做了處理。就是當(dāng)驅(qū)動(dòng)剛為高電平的時(shí)候，電流采樣電路是不去檢測(cè)電流，等過(guò)一段時(shí)間后才去檢測(cè)電流，這樣芯片里面就把剛開(kāi)機(jī)的時(shí)候因?yàn)榧纳娙輰?dǎo)致的限流電阻上面的高電壓給屏蔽了。這樣的一個(gè)技術(shù)就是前沿消隱（LEB），這段時(shí)間就是前沿消隱時(shí)間，一般是200-300nS。有了前沿消隱的芯片可以不去加RC濾波電路。

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