電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/李彎彎）近日消息，億鑄科技（杭州）有限責(zé)任公司（簡稱“億鑄科技”）宣布完成過億元天使輪融資，本輪融資由中科創(chuàng)星、聯(lián)想之星和匯芯投資（國家5G創(chuàng)新中心）聯(lián)合領(lǐng)投。

億鑄科技成立于2021年9月，是目前國內(nèi)唯一能自主設(shè)計(jì)并量產(chǎn)基于憶阻器（ReRAM）的“存算一體”算力芯片的供應(yīng)商。該公司擁有世界頂級的科研、工程及顧問團(tuán)隊(duì)，為數(shù)據(jù)中心和自動駕駛等領(lǐng)域打造能效比十倍于現(xiàn)有技術(shù)的解決方案。

中科創(chuàng)星合伙人林佳亮表示：“億鑄科技是中科創(chuàng)星在先進(jìn)算力芯片方向上的一個(gè)重量級的投資項(xiàng)目。我們非常看好億鑄基于ReRAM的路線來實(shí)現(xiàn)大算力的存算一體芯片，以解決現(xiàn)有技術(shù)方案中遇到的功耗墻和內(nèi)存墻的問題，這將使挑戰(zhàn)現(xiàn)有AI芯片行業(yè)格局成為可能。”

憶阻器（Memristor），是繼電阻、電容、電感之后的第四種電路基本元件，這種組件的電阻會隨著通過的電流量而改變，最早是由美籍華人蔡少棠教授于1971年基于電路理論推理發(fā)現(xiàn)并證明的。憶阻器是表示磁通與電荷關(guān)系的電路器件。

圖源自《AI芯片前沿技術(shù)與創(chuàng)新未來》

2008年，惠普公司的斯坦利·威廉（Stanley Williams）等人第一次在實(shí)驗(yàn)室里將用二氧化鈦（TiO2）制成的納米元件夾在兩個(gè)鉑電極之間（Pt-TiO2-x-Pt），做出了世界上第一個(gè)基于TiO2薄膜的基本元件，即憶阻器。

自惠普憶阻器原型問世以來，已有百余所研究機(jī)構(gòu)參與，不僅英、德、韓等國相繼加入，Intel、IBM等科技巨頭也在美國軍方支持下砸下重金。2009年，科技部啟動國際合作項(xiàng)目“憶阻器材料及其原型器件”，繆向水是項(xiàng)目負(fù)責(zé)人，他坦承，“國內(nèi)憶阻器研究還處于初始階段”。

憶阻器本身就像一個(gè)矩陣排列，最適合進(jìn)行點(diǎn)積乘法和累加運(yùn)算，而這類運(yùn)算占深度學(xué)習(xí)算法中的絕大部分。乘積累加操作可以通過將憶阻器這樣的可編程阻變元件直接集成到非易失性高密度存儲芯片中來實(shí)現(xiàn)，處理單元被嵌入存儲器中，可減少數(shù)據(jù)移動。可以看到憶阻器本身就已具備存內(nèi)計(jì)算的特質(zhì)，非常適合用于存算一體芯片技術(shù)方向。

基于憶阻器的存算一體芯片近年來有些進(jìn)展，2020年2月26日，清華大學(xué)微電子所、未來芯片技術(shù)高精尖創(chuàng)新中心錢鶴、吳華強(qiáng)教授團(tuán)隊(duì)，與合作者共同研發(fā)出一款基于多個(gè)憶阻器陣列的存算一體系統(tǒng)，在處理卷積神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)時(shí)的能效，比圖形處理器芯片高兩個(gè)數(shù)量級，大幅提升計(jì)算設(shè)備的算力，且比傳統(tǒng)芯片的功耗降低100倍。

不過憶阻器目前多數(shù)還處于小批量試產(chǎn)階段，因此基于憶阻器存算一體芯片，會面臨憶阻器開發(fā)時(shí)間長等問題，這可能就憶阻器存算一體芯片的一大難點(diǎn)。而億鑄科技作為目前國內(nèi)唯一能夠自主設(shè)計(jì)量產(chǎn)基于憶阻器存算搜一體算力芯片的供應(yīng)商，自然會備受資本青睞。

原文標(biāo)題：這家基于憶阻器的存算一體芯片供應(yīng)商 完成過億元融資

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