利用作為掩模的陽極多孔氧化鋁的模式轉移，制備了具有100nm周期性自有序結構的孔和柱陣列納米結構，納米圖案的轉移是通過一個涉及硅的局部陽極化和隨后的化學蝕刻的組合過程來實現的。利用這一方法，可以通過改變蝕刻條件來制造負圖案和正圖案。

陽極氧化鋁的多孔模式可以轉移到硅襯底中，這可以通過去除氧化硅來實現，氧化硅是由陽極氧化硅阻擋層下的局部陽極化產生的，并試圖通過改變化學蝕刻條件，任意制造一個負的或正的圖案，一個孔陣列或柱陣列。并提出了一種新的方法來制造硅表面的有序納米孔陣列或納米柱陣列，使用的結合過程包括局部陽極化和隨后不同的化學蝕刻。

本研究將陽極氧化電壓設置為40V，草酸溶液的自有序條件產生了一個約100nm周期性的有序空穴結構，通過測量恒定電壓下的電流密度瞬態，監測了硅襯底上陽極多孔氧化鋁的形成過程，陽極化在不同階段停止。圖1顯示了濺射在硅襯底上的鋁膜陽極氧化的電流密度瞬態，這個電流-時間曲線可分為兩個階段，上鋁膜和底層硅襯底的陽極化，在第一恒流階段，鋁在硅襯底上發生了陽極化。

圖1

用原子力顯微鏡~原子力顯微鏡觀察到硅襯底上的殘留,對硅襯底上形成的納米結構的轉變的詳細觀察,基于局域陽極化的硅襯底上的氧化硅圖案的形成機理與在SPM中使用導電探針的光刻技術相似,在使用陽極化的SPM光刻情況下，當尖端施加負偏差時，在尖端和樣品之間潮濕空氣下的Si表面進行局部陽極化過程。因此，在局部掃描區域可以觀察到氧化硅的生長。

圖2

在高頻中使用濕式化學蝕刻得到的一個典型的自然光刻結果如圖2a所示，在47wt%HF中從硅中去除氧化硅90s后，在硅襯底中觀察到一個有序的納米孔模式,在圖中的最小電流點B處立即停止陽極化,在高頻溶液中進行化學蝕刻的情況下，硅和氧化硅的化學反應活性不同。因此，這種處理有選擇性地從硅襯底中去除氧化硅,硅襯底中孔穴陣列的周期性基本上由上陽極多孔氧化鋁的孔隙間隔決定，這強烈依賴于陽極化條件，如電解質的類型和形成電壓。即，通過控制陽極化條件，可以很容易地調整合成的納米圖案的尺寸。

基于所提出的圖案化機理，利用氫氧化鉀溶液中形成的氧化硅襯底作為蝕刻掩模，對硅襯底進行化學蝕刻，可以實現硅襯底的反向圖案化。由于硅和鋁在氫氧化鉀溶液中的溶解速率比在氧化硅溶液中要快得多，因此可以選擇性地蝕刻暴露的殘留鋁點和硅表面。

為了檢驗局部陽極氧化制備的氧化硅圖案作為蝕刻掩模的能力，將陽極氧化硅浸泡在1wt%的氫氧化鉀溶液中20min，在圖中電流下降點A處停止陽極氧化，AFM圖像的橫斷面分析顯示，凸特征的直徑和高度在頂部直徑為60nm，底部直徑為100nm，高度為20nm~。這一結果表明，在硅襯底上形成的氧化硅圖案可以作為底層硅襯底的化學蝕刻的掩模，從圖中的AFM圖像來看出4b，證實了隨著殘留鋁點的選擇性溶解，Si表面優先溶解在相鄰細胞的連接處。

綜上所述，提出了基于局部陽極化和隨后的化學蝕刻的硅襯底的自然光刻技術，通過測量恒壓下的電流瞬態來監測襯底，直接在硅襯底上形成的多孔氧化鋁作為底層硅襯底局部陽極化的掩模，并控制了氧化硅圖案的位置，這僅在al2o3/硅界面中產生。在化學蝕刻制備有序圖案后，在不同的蝕刻條件下，用原子力顯微鏡法進行表面分析，研究了硅表面的結構轉變，陽極多孔氧化鋁將獨特的幾何圖案轉移到硅襯底中可以通過兩個獨立的過程來實現：孔陣列結構可以通過在高頻溶液中使用濕蝕刻從硅襯底中選擇性地去除氧化硅，以氧化硅為掩模，對硅襯底進行選擇性蝕刻，得到柱陣列結構，得到的兩種納米結構的周期性約為100nm，其形成電壓為40nm，基本由上陽極多孔氧化鋁的孔間隔決定。

本方法適用于在硅襯底上生產傳統光刻技術無法實現的大規模有序孔陣列或柱陣列的工藝，因為這種圖案是基于陽極多孔氧化鋁的自組織和相對容易的化學處理的組合。此外，通過控制電解質的類型和陽極氧化電壓，可以很容易地調節合成的納米圖案的尺寸。具有有序負、正圖案的硅納米結構適用于一些需要100nm以下有序表面形態的技術和科學領域。

審核編輯：符乾江