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UCC28056架構(gòu)和突發(fā)模式

電子設(shè)計 ? 來源:電子設(shè)計 ? 作者:電子設(shè)計 ? 2022-01-15 11:48 ? 次閱讀

摘要

現(xiàn)代產(chǎn)品法規(guī)要求更低的待機(jī)功耗和更高的效率。滿足這些要求的策略可能是使用復(fù)雜的電源時序控制關(guān)閉部分電源系統(tǒng)以提高輕載效率。此外,關(guān)閉如PFC等電源系統(tǒng)的部分需要將下游功率轉(zhuǎn)換器設(shè)計用于寬輸入電壓范圍。UCC28056架構(gòu)和突發(fā)模式等功能使設(shè)計能夠滿足這些現(xiàn)代電源要求,使PFC級在所有電源模式下保持開啟狀態(tài)。

商標(biāo)

所有商標(biāo)均為其各自所有者的財產(chǎn)。

前言

隨著產(chǎn)品法規(guī)持續(xù)要求在這些關(guān)鍵領(lǐng)域提高性能,效率和待機(jī)功耗已成為離線應(yīng)用中關(guān)注的重點(diǎn)。這種關(guān)注需要采用復(fù)雜的功率策略以滿足這些要求,例如在低功耗模式下關(guān)閉PFC。這種策略雖然有效,但極大地增加了系統(tǒng)設(shè)計的復(fù)雜性,也增加了PFC下游的DC/DC轉(zhuǎn)換器設(shè)計的負(fù)擔(dān),使其無法處理更寬的輸入電壓范圍。UCC28056器件專為解決此問題而設(shè)計,可在整個負(fù)載范圍內(nèi)保持高效率,使設(shè)計人員即使在低功率模式下也能保持PFC開啟狀態(tài)。本應(yīng)用指南介紹了使用UCC28056優(yōu)化過渡模式PFC設(shè)計以提高效率和待機(jī)功耗的設(shè)計決策。

功耗標(biāo)準(zhǔn)

表1和表2總結(jié)了美國能源部(DOE)VI級對銘牌輸出功率為50 mW及以上的應(yīng)用的功耗要求。

表1.DOE VI級(50 W至249 W)

DOE VI級(50 W至249 W)
待機(jī)功耗 < 210 mW
在以下范圍規(guī)范效率性能: 25%、50%、75%、100%負(fù)載
最低4點(diǎn)效率平均值 88%

表2.DOE VI級(>250 W)

DOE VI級(>25 W)
待機(jī)功耗 < 210 mW
在以下范圍規(guī)范效率性能: 25%、50%、75%、100%負(fù)載
最低4點(diǎn)效率平均值 88%

表3總結(jié)了《歐盟行為準(zhǔn)則》(CoC)II級對銘牌輸出功率為50 W至250 W的應(yīng)用的功耗要求。在撰寫本文時,未獲知銘牌輸出功率大于250 W的要求。

表3.CoC II級功耗要求

CoC II級(50 W至249 W)
待機(jī)功耗 < 150 mW
在以下范圍規(guī)范效率性能: 10%、25%、50%、75%、100%負(fù)載
最低4點(diǎn)效率平均值 89%

應(yīng)該注意的是,CoC II級考慮了10%負(fù)載下的輕載效率點(diǎn),該負(fù)載下的效率通常因靜態(tài)損耗和較低的輸出功率而受到影響。在10%負(fù)載下效率較低,因此在其他四個調(diào)節(jié)效率點(diǎn)上需要更高的效率以滿足最小平均效率。

