最近有點忙，就來個簡單的點吧。

我們來看一個問題：

為什么開關(guān)電源中，一般用肖特基二極管續(xù)流，不用快恢復(fù)二極管呢？

答案主要有兩點：

一是肖特基二極管導(dǎo)通電壓更低。

二是肖特基二極管速度更快，反向恢復(fù)時間更小。

如此一來，使用肖特基二極管肯定損耗是更小的，溫度更低，也不會燙成狗，這樣整個開關(guān)電源效率也更高。

上面這一段話，想必大家都知道，不過僅從文字上面看，有一種模糊，不那么透徹的感覺，今天就主要結(jié)合實例，對比肖特基和快恢復(fù)二極管兩者的差異。

之所以想寫下這個，還是在上期寫《Boost公式推導(dǎo)及實驗驗證》文章時，無意中看到了二極管反向恢復(fù)時間的影響。

當(dāng)時在文章中僅僅是提了一下，不過個人覺得這個還是挺重要的，所以我就記錄了下來，這次就專門來看一下。

實驗

電路就用上次的Boost電路，如下圖：

這次我們重點關(guān)注圖中的二極管，當(dāng)然了，這個二極管一般使用肖特基二極管，圖中使用的是MBR735，也是一個肖特基二極管。

我們看一下二極管的電流和電壓波形，如下圖：

可以看到，這個肖特基二極管的導(dǎo)通時間是0.5V左右。

另一方面，二極管在導(dǎo)通到截止切換時，電流有一個向下的脈沖，峰值可以達到-1.2A，這個是反向電流。

也就是說，二極管存在反向?qū)ǖ臅r間，并不能在電壓反向時馬上截止。

我們把下沖拉開看看，如下圖：

大的負(fù)電流持續(xù)的時間大概是2ns左右，在6ns時電流完全降低到0。

為什么會有這個負(fù)電流呢？

這是因為肖特基二極管存在結(jié)電容，這個結(jié)電容大概是200pF左右，比硅二極管要大（硅一般是20pF左右，這里的數(shù)值僅供參考，不同二極管不同），電容電壓發(fā)生變化，自然會有充放電發(fā)生，就形成了電流。

也有個說法是肖特基二極管也存在反向恢復(fù)時間，只不過很短，小于10ns。

不過我的看法是肖特基是不存在反向恢復(fù)時間的，因為反向恢復(fù)時間一般認(rèn)為是少數(shù)載流子的存儲效應(yīng)導(dǎo)致的，而肖特基二極管是由肖特基結(jié)構(gòu)成的，不存在少子。

但是肖特基二極管它存在結(jié)電容，而且這個結(jié)電容比硅二極管要大，這個結(jié)電容引起的效果有點像是反向恢復(fù)時間。

好了，這個定義就不糾結(jié)了，總之意思大概就是，肖特基二極管的反向電流會比較小，持續(xù)時間也會比較短。

以上是肖特基二極管的情況，下面看看超快恢復(fù)二極管。

換為超快恢復(fù)二極管

電路只將二極管換成了超快恢復(fù)二極管MURS320。

從它的手冊里面可以知道，反向恢復(fù)時間最大是35ns，這在二極管中這已經(jīng)是相當(dāng)小的。

我們也看一下它的電流和電壓波形。

可以看到，導(dǎo)通電壓要更高一些，是0.7V左右。

這個下沖就更明顯了，直接達到了-38A左右，有點嚇人。

我們也把下沖拉開看看。

可以看到，持續(xù)的時間大概是5ns左右。

這里可能有一個疑問：

前面不是說這個管子反向恢復(fù)時間是35ns左右嗎？怎么現(xiàn)在這么小？

我的想法是，反向恢復(fù)時間是在一定條件下測試的，反向電流是有限制的，如下圖：

而我們這個boost電路，肯定跟這個測試電路是不同的，在反向時，并沒有什么別的器件能阻礙反向電流，所以反向電流會比較大。

并且，二極管反向恢復(fù)時間，就是正向?qū)〞rPN結(jié)存儲的少數(shù)載流子電荷耗盡所需要的時間。

反向截止之前，正向電流一定，那么存儲的電荷就一定。截止切換時，反向電流越大，那么存儲的電荷消耗得就越快，進而導(dǎo)致持續(xù)的時間越短，所以我們看起來的反向恢復(fù)時間與二極管手冊里面有較大區(qū)別。

超快恢復(fù)換成普通硅二極管會怎么樣？

結(jié)果是：換成普通硅二極管之后，這個boost直接工作異常，輸出電壓不對了，直接gg。。。

原因想想也很簡單，普通硅二極管的反向恢復(fù)時間都到了us級別了，開關(guān)頻率300Khz，周期就是3.3us，半個周期是1.67us，在這個頻率下，二極管基本可以看作是一直導(dǎo)通了。

這個就不截圖演示了。

小結(jié)

本節(jié)主要從波形上面來對比肖特基和超快恢復(fù)二極管之間的區(qū)別，希望同志們在頭腦中對于二極管反向恢復(fù)時間有一個更為清晰的認(rèn)識。

責(zé)任編輯：haq