電腦之家

現在的手機承載了越來越多的功能，已經成為了具備多傳感器的平臺。

如今出門你可以不帶錢包、但一定要帶上手機。從手機的發展歷程來看，不只是像之前2G時代簡單地用于通話，做一些信息的傳輸；到3G時代增加了一些交互的功能，有了一些簡單的游戲；到了4G時代給我們的生活帶來了更多的便利，讓我們的交互變得更為流暢，更為友好，更為實時通訊。未來，5G技術的引入和深化應用，也將帶給人們前所未有的移動端體驗。

近日，西部數據全新發布了針對5G移動手機的移動存儲解決方案——西部數據iNAND MC EU551嵌入式閃存器件，作為西部數據旗下第二代UFS 3.1存儲解決方案，旨在為消費者提供了超高分辨率相機、增強現實/虛擬現實、游戲和8K視頻等新興應用所需的高性能存儲。

西部數據iNAND MC EU551嵌入式閃存器件

在發布會現場，西部數據公司中國區智能終端產品事業部高級銷售總監文芳和西部數據公司產品市場部高級產品市場經理宋學紅對這款全新的產品進行了詳細的分享和介紹。據文芳介紹，就目前的5G速率而言，大概會在1GB/s的傳輸速度。未來市場分析，到2024年5G的速度大概會達到2GB/s的。在WiFi上，目前是WiFi6/6E的標準，在2024年大概會到WiFi 7的標準，整體的速率都會接近2GB/s。

右為西部數據中國區智能終端產品事業部高級銷售總監文芳；左為西部數據公司產品市場部高級產品市場經理宋學紅

“如果傳輸的速度越來越高，勢必是要對手機的應用提出更多要求。如果單單只有高速率，但是產品做不到這么高速率的交互，那也是沒有意義的。所以，為什么現在推進手機的革新，不管是針對芯片上的處理器還是我們的存儲器，大家都對它提出了更高的要求，每一家公司也都積極地在配合速率的提高給客戶帶來更好的使用體驗。”

文芳表示，在順序寫入方面，現在用戶應用大概用不到1GB/s，但西部數據最新的產品已經到了2GB/s?！盀槭裁次覀儼阉俾史诺竭@么高，其實我們做了很大的冗余，來支持隨后5G更快地發展。到2024年，5G技術真的跑到2GB的時候，確保我們的產品還是適用于當下的產品應用。”

從存儲性能來看，相比前一代產品，西部數據iNAND MC EU551嵌入式閃存器件有了更多的改進和性能上的提升。據文芳介紹，西部數據iNAND MC EU551嵌入式閃存器件的速度更快、延時更短、容量最高可達512GB。該產品旨在滿足JEDEC UFS 3.1規范要求，并采用基于西部數據第七代SmartSLC的領先的Write Booster 技術。產品還支持Host Performance Booster 2.0版本，進一步融合了JEDEC標準的全新進展。

從具體的讀寫性能來看，主要有以下幾個提升：

隨機讀取性能提升約100%，隨機寫入性能提升約40%，有助于支持混合工作負載體驗，例如同時運行多個應用。

順序寫入性能提升約90%，有助于達到新的5G和Wi-Fi 6的下載速度，讓用戶在下載8K視頻等富媒體文件時擁有更卓越的體驗，并提高連拍模式等應用的性能。

順序讀取性能提升約30%，通過縮短啟動時間以更快啟動應用，實現更快的上傳速度。

西部數據公司產品市場部高級產品市場經理宋學紅解釋道，西部數據iNAND MC EU551嵌入式閃存器件的產品性能提升主要得益于三個方面，一個是NAND array上面的提升，讓讀寫速率變得更高，另一個對于NAND介質上外圍電路做了優化，第三是采用了西部數據自研的主控，包括制程、速度和內部的RAM很多的設計，使這個產品都做了統一的提升。

總結來說，這款西部數據iNAND MC EU551嵌入式閃存器件的產品在性能方面具有顯著優勢，還配備UFS 3.1接口，容量涵蓋了從128GB到512GB，11.5×13毫米的封裝能夠順應現在大多手機客戶對封裝的要求。

宋學紅繼續介紹道，這款產品還強化了西部數據的健康報告功能，可以幫助客戶在現場排除一些設備的問題，包括產品出廠以后，在客戶端其實客戶們也可以看到我們存儲器磨損的情況，來做到及時管理。在工作溫度范圍上，這款產品是-25度到85度，可以應用于各種嚴苛的環境的。同時，這款產品是在雙電壓的環境下運行的，核心電壓是在2.4V到2.7V，還有個I/O電壓在1.14V到1.26V運作。同時還有個熱保護的功能，在器件過熱的時候數據會在安全模式下運行，這樣的話可以保證用戶數據財產的安全。

“西部數據iNAND MC EU551嵌入式閃存器件還有HPB 2.0的一個主機性能加速器，跟主機有很強的配合的，首先是要求主機能支持這個功能，這塊我們在寫入一些地址時以便于它更快地對芯片進行操作。”

西部數據全新推出的高性能移動存儲解決方案，離不開其在閃存領域的領先優勢。據介紹，在閃存領域，西部數據不僅擁有產能優勢，還攜手業界合作伙伴鎧俠不斷實現突破創新。

今年，西部數據也聯合鎧俠推出了第六代162層3D NAND閃存技術，與上一代產品相比，程序性能可提高近 2.4 倍，讀取延遲減少約 10%，I/O 性能也提高了約 66%，使得下一代接口能夠滿足不斷增長的對更高傳輸速率的需求。新的 3D 閃存技術降低了單位成本，并使每個晶圓的制造位增加了高達 70%。西部數據與鎧俠將持續推動創新，以確保實現持續擴展，從而滿足用戶及其多樣化應用的需求。

未來，西部數據的領先閃存技術將進一步應用到更廣泛的領域，例如VR，汽車等等，以全新的閃存技術賦能未來5G時代下各行各業的蓬勃發展。

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