優(yōu)化效率和待機(jī)功耗

為了說明優(yōu)化待機(jī)功耗和效率的方法,請考慮以下85 VAC至265 VAC,165 W設(shè)計,如圖1所示。

poYBAGGKVI-AaAacAAC7i41xNl8422.png

pYYBAGGKVJGAIa0mAADdep3v6jU281.png

圖1.UCC28056設(shè)計示例

1.突發(fā)模式運(yùn)行

UCC28056實現(xiàn)了突發(fā)模式功能,進(jìn)一步改善了輕載效率和待機(jī)功耗。此外,在進(jìn)入突發(fā)模式后,導(dǎo)通時間脈沖寬度在前4個開關(guān)周期內(nèi)斜坡上升。此外,在退出突發(fā)模式之前,導(dǎo)通時間脈沖寬度在最后4個開關(guān)周期內(nèi)斜坡下降。這種軟導(dǎo)通和軟關(guān)斷策略在進(jìn)入突發(fā)模式后在前4個周期內(nèi)增加線路電流,并在最后4個周期內(nèi)降低線電流。此功能可在輕載條件下限制可聽噪聲和對EMI濾波器的干擾。

進(jìn)入和退出突發(fā)模式通過應(yīng)用于COMP引腳電壓的兩個比較器閾值實現(xiàn)。兩個比較器閾值的平均電壓約為VCOMP_Max的11%,這意味著在每個突發(fā)周期期間傳遞的功率約為最大輸出功率的11%。

在突發(fā)開啟期間,PFC級的效率大約等于PFC轉(zhuǎn)換器在11%負(fù)載下的效率。在突發(fā)關(guān)閉期間,UCC28056的電流消耗降至125μA。在沒有轉(zhuǎn)換動作發(fā)生的突發(fā)關(guān)閉期間的功率損耗主要由PFC級內(nèi)的靜態(tài)功率損耗決定。等式1提供了待機(jī)功耗性能的近似值。

pYYBAGGKVJKAFHcyAAAo38L72PY144.png

當(dāng)PFC級上的負(fù)載降低到10%以下時,突發(fā)期間的頻率也會降低,以保持輕負(fù)載的高效率。

限制靜態(tài)損耗

電路內(nèi)器件的靜態(tài)損耗會提高待機(jī)功耗。例如橋式整流器、升壓二極管MOSFET中的傳導(dǎo)損耗,本節(jié)為選擇合適的值以降低PFC級中的功率損耗提供了指導(dǎo)。

1.1分壓器

VOSNS引腳連接到內(nèi)部跨導(dǎo)放大器的反相輸入,用于通過電阻分壓器設(shè)置PFC級輸出調(diào)節(jié)點(diǎn)。由于典型的PFC輸出電壓約為400 V,因此反饋分壓器中的靜態(tài)功率損耗可能很大,并且是導(dǎo)致高待機(jī)功耗的主要原因之一。等式2是VOSNS分壓器中的靜態(tài)功耗:

其中VBLK是PFC級的輸出電壓,ROS1是分壓器的頂部電阻,ROS2是分壓器的底部電阻。對于400 V的輸出電壓和1MΩ的總反饋電阻,反饋分壓器的靜態(tài)損耗為160 mW。因此,使用盡可能大的反饋電阻是有利的。但是,由于VOSNS偏置電流IOSNSBias的影響,較大的ROS1值會導(dǎo)致調(diào)節(jié)精度下降。等式3顯示了調(diào)節(jié)精度與ROS1電阻之間的關(guān)系:

poYBAGGKVJSAErghAAAN5KNT4O0515.png

其中IOSBias是VOSNS引腳的偏置電流。最大IOSNSBias電流為100 nA。等式4確保由于IOSNSBias造成的輸出電壓調(diào)節(jié)降低不到1%:

poYBAGGKVJWACM2-AAALrBA46WU994.png

對于390 V的輸出電壓,ROS1的最大值為39MΩ。可以使用等式5計算ROS2的相應(yīng)值,其中VOSReg是基準(zhǔn)電壓,2.5 V:

pYYBAGGKVJeABbBSAAANLtT3EHg186.png

如果使用3×10-MΩ電阻作為ROS1,使用100kΩ+93.1kΩ作為ROS2,則VOSNS分壓器的總待機(jī)功耗為5 me。

UCC28056 + UCC25630x反饋/ BLK分壓器

對于在PFC級下游使用LLC轉(zhuǎn)換器的AC/DC系統(tǒng),可以將VOSNS電阻分壓器配置為用作過渡模式升壓PFC級的反饋分壓器和LLC控制器UCC25630x的BLK引腳分壓器,如圖2所示。這種方法通過消除整個AC/DC系統(tǒng)解決方案中的額外高壓分壓器,大大降低了靜態(tài)功耗。

