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《華林科納-半導體工藝》單晶硅清洗工藝

華林科納hlkn ? 來源:華林科納hlkn ? 作者:華林科納hlkn ? 2022-02-24 13:41 ? 次閱讀

摘要

提供了一種用于半導體晶片清潔操作的系統。清潔系統具有頂蓋和底蓋。頂蓋密封在晶片的頂面接觸環上,底蓋密封在晶片的底面接觸環上。文章全部詳情:壹叁叁伍捌零陸肆叁叁叁晶片保持在頂蓋和底蓋之間。邊緣清潔輥用于清潔晶片的邊緣。驅動輥被配置為旋轉晶片、頂蓋和底蓋。邊緣清潔輥以第一速度旋轉,驅動輥以第二速度旋轉,以便于邊緣清潔輥對晶片的邊緣清潔。

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發明領域

本發明涉及半導體晶片清潔,更具體地,涉及用于更有效地清潔感興趣的晶片表面并降低晶片清潔成本的技術。

相關技術的描述

眾所周知,在半導體芯片制造過程中,需要清潔晶片,其中已經執行了在晶片的表面、邊緣、斜面和凹口上留下不需要的殘留物的制造操作。這種制造操作的示例包括等離子蝕刻(例如,鎢回蝕(WEB))和化學機械拋光(CMP)。在 CMP 中,晶片被放置在支架中,支架將晶片表面推向滾動傳送帶。該傳送帶使用由化學品和研磨材料組成的漿料進行拋光。不幸的是,這個過程往往會在晶片的表面、邊緣、斜面和凹口處留下漿液顆粒和殘留物的堆積。如果留在晶圓上進行后續制造操作,多余的殘留材料和顆粒可能會導致,其中包括晶圓表面劃痕等缺陷以及金屬化特征之間的不適當相互作用。在某些情況下,此類缺陷可能會導致晶片上的器件無法運行。為了避免丟棄具有無法操作的裝置的晶片的過度成本,因此有必要在留下不需要的殘留物的制造操作之后充分而有效地清潔晶片。

審核編輯:符乾江

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