與其他細分市場相比，汽車市場占安森美半導體收入的最大份額。在汽車市場垂直領域，電源方案部（PSG）提供有競爭力的方案用于動力總成、先進駕駛輔助系統（ADAS）、車內、車身、聯接和LED照明應用。當今內燃機汽車向具有更高自動化水平、提高燃油能效和減少排放發展，為電子系統設計帶來了一系列新挑戰。半導體供應商將提供低成本、重量輕的器件方案，具有降低的功耗，及高達175°C結溫的熱性能。

安森美半導體迄今已在汽車MOSFET市場上取得了強大的地位，提供廣泛的符合AECQ-101汽車認證的具有競爭力的MOSFET陣容，為48V輕度混合系統的電源結構、插電式混動/電動（PHEV/ BEV）汽車的車載充電單元、電氣化動力總成中的高壓到低壓DC-DC變換器以及連接電池的12V 電子控制單元（ECU）應用提供了方案，符合汽車系統設計考量。

在推廣中的μ8FL（3x3mm）、SO8-FL（5x6mm）、Power56、LFPAK、Power88（8x8mm）和TOLL（10x12mm）封裝較小，取代用于電機驅動、電磁控制、反向電池保護電路和12V ECU系統的舊的較大的DPAK、D2PAK和SOT-223封裝。與舊封裝相比，更小尺寸的占位具有更低的構造成本，其電阻和電感值分別低至0.2 mΩ和1 nH。這些屬性轉換為具有低導通電阻（Rds-ON）和門極電荷值的具性價比的方案，可最小化導通和開關損耗。

表1. 汽車MOSFET用于關鍵應用

此外，更小的節省空間的封裝與較大的DPAK和D2PAK封裝具有相當的熱性能。為遵從電氣動力總成系統設計的考量，可提供Power56雙冷卻、Power88單/雙冷卻、650V SuperFET?III和LFPAK56 MOSFET封裝。雙冷卻封裝結構可最大化PCB板空間使用率和實現出色的熱傳導。 Power56兼容Power SO-8封裝并減少了寄生效應。 Power88單封裝采用8x8 mm封裝，采用薄型結構，適合替代較大的PTH和D2PAK封裝。 SuperFET?III MOSFET是一款高壓FET，具有降低的Rds-ON、門極和輸出電荷，有助于降低導通和開關損耗。 SuperFET?III MOSFET采用易驅動和FRFET版本，具有良好的安全工作區（SOA）額定值。易驅動版本可內部調節門極電阻和寄生電容，有極低的EMI和電壓尖峰。 FRFET版本包括一個高度優化的恢復二極管，具有超低Qrr和Trr，對于最小化開關損耗和提高系統級可靠性至關重要。

LFPAK56封裝具有超低封裝雜散電感和電阻值。它采用強固的結構，鷗翼式（gull-wing）設計可承受由于熱和機械應力引起的膨脹和收縮，而不會影響性能。該表歸納了汽車MOSFET用于關鍵應用。

審核編輯：郭婷