pYYBAGGKVJmAI6ioAACVpLhkKOY781.png

圖2.UCC28056和UCC25630x的結(jié)合高壓分壓器

為了適應(yīng)UCC28056和UCC25630x的不同電阻分壓比,需要兩個電阻抽頭。將PFC儲能電壓設(shè)置為390 V時,VOSNS分壓比KOS等于156,如等式6所示。KBLK由LLC預(yù)期打開時的最小PFC儲能電壓決定。當(dāng)儲能導(dǎo)通閾值為3.05 V,所需的導(dǎo)通閾值為340 V時,BLK分壓比KBLK等于111.5,如等式7所示:

poYBAGGKVJuATvlVAAAhB8RQaSE661.png

在本例中,選擇上分壓電阻ROS11,由3個串聯(lián)的3.24 MΩ,1206 SMT電阻組成,如等式8所示:

pYYBAGGKVJyAIuX6AAAIfLtmC8I241.png

同時求解等式6和等式7,得到等式9:

poYBAGGKVJ6AF2N2AAAQe2s_iZw411.png

然后使用以下等式找到相應(yīng)的ROS2:

pYYBAGGKVKCAPgh6AAAMFVMDTv4522.png

這兩個電阻可以使用標(biāo)準(zhǔn)電阻值實現(xiàn),如等式11和等式12所示:

pYYBAGGKVKGAFU0dAAAUkJjfWH8454.png

該組合電阻分壓器的總功耗為15.5 mW。

ZCD/CS分壓器

在突發(fā)關(guān)閉條件下,ZCD/CS分壓器的功耗最高。在這種狀態(tài)下,漏極電壓近似于等于線路電壓峰值的DC電壓。ZCD/CS分壓器的峰值功耗如等式13所示:

poYBAGGKVKOAaa19AAANoSuNKg4943.png

其中RZC1是ZCD/CS分壓器頂部電阻的電阻,RZC2是ZCD/CS分壓器底部電阻的電阻。與VOSNS分壓器非常相似,可以通過ZCD引腳檢測精度的小幅折衷增加RZC1和RZC2的電阻。等式14將ZCD偏置電流引起的精度下降限制在1%以下:

pYYBAGGKVKSAHiJpAAAU-Wq9bws993.png

分壓器鏈中的上部電阻RZC1必須在浪涌測試下承受峰值輸出電壓。對于耐用的解決方案,此位置的電阻應(yīng)具有高于升壓MOSFET雪崩額定值的額定電壓。3個1206 SMT,3.24MΩ的串聯(lián)鏈滿足精度要求,并提供高于600 V的耐壓能力。使用等式15和等式16確定RZC1和RZC2的適當(dāng)值:

poYBAGGKVKaATiiWAAATYAgJPc8212.png

最大輸入電壓為265 Vrms時,半個周期內(nèi)的峰值功耗為14.41 mW。

X電容選擇

X電容器是EMI濾波器的關(guān)鍵組件,并且逐線連接以抑制EMI噪聲。當(dāng)電容器充電和放電時,在電容器的等效串聯(lián)電阻上消耗會功率,如等式17所示:

pYYBAGGKVKiAecvjAAAJSvWypE8587.png

流過電容器的均方根電容器電流取決于線路均方根電壓、線路頻率和X電容器配置中的總電容。忽略寄生電感,x電容帶給線路的阻抗可以如等式18所示計算:

poYBAGGKVKqAAB5wAAAQpOdRZ-Q241.png

可以使用等式19計算X電容的功率損耗:

pYYBAGGKVKuAQYvDAAASbBTMk5Y239.png

對于并聯(lián)最大線路電壓265 Vrms和0.33μF,每個的損耗因子為0.00022,X電容消耗的功率為6.4 me。

有源X電容放電

某些應(yīng)用需要一種方法將EMI濾波器中使用的線間電容器在指定時間內(nèi)放電到合理電壓。這是為了確保AC插頭上的高壓不會無限期地保留。有幾種控制放電時間的標(biāo)準(zhǔn),如IEC60950、IEC60065和IEC62368,總結(jié)在表4中。

