我們測(cè)量了硅化物膜(CoSi2、NiSi2、TiSi2和WSi)的濺射刻蝕速率，并研究了離子能量的依賴性，發(fā)現(xiàn)它們與二氧化硅薄膜的相對(duì)濺射刻蝕速率幾乎與濺射離子能量無(wú)關(guān)，從相對(duì)濺射蝕刻速率和計(jì)算的Ni和Si的截面比率來(lái)估計(jì)Ni的表面結(jié)合能，并發(fā)現(xiàn)由相對(duì)濺射刻蝕速率決定的表面結(jié)合能與眾所周知的值一致。

薄膜(Cosi2，Nisi2，Tisi2，WSi)通過(guò)濺射方法在n型Si (100)基板上沉積約200 納米，這些是由表面分析研究組提供的，它是多晶的，所以說(shuō)一個(gè)的深度是用一個(gè)臺(tái)階總和來(lái)衡量的。

由本實(shí)驗(yàn)求出的鎳對(duì)硅的相對(duì)濺射蝕刻速率的離子能量依賴性，用最小二乘法擬合核可阻止截面積比和濺射蝕刻速率，得到硅的離子能量依賴性，根據(jù)這些結(jié)果，可以認(rèn)為通過(guò)實(shí)測(cè)不知道表面鍵能的物質(zhì)、表面鍵能和原子密度已知的物質(zhì)和相對(duì)濺射蝕刻速率，計(jì)算核阻止能截面積的比，可以推測(cè)某物質(zhì)的表面鍵能。

測(cè)量濺射坑的深度，并且測(cè)量硅化物薄膜的濺射蝕刻速率，并且檢查這些樣品的相對(duì)蝕刻速率對(duì)SiO2的能量依賴性，可以發(fā)現(xiàn)，硅化物薄膜相對(duì)于SiO2的相對(duì)蝕刻速率具有很小的能量依賴性，如從核阻擋能力橫截面積的計(jì)算中所預(yù)期的，并且能量依賴性放松是實(shí)際的優(yōu)點(diǎn)，因?yàn)樗梢怨烙?jì)尚未測(cè)量的能量下的值，此外，樣品的近似表面結(jié)合能可以從相對(duì)濺射蝕刻速率和核阻擋能力截面比來(lái)估計(jì)。

審核編輯：湯梓紅