RS1M快恢復二極管，主要是指與快速晶閘管、高頻率晶閘管和GT0、IGCT、leGT等晶閘管派生器件相匹配的FWD器件。RS1M快恢復二極管通常電流大，電壓高，反向恢復時間一般在1微秒以上，多采用擴散型通過結構和電子輻射技術，電流從數十安培到數千安培，電壓從數百伏到3000伏不等。

然而，還有一種快恢復二極管，它與IGBT和功率MOSFET一同工作。那就是RS1M快恢復二極管，它不但性能快，還需要軟特性，以避免高電壓峰值、射頻干擾和電磁干擾。一般國外生產IGBT、M0SFET的公司也生產了與之配套的快速恢復二極管，目前國內還沒有商業IGBT和快速恢復二極管的量產。因為快恢復二極管比較IGBT來說，較為低端，但隨著我國綜合實力的提升，快恢復二極管也宣布正式立項，未來有著很好的發展趨勢。

RS1M快恢復二極管的技術性能及標準是：

(1)恢復速率快，即反向恢復時間trr要小。

(2)正向壓降小，即標準VF小，以降低通電情況下的功能損耗。

(3)反向漏電流Ir小，以減少關閉情況下功能損耗。

(4)反向峰值電流小，減少了二極管反向電流對控制電路中其它開關裝置的影響;

(5)反向恢復的軟S較大，減少電壓瞬間感應過沖，避免震蕩。

(6)快速恢復二極管還必須有很好的溫度穩定性，以減少或避免由于器件溫度升高而造成的性能退化現象。具有正的溫度系數的正壓功率二極管具有良好的溫度穩定性。

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審核編輯：湯梓紅