表4.X電容器放電標(biāo)準(zhǔn)4

標(biāo)準(zhǔn) 從AC拔出的放電時間常數(shù)(秒)
IEC60950 1s
IEC60065 1s
IEC62368 2s

一種流行的做法是將泄放電阻與X電容器并聯(lián)放置。一般準(zhǔn)則是每100 nF的電容需要并聯(lián)添加10MΩ的最大泄放電阻。對于330 nF的X電容,需要至少3.3MΩ的泄放電阻。

雖然這是一種經(jīng)濟(jì)有效的方法,但它會導(dǎo)致系統(tǒng)中額外的靜態(tài)功率損耗,增加待機(jī)功耗。對于85 VAC至265 VAC的輸入電壓范圍,3.3MΩ泄放電阻分壓器的功率損耗為21.2 mW。更有效的方法是使用有源X電容放電功能,該功能僅在檢測到AC斷開時才啟用。對于使用下游LLC級的AC/DC系統(tǒng),此功能集成在UCC256301和UCC256304諧振控制器中。UCC256301和UCC256304能夠通過高壓引腳檢測AC線路,當(dāng)檢測到AC斷開事件時,放電X電容。在穩(wěn)定狀態(tài)下,HV引腳的最大漏電流為7.55μA。每隔720 ms,UCC25630x轉(zhuǎn)換器將一個測試電流階梯應(yīng)用于線路,檢查過零以確定AC拔插事件。假設(shè)施加到HV引腳的電壓是等于AC線電壓的整流正弦波,則可以使用等式20計算最壞情況下的功耗:

poYBAGGKVK2ATxJvAAAU6AMYuE8760.png

橋式整流器

橋式整流器中的功率損耗是導(dǎo)通期間的正向電壓和每個二極管的寄生電阻的結(jié)果。每個二極管的總功率損耗用等式21表示:

poYBAGGKVK6AFVEAAAALI-eNLGk659.png

最壞情況下的功率損耗發(fā)生在最小線電壓和最大負(fù)載時。對于2.1 A的峰值輸入電流、1 V的正向電壓和80mΩ的寄生電阻,可以使用等式22計算每個二極管的總功率損耗:

poYBAGGKVLCAGaB_AAAMDcfeBUI667.png

橋式整流器的總損耗如等式23所示:

pYYBAGGKVLKAfkhoAAAIqfgTJYs779.png

二極管的正向電壓取決于溫度,其中正向電壓隨著二極管的結(jié)溫度的增加而降低。因此,在橋式整流器中,可以對結(jié)溫升高和導(dǎo)通損耗降低進(jìn)行權(quán)衡。

MOSFET選擇

升壓開關(guān)元件中的總功率損耗可以通過由開關(guān)的導(dǎo)通電阻引起的導(dǎo)通損耗和驅(qū)動MOSFET的柵極的開關(guān)損耗來描述。可以用等式24計算導(dǎo)通損耗:

poYBAGGKVLOAXVmWAAAKzqCh2Tc404.png

其中,IMOS_RMS是MOSFET的均方根電流,RDS_on是MOSFET的導(dǎo)通電阻,Cotemp是與導(dǎo)通電阻相關(guān)的溫度系數(shù)。開關(guān)中的最大電流出現(xiàn)在滿載和最小輸入電壓時:

pYYBAGGKVLWAHt4FAAAYRLLNdSg253.png

導(dǎo)通電阻隨著MOSFET結(jié)溫的增加而增加,在傳導(dǎo)損耗等式中由Cotemp表示。在工作期間降低MOSFET的溫升可以降低傳導(dǎo)損耗。MOSFET中的開關(guān)損耗總結(jié)如下:

