Q1

QFP的封裝，MCU的RTC功能，外部32.768K晶振不起振，把MCU重新焊接一下就好了，晶振電路沒(méi)有動(dòng)。可以排除晶振外部電路的焊接問(wèn)題和芯片boot strapping問(wèn)題。這個(gè)可能是什么原因？需要做什么分析？嘗試改過(guò)MCU內(nèi)部晶振電路驅(qū)動(dòng)能力，還有晶振的負(fù)載電容，和反饋電阻，但都沒(méi)有效果。懷疑溫度導(dǎo)致MCU的這兩個(gè)晶振管腳電氣特性發(fā)生變化，變好了。客戶(hù)端懷疑芯片封裝問(wèn)題，高溫改變了管腳封裝的內(nèi)部晶圓阻抗特性等。

A

可能的原因：

1、確認(rèn)晶振選型是否合適，例如看匹配電容參數(shù)。

2、確認(rèn)不同溫度條件下晶振是否能起振，如果室溫就不能起振、低溫條件下也要驗(yàn)證一下。天干物燥、重新焊接等等環(huán)境變化，都會(huì)導(dǎo)致該管腳輕微的量級(jí)變化，從而導(dǎo)致芯片出現(xiàn)完全不同的狀態(tài)。

3、Boot Strapping配置問(wèn)題。舉個(gè)例子，STM32 MCU 的Boot0管腳如果不接GND，而是懸空，那么就會(huì)導(dǎo)致有時(shí)候能啟動(dòng)，有時(shí)候不能啟動(dòng)。對(duì)于芯片的啟動(dòng)配置管腳，如果懸空，芯片內(nèi)部也沒(méi)有上下拉，那么這個(gè)管腳就會(huì)出于未知狀態(tài)。當(dāng)這個(gè)管腳積累的電荷比較少，就會(huì)以低電平方式啟動(dòng)芯片，當(dāng)電荷積累的較多，就會(huì)以高電平配置方式啟動(dòng)芯片。

4、焊接問(wèn)題，可以用3D Xray看看是否有焊接問(wèn)題。

分析：要做FA分析，看看Bonding線(xiàn)和 First Pad， Second Pad是否有連接問(wèn)題。測(cè)一下起振電流的大小，一般起振電流都不大，如果焊接或者封裝不良導(dǎo)致寄生的電路會(huì)影響起振。

Q2

植球產(chǎn)品做完P(guān)CT168試驗(yàn)后測(cè)試Fail，SEM看到有PI crack。錫球UBM看著很奇怪，打了EDS成分里有錫，PI 表面沾污里也有。PCT試驗(yàn)會(huì)導(dǎo)致這種情況嗎？

A

PCT實(shí)驗(yàn)條件中121℃不會(huì)導(dǎo)致PI/ubm成分中含錫，但是植球后需要reflow，可能導(dǎo)致EDS分析含錫。

Q3

有個(gè)FC產(chǎn)品要做solder bump，bump pitch 150；封裝廠(chǎng)建議我們bump diameter最大90，我們想bump diameter盡可能高，方便EMC填充，但是兩家bumping廠(chǎng)給出的最大bump height 差異太大，不知道那個(gè)正確？

A

工廠(chǎng)都應(yīng)該給出schematic，標(biāo)示具體各個(gè)部位的尺寸。或者選Filler size比較小的CPD填充，比改Bumping會(huì)更省力點(diǎn)。

Q4

是否碰到過(guò)BHAST后Vmin漂移的情況，同晶圓還是封裝工藝相關(guān)性強(qiáng)些？Vmin是電源有拉偏，呈增加的趨勢(shì)。有些像HTOL之后的。

A

建議看看該電源壓力測(cè)試前后漏電情況有沒(méi)有變化，并嘗試相應(yīng)FA分析。

Q5

封裝用的是fanout封裝，但是我們發(fā)現(xiàn)經(jīng)過(guò)溫度循環(huán)后部分芯片測(cè)試失效，有IQ失效也有短路，結(jié)果發(fā)現(xiàn)裸die背面有不同程度裂紋，有橫向也有豎向，方向都不一致，并且有個(gè)缺口大一點(diǎn)，一個(gè)點(diǎn)，幫忙分析下什么原因造成的？

