四維圖新榮登汽車領(lǐng)跑者榜單

近日，2021未來汽車生態(tài)大會云端召開，同期發(fā)布 “汽車領(lǐng)跑者”榜單，四維圖新憑借新品——動態(tài)風(fēng)險預(yù)警平臺，榮登“2021汽車領(lǐng)跑者榜單·最佳產(chǎn)品/解決方案/創(chuàng)新應(yīng)用”獎。該榜單聚焦汽車行業(yè)新生態(tài)，成為行業(yè)風(fēng)向標。

隨著交通領(lǐng)域邁入“交通設(shè)施數(shù)字感知、信息網(wǎng)絡(luò)廣泛覆蓋、行業(yè)治理在線協(xié)同、技術(shù)應(yīng)用創(chuàng)新活躍”的數(shù)字交通體系，自動駕駛汽車成為各大廠商搶灘布局的風(fēng)口。但從測試到量產(chǎn)，自動駕駛汽車將要解決多項技術(shù)瓶頸，目前制約其快速發(fā)展的難題之一是決策規(guī)劃。

面對自動駕駛交通場景復(fù)雜、環(huán)境不確定性強、傳感器精度有限等痛點，四維圖新依托大數(shù)據(jù)、云計算、人工智能等核心技術(shù)，基于自研核心算法打造動態(tài)風(fēng)險預(yù)警平臺，為用戶提供高精事件、道路天氣、道路摩擦系數(shù)、定位信號弱區(qū)等9類動態(tài)風(fēng)險預(yù)警服務(wù)，歷史擁堵趨勢分析、歷史風(fēng)險視頻分析等4類歷史數(shù)據(jù)分析，紅綠燈服務(wù)、緊急車輛提醒等車路協(xié)同服務(wù)及位置參考服務(wù)等功能。

瑞薩電子開發(fā)嵌入式 STT-MRAM 寫入技術(shù)，顯著降低物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用中的 MCU 功耗

瑞薩電子公司是先進半導(dǎo)體解決方案的主要供應(yīng)商，宣布開發(fā)出兩種技術(shù)，可減少自旋轉(zhuǎn)移矩磁性隨機存取存儲器 （STT-MRAM） 寫入操作的能量和電壓應(yīng)用時間，以下簡稱 MRAM）。在 16 nm FinFET 邏輯工藝中嵌入 MRAM 存儲單元陣列的 20 兆位 （Mbit） 測試芯片上，寫入能量減少了 72%，電壓施加時間減少了 50%。新技術(shù)是： 1） 帶有斜率脈沖應(yīng)用的自終止寫入方案，其中寫入脈沖由于每個存儲單元的寫入特性而自動且自適應(yīng)地終止；2） 優(yōu)化比特數(shù)的寫入序列，同時施加寫入電壓。

瑞薩電子專注于通過允許高達 10% 的寫入失敗位來大幅降低寫入電壓這一事實。首先，通過降壓轉(zhuǎn)換器電路使用從MCU的IO電壓產(chǎn)生的低寫入電壓同時向?qū)懭雴卧械乃形皇┘訉懭腚妷骸Ｔ谠摬襟E中，根據(jù)各個位的寫入特性，使用上一節(jié)中描述的帶有斜率脈沖的自終止寫入方案來執(zhí)行自終止寫入操作。接下來，使用電荷泵電路產(chǎn)生的高寫入電壓對剩余的 10% 位執(zhí)行寫入操作。由于使用這種技術(shù)，寫入電壓應(yīng)用分兩個階段完成，與將寫入單元分成四組或更多組的傳統(tǒng)方法相比，整體寫入電壓施加時間可減少50％或更多。此外，對于絕大多數(shù)位，該技術(shù)不需要耗電的電荷泵來進行寫入操作，而是使用通過降壓轉(zhuǎn)換器從外部電源電壓獲得的寫入電壓。有效地，這減少了寫入能量的消耗。

綜合四維圖新和瑞薩電子官網(wǎng)整合

審核編輯：郭婷