poYBAGGKVLaAF8UcAAA3krKfUj8688.png

減少M(fèi)OSFET的柵極電荷以降低上升和下降轉(zhuǎn)換時間是有利的。然而,對于600V MOSFET,在這方面的選擇有限。

待機(jī)功耗測量技巧

可以使用等式29計算PFC級消耗的實際功率:

poYBAGGKVLiAfNW5AAAHBjCgYPg005.png

由于UCC28056的突發(fā)模式特性,輸入功率變化通常非常高,并且難以從瞬時功率測量進(jìn)行精確測量。使用具有積分功能的功率計可以讓用戶在設(shè)定的時間間隔內(nèi)積分mWh,然后執(zhí)行簡單計算以獲得PFC級消耗的平均輸入功率。圖3顯示了UCC28056EVM-296上待機(jī)功耗測量的正確連接。

pYYBAGGKVLqAIDlZAAEVcVvWCrQ060.png

圖3.待機(jī)功耗測量連接

功率表連接和設(shè)置

強(qiáng)烈建議將PFC級的輸出與任何測量儀器(如電子負(fù)載或電壓表)物理斷開。由于PFC級的輸出是相對較高的電壓,測量儀器吸收的漏電流可能導(dǎo)致10 mW的輕負(fù)載,這將人為地增加待機(jī)功耗測量值。為了防止AC線電壓測量的功耗使待機(jī)功耗結(jié)果增加,將電壓測量的正極端子連接到面向AC電源的電源線也很重要。。由于PFC級在待機(jī)狀態(tài)下吸收的電流非常小,因此線電壓的測量誤差小到可以忽略不計。將電流表連接到中性線,以避免高頻噪聲和電容耦合增加電流測量讀數(shù)。

poYBAGGKVLuAKJ4qAACANiX8RG0663.png

圖4.AC功率表連接

線電壓和線電流測量的更高精度可降低測量的噪聲基底,并減少測量間隔內(nèi)積分的誤差量。建議使用盡可能低的電壓范圍。電流范圍必須足夠大,以測量突發(fā)期間的峰值線電流。建議使用電流探頭測量峰值線電流,并選擇恰好高于最大測量線電流的電流范圍。

平均輸入功率計算

在積分模式下,功率表計算PFC級在測量間隔期間消耗的功率量(mWh)。然后可以使用等式30計算平均輸入功率:

pYYBAGGKVL2AUJ0bAAAO1_iVl60706.png

待機(jī)功耗和效率測量

表5總結(jié)了PFC設(shè)計從85 VAC到265 VAC的待機(jī)功耗測量。

輸入電壓(Vrms) 輸入功率(mW) VCC電壓 VCC電流(μA) 總待機(jī)功耗(mW)
85 23 12.0074 104.034 24.249
115 24 12.0101 107.022 25.285
230 39 12.0632 105.630 40.268
265 45 12.0630 105.902 46.272

圖5總結(jié)了線路和負(fù)載的效率性能。

poYBAGGKVL6AXOisAACNP82vePs612.png

圖 5.效率與輸出功率

總結(jié)

UCC28056可在整個負(fù)載范圍內(nèi)提供卓越的待機(jī)功耗和效率性能,使設(shè)計能夠滿足最新的功耗標(biāo)準(zhǔn)。UCC28056的突發(fā)模式運(yùn)行可實現(xiàn)高輕載效率,使設(shè)計即使在低功耗模式下也能保持PFC開啟。通過使PFC持續(xù)開啟,可實現(xiàn)更窄的輸入電壓范圍,簡化整體系統(tǒng)復(fù)雜性以及下游轉(zhuǎn)換器的設(shè)計。