A

建議在TC前后進(jìn)行40x鏡檢，確保疑似裂紋不是測(cè)試時(shí)導(dǎo)入。

Q6

QFN的產(chǎn)品，做完預(yù)處理+BHAST后再激光開(kāi)蓋，做拉力和推力，這個(gè)數(shù)據(jù)情況和試驗(yàn)前做會(huì)有差異嗎？現(xiàn)在的情況是發(fā)現(xiàn)有2個(gè)球脫落了，如果對(duì)其他沒(méi)掉的球做拉力和推力，怎么去判斷這個(gè)結(jié)果？

A

通常，拉力和推力都較之前的Qual數(shù)據(jù)低了，但是也有可能是開(kāi)蓋過(guò)程中有損傷了。樣品出現(xiàn)拉力球脫或者推力很小，那就是不正常的。可以后續(xù)分析下球脫怎么失效的，和同顆芯片未失效的做下對(duì)比。

Q7

這種圖片，是SMT之后取下來(lái)的圖片。板廠(chǎng)說(shuō)電鍍有問(wèn)題，封裝廠(chǎng)說(shuō)板廠(chǎng)SMT有問(wèn)題

大家覺(jué)得可能的問(wèn)題是什么？很困惑。這些都是一顆樣品上的不同管腳的圖片。

A

可以檢查下有沒(méi)有高溫翹曲，或者看看出現(xiàn)non-wetting的位置有沒(méi)有共性。

Q8

整機(jī)的環(huán)境測(cè)試。芯片規(guī)格書(shū)工作溫度-40到125℃，那點(diǎn)溫計(jì)點(diǎn)殼溫應(yīng)該保證殼溫在多少度合適呢？

A

這個(gè)芯片工作的環(huán)境溫度就是125度，只要環(huán)境溫度不超過(guò)125度都是合規(guī)的。

Q9

copper pillar，側(cè)爬錫嚴(yán)重，造成void，擔(dān)心有橋接；各位有改善側(cè)爬方法嗎？（不加Ni）。Solder Mask厚度為15~20um。

A

既然不想它往上爬，SR window科實(shí)嘗試開(kāi)大一些，還有，Warpage可能對(duì)此也有影響，在Reflow工藝上面想想辦法。或者，做下這個(gè)仿真一下就知道了，設(shè)計(jì)不同，影響因素相對(duì)多了點(diǎn)。

Q10

芯片內(nèi)部水汽入侵的話(huà)，芯片表面形貌會(huì)體現(xiàn)出來(lái)嗎？有沒(méi)有典型圖能學(xué)習(xí)一下？

A

芯片有水汽入侵的判斷方法：過(guò)三遍回流焊，有水汽，SAT會(huì)有紅區(qū)，TSCAN，芯片下面有紅區(qū)，甚至過(guò)三遍回流焊，后去做推拉力實(shí)驗(yàn)。或者開(kāi)蓋，看看表面是否有侵蝕痕跡，下圖是decap后的圖片。

Q11

封裝中的打廢治具是必須的嗎？以前都沒(méi)有聽(tīng)說(shuō)過(guò)這個(gè)東西。封裝過(guò)程中標(biāo)記reject的，比如內(nèi)部打線(xiàn)不良的，塑封后就看不到了，需要標(biāo)記出來(lái)，切割后就打廢掉不進(jìn)入包裝。

A

根據(jù)工廠(chǎng)的現(xiàn)狀，每家要求不一樣。比如系統(tǒng)比較好的有mapping+Jig saw就可以直接踢出不良。系統(tǒng)不完善的，就只能手工記錄， Tape saw就更不易操作了。

Q12

合封的費(fèi)用比普通封裝的費(fèi)用大概會(huì)貴多少？比如都是wire bond BGA256，一個(gè)是單顆die，一個(gè)是兩顆die（兩顆die之間只有不到10個(gè)引腳互聯(lián)），合封的價(jià)格大概會(huì)貴多大比例？

A

這個(gè)不好說(shuō)，UPH什么的都要考慮進(jìn)去。UPH=unit per hour，每小時(shí)產(chǎn)量。

Q13

封裝可能會(huì)影響MCU系統(tǒng)時(shí)鐘的頻率嗎？我們有款產(chǎn)品在兩家封裝廠(chǎng)封裝出來(lái)的產(chǎn)品有一家封裝片測(cè)出來(lái)的系統(tǒng)時(shí)鐘跟CP校準(zhǔn)后的相比偏差很大，另外一家沒(méi)有問(wèn)題，有沒(méi)有遇到過(guò)類(lèi)似問(wèn)題？

A

RC震蕩電路的R/C值會(huì)引起頻率變化。不知道你是那種頻率發(fā)生器。可以找設(shè)計(jì)來(lái)解釋。

編輯：jq