審核編輯:何安

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    在之前的文章中,我們已經(jīng)詳細(xì)介紹了如何交叉編譯libwebsockets并將其部署到ELF1開發(fā)板上。然而在調(diào)試階段,發(fā)現(xiàn)將libwebsockets在Ubuntu環(huán)境下編譯為x86架構(gòu)可能更為方便
    的頭像 發(fā)表于 07-10 09:38 ?1244次閱讀
    ElfBoard技術(shù)貼|如何將libwebsockets庫編譯為x86<b class='flag-5'>架構(gòu)</b>

    迅為RK3562核心板四核A53+MaliG52架構(gòu),應(yīng)用于商業(yè)平板電腦,視頻會議,智能家居,教育電子,醫(yī)療設(shè)備,邊緣計算,工業(yè)應(yīng)用

    迅為RK3562核心板四核A53+MaliG52架構(gòu),應(yīng)用于商業(yè)平板電腦,視頻會議,智能家居,教育電子,醫(yī)療設(shè)備,邊緣計算,工業(yè)應(yīng)用
    發(fā)表于 07-09 10:57

    I.MX6ULL-飛凌 ElfBoard ELF1板卡 - 如何在Ubuntu中編譯OpenCV庫(X86架構(gòu)

    使用X86架構(gòu)的OpenCV庫,利用主機(jī)的強(qiáng)大計算性能和豐富的調(diào)試工具,可以加速開發(fā)進(jìn)程并簡化調(diào)試環(huán)節(jié)。下面就跟小伙伴詳細(xì)講述如何在Ubuntu環(huán)境下將 OpenCV 編譯為 X86 架構(gòu)。 開發(fā)環(huán)境
    發(fā)表于 06-07 09:32

    移動端芯片性能提升,Armv9架構(gòu)新升級引發(fā)關(guān)注

    “數(shù)碼博主”5月17日的最新爆料指出,聯(lián)發(fā)科積極推進(jìn)Armv9新一代IP BLACKHAWK“黑鷹”的架構(gòu)設(shè)計,預(yù)計天璣9400芯片將采用這一架構(gòu),有望以“全大核”設(shè)計再度領(lǐng)跑移動SoC CPU性能榜單。
    的頭像 發(fā)表于 05-17 16:51 ?1051次閱讀

    鴻湖萬聯(lián)成功舉辦基于x86架構(gòu)的OpenHarmony應(yīng)用生態(tài)挑戰(zhàn)賽

    近日,由開放原子開源基金會、央視網(wǎng)、江蘇省工業(yè)和信息化廳、無錫市人民政府、江蘇軟件產(chǎn)業(yè)人才發(fā)展基金會、蘇州工業(yè)園區(qū)、無錫高新區(qū)等共同承辦,鴻湖萬聯(lián)參與共建的“基于x86架構(gòu)的OpenHarmony應(yīng)用生態(tài)挑戰(zhàn)賽”決賽路演在無錫圓滿落幕。
    的頭像 發(fā)表于 04-23 09:26 ?362次閱讀
    鴻湖萬聯(lián)成功舉辦基于x86<b class='flag-5'>架構(gòu)</b>的OpenHarmony應(yīng)用生態(tài)挑戰(zhàn)賽

    高級電壓模式脈寬調(diào)制器UCC35701/UCC35702數(shù)據(jù)表

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《高級電壓模式脈寬調(diào)制器UCC35701/UCC35702數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
    發(fā)表于 04-08 11:10 ?0次下載
    高級電壓<b class='flag-5'>模式</b>脈寬調(diào)制器<b class='flag-5'>UCC</b>35701/<b class='flag-5'>UCC</b>35702數(shù)據(jù)表

    arm架構(gòu)和x86架構(gòu)區(qū)別 linux是x86還是arm

    ARM架構(gòu)和x86架構(gòu)是兩種不同的計算機(jī)處理器架構(gòu),它們在體系結(jié)構(gòu)、指令集、應(yīng)用領(lǐng)域等方面有著明顯的區(qū)別。Linux操作系統(tǒng)則具有廣泛的適配性,可以運(yùn)行在各種架構(gòu)上,包括x86和ARM
    的頭像 發(fā)表于 01-30 13:46 ?1.9w次閱讀
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